Mr. Kevin
Sales Director
Saledepartment
Adres:
112 Minziqian Road, Lixia District, Jinan, Shandong, China
Telefon:
Posta Kodu:
Faks:
| İletişim bilgilerini görüntülemek için lütfen oturum açın |
Hesap kaydı:
2021
İşletme Aralığı:
Elektrik ve Elektronik
Yönetim Sistemi Sertifikasyonu:
ISO 9001, ISO 9000, ISO 14000, OHSAS/ OHSMS 18001, IATF16949, QC 080000
İşletme Türü:
Üretici/Fabrika
Şirket Tanıtımı
Ticaret Kapasitesi
Üretim Kapasitesi
Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd. (ASMC), Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd'nin (Nanowin) bir şubesidir.
En iyi kalite ve uygun maliyetli geniş bant boşluk malzemeleri geliştirmeye ve üretmeye kararlıyız: GAN, SIC, AlN, Diamond tekli kristal alt tabakaları ve epi yonga plakaları.
Ana ürünlerimiz:
Gallium Nitride
2-6 inç Ayaklı GAN substratlar
2-8 inç standart ...
En iyi kalite ve uygun maliyetli geniş bant boşluk malzemeleri geliştirmeye ve üretmeye kararlıyız: GAN, SIC, AlN, Diamond tekli kristal alt tabakaları ve epi yonga plakaları.
Ana ürünlerimiz:
Gallium Nitride
2-6 inç Ayaklı GAN substratlar
2-8 inç standart ...
Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd. (ASMC), Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd′nin (Nanowin) bir şubesidir.
En iyi kalite ve uygun maliyetli geniş bant boşluk malzemeleri geliştirmeye ve üretmeye kararlıyız: GAN, SIC, AlN, Diamond tekli kristal alt tabakaları ve epi yonga plakaları.
Ana ürünlerimiz:
Gallium Nitride
2-6 inç Ayaklı GAN substratlar
2-8 inç standart GAN epitaksiyel yonga plakaları
PIN/SBD/HEMT/MOS/LED vb. için özelleştirilmiş epitaksiyel yonga plakaları.
Alüminyum Nitride
2 inç Ayaklı AlN substratlar,
2-4 inchAlN epitaksiyel yonga plakaları.
Silikon Karbür
4-6 inç yüksek kaliteli Yarı yalıtımlı SIC substratlar
4-6 inç SIC epi substratlar
Diamond
10 * 10 * 0,3mm, 10 * 10 * 0,5mm tek kristal elmas veya poliristalin elmas (optik sınıf, elektronik sınıf)
Lütfen ürünlerimizle ilgileniyorsanız bize bildirin.:)
En iyi kalite ve uygun maliyetli geniş bant boşluk malzemeleri geliştirmeye ve üretmeye kararlıyız: GAN, SIC, AlN, Diamond tekli kristal alt tabakaları ve epi yonga plakaları.
Ana ürünlerimiz:
Gallium Nitride
2-6 inç Ayaklı GAN substratlar
2-8 inç standart GAN epitaksiyel yonga plakaları
PIN/SBD/HEMT/MOS/LED vb. için özelleştirilmiş epitaksiyel yonga plakaları.
Alüminyum Nitride
2 inç Ayaklı AlN substratlar,
2-4 inchAlN epitaksiyel yonga plakaları.
Silikon Karbür
4-6 inç yüksek kaliteli Yarı yalıtımlı SIC substratlar
4-6 inç SIC epi substratlar
Diamond
10 * 10 * 0,3mm, 10 * 10 * 0,5mm tek kristal elmas veya poliristalin elmas (optik sınıf, elektronik sınıf)
Lütfen ürünlerimizle ilgileniyorsanız bize bildirin.:)
Uluslararası Ticari Koşullar (Incoterms):
DAP
Ödeme Koşulları:
T/T
Dış Ticaret Personel Sayısı:
1-3 Kişi
İhracat Yılı:
2012-02-03
İhracat Yüzdesi:
51%~70%
Ana Pazarlar:
Kuzey Amerika, Güney Amerika, Doğu Avrupa, Güneydoğu Asya, Afrika, Okyanusya, Orta Doğu, Doğu Asya, Batı Avrupa
İthalat ve İhracat Modu:
Ajans üzerinden İhracat
Fabrika Adresi:
112 Minziqian Road, Lixia District, Jinan, Shandong, China
Ar-Ge Kapasitesi:
ODM, Kendi Markası(Nanowin)
AR-Ge Personelinin Sayısı:
31-40 Kişi
Üretim Hatlarının Sayısı:
Above 10
Yıllık Çıktı Değeri:
100 Milyon ABD Dolarından fazla
Ana Ürünlerin Yıllar İçerisindeki Üretimi:
| Ürün Adı | Üretilen Birim (Önceki Yıl) |
|---|---|
| Gallium nitride substrate | 500000 Diğer |