Ana sayfa Elektrik ve Elektronik Doğrultucu Diyot Silikon Diyot 2024 Ürün listesi

Silikon Diyot

güvenilir üreticilerden ve toptancılardan bulunan ürünler

Ev Ektral Hızlı Şarj Piles DC-DC Yüksek güçlü Karşılaştırmalı LLC Topolojiler Hızlı Kurtarma Diyotu Frd Osg60r030hzf To247 Güç MOSFET'i

Ev Ektral Hızlı Şarj Piles DC-DC Yüksek güçlü Karşılaştırmalı LLC Topolojiler Hızlı Kurtarma Diyotu Frd Osg60r030hzf To247 Güç MOSFET'i

Ev Ektral Hızlı Şarj Piles DC-DC Yüksek güçlü Karşılaştırmalı LLC Topolojiler Hızlı Kurtarma Diyotu Frd Osg60r030hzf To247 Güç MOSFET'i

Ev Ektral Hızlı Şarj Piles DC-DC Yüksek güçlü Karşılaştırmalı LLC Topolojiler Hızlı Kurtarma Diyotu Frd Osg60r030hzf To247 Güç MOSFET'i

Ev Ektral Hızlı Şarj Piles DC-DC Yüksek güçlü Karşılaştırmalı LLC Topolojiler Hızlı Kurtarma Diyotu Frd Osg60r030hzf To247 Güç MOSFET'i

Ev Ektral Hızlı Şarj Piles DC-DC Yüksek güçlü Karşılaştırmalı LLC Topolojiler Hızlı Kurtarma Diyotu Frd Osg60r030hzf To247 Güç MOSFET'i

1/ 6

Favoriler

Ev Ektral Hızlı Şarj Piles DC-DC Yüksek güçlü Karşılaştırmalı LLC Topolojiler Hızlı Kurtarma Diyotu Frd Osg60r030hzf To247 Güç MOSFET'i

$0,2 / Parça

660 Parça (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,ISO

Şekil: Metal Porselen Tüp

Blendaj Tipi: Keskin Kesme Koruma borusu

Soğutma Yöntemi: Hava soğutmalı Boru

İşlev: Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

80V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı PDFN 5 * 6 - 8 L/Silikon dişli - DG80N02HQ

80V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı PDFN 5 * 6 - 8 L/Silikon dişli - DG80N02HQ

80V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı PDFN 5 * 6 - 8 L/Silikon dişli - DG80N02HQ

80V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı PDFN 5 * 6 - 8 L/Silikon dişli - DG80N02HQ

80V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı PDFN 5 * 6 - 8 L/Silikon dişli - DG80N02HQ

80V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı PDFN 5 * 6 - 8 L/Silikon dişli - DG80N02HQ

1/ 6

Favoriler

80V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı PDFN 5 * 6 - 8 L/Silikon dişli - DG80N02HQ

$0,13-1,19 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

İşlev: Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Düşük Frekans

Yapı: Düzlemsel

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

1/ 3

Favoriler

Hcs80r380s Anahtarlama Güç Kaynağı (SMPS) Semihow Süper Bağlantı MOSFET'i LED Sürüş Güç Kaynağı için uygun

$0,98-1,00 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

Şekil: GT

Blendaj Tipi: Uzaktan Kesme Koruma Tüpü

Soğutma Yöntemi: Doğal soğutmalı Boru

İşlev: Yüksek Geri basınç Transistörü,Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

Akım Transdüser la 25-NP yüksek güçlü ikincil devre MOSFET'leri Uygulamalar Diyot LEM-LA25-NP

Akım Transdüser la 25-NP yüksek güçlü ikincil devre MOSFET'leri Uygulamalar Diyot LEM-LA25-NP

Akım Transdüser la 25-NP yüksek güçlü ikincil devre MOSFET'leri Uygulamalar Diyot LEM-LA25-NP

Akım Transdüser la 25-NP yüksek güçlü ikincil devre MOSFET'leri Uygulamalar Diyot LEM-LA25-NP

Akım Transdüser la 25-NP yüksek güçlü ikincil devre MOSFET'leri Uygulamalar Diyot LEM-LA25-NP

Akım Transdüser la 25-NP yüksek güçlü ikincil devre MOSFET'leri Uygulamalar Diyot LEM-LA25-NP

1/ 6

Favoriler

Akım Transdüser la 25-NP yüksek güçlü ikincil devre MOSFET'leri Uygulamalar Diyot LEM-LA25-NP

$0,11-1,00 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

İşlev: Anahtar Transistörü

Yapı: Düzlemsel

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS 1200V ID (25°C) 62A RDS(on) 40mΩ - 247AB Fetures Uygulamaları YJD212040NCTGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS 1200V ID (25°C) 62A RDS(on) 40mΩ - 247AB Fetures Uygulamaları YJD212040NCTGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS 1200V ID (25°C) 62A RDS(on) 40mΩ - 247AB Fetures Uygulamaları YJD212040NCTGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS 1200V ID (25°C) 62A RDS(on) 40mΩ - 247AB Fetures Uygulamaları YJD212040NCTGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS 1200V ID (25°C) 62A RDS(on) 40mΩ - 247AB Fetures Uygulamaları YJD212040NCTGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS 1200V ID (25°C) 62A RDS(on) 40mΩ - 247AB Fetures Uygulamaları YJD212040NCTGHQ

1/ 6

Favoriler

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS 1200V ID (25°C) 62A RDS(on) 40mΩ - 247AB Fetures Uygulamaları YJD212040NCTGHQ

$0,81 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: YJ

N-Kanal ve P-Kanal tamamlayıcı MOSFET Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060-8L Fetaller Uygulamaları YJG12NP10BQ

N-Kanal ve P-Kanal tamamlayıcı MOSFET Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060-8L Fetaller Uygulamaları YJG12NP10BQ

N-Kanal ve P-Kanal tamamlayıcı MOSFET Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060-8L Fetaller Uygulamaları YJG12NP10BQ

N-Kanal ve P-Kanal tamamlayıcı MOSFET Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060-8L Fetaller Uygulamaları YJG12NP10BQ

N-Kanal ve P-Kanal tamamlayıcı MOSFET Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060-8L Fetaller Uygulamaları YJG12NP10BQ

N-Kanal ve P-Kanal tamamlayıcı MOSFET Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060-8L Fetaller Uygulamaları YJG12NP10BQ

1/ 6

Favoriler

N-Kanal ve P-Kanal tamamlayıcı MOSFET Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060-8L Fetaller Uygulamaları YJG12NP10BQ

$0,18-1,19 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: YJ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2DQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2DQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2DQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2DQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2DQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2DQ

1/ 6

Favoriler

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2DQ

$0,789 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: YJ

N Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Kanal Gücü LV MOSFET'i Teknoloji SOT-23 Fetaller Uygulamaları YYJL2312AQ

N Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Kanal Gücü LV MOSFET'i Teknoloji SOT-23 Fetaller Uygulamaları YYJL2312AQ

N Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Kanal Gücü LV MOSFET'i Teknoloji SOT-23 Fetaller Uygulamaları YYJL2312AQ

N Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Kanal Gücü LV MOSFET'i Teknoloji SOT-23 Fetaller Uygulamaları YYJL2312AQ

N Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Kanal Gücü LV MOSFET'i Teknoloji SOT-23 Fetaller Uygulamaları YYJL2312AQ

N Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Kanal Gücü LV MOSFET'i Teknoloji SOT-23 Fetaller Uygulamaları YYJL2312AQ

1/ 6

Favoriler

N Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Kanal Gücü LV MOSFET'i Teknoloji SOT-23 Fetaller Uygulamaları YYJL2312AQ

$0,89 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: YJ

100 V N Kanallı Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı - 251AA /Silikongear-DG100N16I

100 V N Kanallı Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı - 251AA /Silikongear-DG100N16I

100 V N Kanallı Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı - 251AA /Silikongear-DG100N16I

100 V N Kanallı Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı - 251AA /Silikongear-DG100N16I

100 V N Kanallı Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı - 251AA /Silikongear-DG100N16I

100 V N Kanallı Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı - 251AA /Silikongear-DG100N16I

1/ 6

Favoriler

100 V N Kanallı Güç MOSFET'i Tek Fetures Uygulamaları Şarj Kapasitansı - 251AA /Silikongear-DG100N16I

$0,12-1,33 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

İşlev: Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Düşük Frekans

Yapı: Düzlemsel

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

P-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör bölünmüş kapı kanal MOSFET'i Teknoloji DFN3333 l Fetaller YJQ15GP10AQ

P-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör bölünmüş kapı kanal MOSFET'i Teknoloji DFN3333 l Fetaller YJQ15GP10AQ

P-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör bölünmüş kapı kanal MOSFET'i Teknoloji DFN3333 l Fetaller YJQ15GP10AQ

P-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör bölünmüş kapı kanal MOSFET'i Teknoloji DFN3333 l Fetaller YJQ15GP10AQ

P-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör bölünmüş kapı kanal MOSFET'i Teknoloji DFN3333 l Fetaller YJQ15GP10AQ

P-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör bölünmüş kapı kanal MOSFET'i Teknoloji DFN3333 l Fetaller YJQ15GP10AQ

1/ 6

Favoriler

P-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör bölünmüş kapı kanal MOSFET'i Teknoloji DFN3333 l Fetaller YJQ15GP10AQ

$0,93 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: YJ

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V ITAV = 200A fettüleri uygulamaları MT200U08T2

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V ITAV = 200A fettüleri uygulamaları MT200U08T2

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V ITAV = 200A fettüleri uygulamaları MT200U08T2

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V ITAV = 200A fettüleri uygulamaları MT200U08T2

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V ITAV = 200A fettüleri uygulamaları MT200U08T2

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V ITAV = 200A fettüleri uygulamaları MT200U08T2

1/ 6

Favoriler

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V ITAV = 200A fettüleri uygulamaları MT200U08T2

$4,59 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: MR

En Düşük fiyata Çin Y45kpc Techsem tristörü SCR

En Düşük fiyata Çin Y45kpc Techsem tristörü SCR

En Düşük fiyata Çin Y45kpc Techsem tristörü SCR

En Düşük fiyata Çin Y45kpc Techsem tristörü SCR

En Düşük fiyata Çin Y45kpc Techsem tristörü SCR

En Düşük fiyata Çin Y45kpc Techsem tristörü SCR

1/ 6

Favoriler

En Düşük fiyata Çin Y45kpc Techsem tristörü SCR

$10,00-10.000,00 / Parça

1 Parça (MOQ)

Weifang Kingsa International Trade Co., Ltd.

Şimdi İletişime geçin

Şekil: GT

Blendaj Tipi: Keskin Kesme Koruma borusu

Soğutma Yöntemi: Su soğutmalı Tüp

İşlev: Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

Yapı: Düzlemsel

Sıcak Satış Juxing Smaj90A GPP 90 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'LER/ESD) Güç 400W

Sıcak Satış Juxing Smaj90A GPP 90 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'LER/ESD) Güç 400W

Sıcak Satış Juxing Smaj90A GPP 90 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'LER/ESD) Güç 400W

Sıcak Satış Juxing Smaj90A GPP 90 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'LER/ESD) Güç 400W

Sıcak Satış Juxing Smaj90A GPP 90 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'LER/ESD) Güç 400W

Sıcak Satış Juxing Smaj90A GPP 90 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'LER/ESD) Güç 400W

1/ 6

Favoriler

Sıcak Satış Juxing Smaj90A GPP 90 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'LER/ESD) Güç 400W

$0,0099-0,0168 / Parça

5.000 Parça (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

Şekil: ST

Blendaj Tipi: Uzaktan Kesme Koruma Tüpü

Soğutma Yöntemi: Doğal soğutmalı Boru

Yapı: Düzlemsel

Kapsülleme Yapısı: Plastik Yalıtımlı Transistör

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 V - 1800 V VRSM = 900 V - 1900 V ITAV = 110 A fetmeler Uygulamalar MT110C18T1

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 V - 1800 V VRSM = 900 V - 1900 V ITAV = 110 A fetmeler Uygulamalar MT110C18T1

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 V - 1800 V VRSM = 900 V - 1900 V ITAV = 110 A fetmeler Uygulamalar MT110C18T1

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 V - 1800 V VRSM = 900 V - 1900 V ITAV = 110 A fetmeler Uygulamalar MT110C18T1

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 V - 1800 V VRSM = 900 V - 1900 V ITAV = 110 A fetmeler Uygulamalar MT110C18T1

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 V - 1800 V VRSM = 900 V - 1900 V ITAV = 110 A fetmeler Uygulamalar MT110C18T1

1/ 6

Favoriler

Tristör Modülleri VRRM/VDRM = 800 V - 1800 V VRSM = 900 V - 1900 V ITAV = 110 A fetmeler Uygulamalar MT110C18T1

$3,23 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: MR

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG58G10BQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG58G10BQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG58G10BQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG58G10BQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG58G10BQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG58G10BQ

1/ 6

Favoriler

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG58G10BQ

$0,87 / Parça

100 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Güç Seviyesi: Yüksek Güç

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

1/ 4

Favoriler

100 V/60,9 A 4,4 mΩ DG100N15Q N Kanallı Gelişmiş Güç MOSFET'i

$0,3-0,33 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

Şekil: GT

Blendaj Tipi: Uzaktan Kesme Koruma Tüpü

Soğutma Yöntemi: Doğal soğutmalı Boru

İşlev: Yüksek Geri basınç Transistörü,Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS-1700V/ID) 25°C) - 4,2A/RDS(ON) - 1Ω - 247 L FETURES UYGULAMALARI YJD21701K0NCFGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS-1700V/ID) 25°C) - 4,2A/RDS(ON) - 1Ω - 247 L FETURES UYGULAMALARI YJD21701K0NCFGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS-1700V/ID) 25°C) - 4,2A/RDS(ON) - 1Ω - 247 L FETURES UYGULAMALARI YJD21701K0NCFGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS-1700V/ID) 25°C) - 4,2A/RDS(ON) - 1Ω - 247 L FETURES UYGULAMALARI YJD21701K0NCFGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS-1700V/ID) 25°C) - 4,2A/RDS(ON) - 1Ω - 247 L FETURES UYGULAMALARI YJD21701K0NCFGHQ

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS-1700V/ID) 25°C) - 4,2A/RDS(ON) - 1Ω - 247 L FETURES UYGULAMALARI YJD21701K0NCFGHQ

1/ 6

Favoriler

Silikon Karbür Güç MOSFET'i (N-Kanal Geliştirme) VDS-1700V/ID) 25°C) - 4,2A/RDS(ON) - 1Ω - 247 L FETURES UYGULAMALARI YJD21701K0NCFGHQ

$0,71 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: YJ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2AQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2AQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2AQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2AQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2AQ

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2AQ

1/ 6

Favoriler

Yüzeye monte Süper Hızlı Kurtarma Düzelticisi Düşük profilli paket Yüksek İleri akım dalgalanma yeteneği, UYGULAMALAR DO-214AA (SMA) UG2AQ

$0,783 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: MR

IGBT VCE-650V IC-20A VCE(SAT) IC=20A 1,60V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGP20N65CTL0

IGBT VCE-650V IC-20A VCE(SAT) IC=20A 1,60V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGP20N65CTL0

IGBT VCE-650V IC-20A VCE(SAT) IC=20A 1,60V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGP20N65CTL0

IGBT VCE-650V IC-20A VCE(SAT) IC=20A 1,60V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGP20N65CTL0

IGBT VCE-650V IC-20A VCE(SAT) IC=20A 1,60V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGP20N65CTL0

IGBT VCE-650V IC-20A VCE(SAT) IC=20A 1,60V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGP20N65CTL0

1/ 6

Favoriler

IGBT VCE-650V IC-20A VCE(SAT) IC=20A 1,60V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGP20N65CTL0

$1,85 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: MR

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG110G04HHQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG110G04HHQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG110G04HHQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG110G04HHQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG110G04HHQ

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG110G04HHQ

1/ 6

Favoriler

N-Kanal Geliştirme Modu Alan etkili Transistör Nem Hassasiyeti Seviyesi 1 PDFN5060 L Fetaller Uygulamaları YJG110G04HHQ

$0,18-1,19 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: YJ

TM2G0040120K Fotovoltaik İnvertör 1200V N-Kanal Silikon Karbür Güç uygulayın MOSFET

TM2G0040120K Fotovoltaik İnvertör 1200V N-Kanal Silikon Karbür Güç uygulayın MOSFET

TM2G0040120K Fotovoltaik İnvertör 1200V N-Kanal Silikon Karbür Güç uygulayın MOSFET

TM2G0040120K Fotovoltaik İnvertör 1200V N-Kanal Silikon Karbür Güç uygulayın MOSFET

TM2G0040120K Fotovoltaik İnvertör 1200V N-Kanal Silikon Karbür Güç uygulayın MOSFET

1/ 5

Favoriler

TM2G0040120K Fotovoltaik İnvertör 1200V N-Kanal Silikon Karbür Güç uygulayın MOSFET

$0,1-1,00 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

Şekil: GT

Blendaj Tipi: Uzaktan Kesme Koruma Tüpü

Soğutma Yöntemi: Doğal soğutmalı Boru

İşlev: Yüksek Geri basınç Transistörü,Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

HCS65R380S ILA -220F Paket 650V 10,4A 0,38Ω Dahili ESD 650V N-Kanal Süper Bağlantı MOSFET'i

HCS65R380S ILA -220F Paket 650V 10,4A 0,38Ω Dahili ESD 650V N-Kanal Süper Bağlantı MOSFET'i

HCS65R380S ILA -220F Paket 650V 10,4A 0,38Ω Dahili ESD 650V N-Kanal Süper Bağlantı MOSFET'i

HCS65R380S ILA -220F Paket 650V 10,4A 0,38Ω Dahili ESD 650V N-Kanal Süper Bağlantı MOSFET'i

HCS65R380S ILA -220F Paket 650V 10,4A 0,38Ω Dahili ESD 650V N-Kanal Süper Bağlantı MOSFET'i

HCS65R380S ILA -220F Paket 650V 10,4A 0,38Ω Dahili ESD 650V N-Kanal Süper Bağlantı MOSFET'i

1/ 6

Favoriler

HCS65R380S ILA -220F Paket 650V 10,4A 0,38Ω Dahili ESD 650V N-Kanal Süper Bağlantı MOSFET'i

$0,4-0,45 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

Şekil: GT

Blendaj Tipi: Uzaktan Kesme Koruma Tüpü

Soğutma Yöntemi: Doğal soğutmalı Boru

İşlev: Yüksek Geri basınç Transistörü,Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

30 V / -30 V birbirini tamamlayan Güç MOSFET'i Düşük Şarj Girişi / 252-4 Fetir uygulamaya Çıkış sızıntısı Silikon dişlisi - SGD3225H

30 V / -30 V birbirini tamamlayan Güç MOSFET'i Düşük Şarj Girişi / 252-4 Fetir uygulamaya Çıkış sızıntısı Silikon dişlisi - SGD3225H

30 V / -30 V birbirini tamamlayan Güç MOSFET'i Düşük Şarj Girişi / 252-4 Fetir uygulamaya Çıkış sızıntısı Silikon dişlisi - SGD3225H

30 V / -30 V birbirini tamamlayan Güç MOSFET'i Düşük Şarj Girişi / 252-4 Fetir uygulamaya Çıkış sızıntısı Silikon dişlisi - SGD3225H

30 V / -30 V birbirini tamamlayan Güç MOSFET'i Düşük Şarj Girişi / 252-4 Fetir uygulamaya Çıkış sızıntısı Silikon dişlisi - SGD3225H

30 V / -30 V birbirini tamamlayan Güç MOSFET'i Düşük Şarj Girişi / 252-4 Fetir uygulamaya Çıkış sızıntısı Silikon dişlisi - SGD3225H

1/ 6

Favoriler

30 V / -30 V birbirini tamamlayan Güç MOSFET'i Düşük Şarj Girişi / 252-4 Fetir uygulamaya Çıkış sızıntısı Silikon dişlisi - SGD3225H

$0,13-1,00 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

İşlev: Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Düşük Frekans

Yapı: Düzlemsel

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

IGBT VCE-650V IC-50A VCE(SAT) IC=50A 1,95V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGW50N65CTH

IGBT VCE-650V IC-50A VCE(SAT) IC=50A 1,95V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGW50N65CTH

IGBT VCE-650V IC-50A VCE(SAT) IC=50A 1,95V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGW50N65CTH

IGBT VCE-650V IC-50A VCE(SAT) IC=50A 1,95V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGW50N65CTH

IGBT VCE-650V IC-50A VCE(SAT) IC=50A 1,95V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGW50N65CTH

IGBT VCE-650V IC-50A VCE(SAT) IC=50A 1,95V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGW50N65CTH

1/ 6

Favoriler

IGBT VCE-650V IC-50A VCE(SAT) IC=50A 1,95V fetuslar uygulamalar pozitif sıcaklık Katsayı DGW50N65CTH

$1,76 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: MR

Dual NPN Küçük Sinyal Transistörü SOT-363 Epoxy UL-94 V-0'i karşılar Yanıcılık derecesi BC846BSQ

Dual NPN Küçük Sinyal Transistörü SOT-363 Epoxy UL-94 V-0'i karşılar Yanıcılık derecesi BC846BSQ

Dual NPN Küçük Sinyal Transistörü SOT-363 Epoxy UL-94 V-0'i karşılar Yanıcılık derecesi BC846BSQ

Dual NPN Küçük Sinyal Transistörü SOT-363 Epoxy UL-94 V-0'i karşılar Yanıcılık derecesi BC846BSQ

Dual NPN Küçük Sinyal Transistörü SOT-363 Epoxy UL-94 V-0'i karşılar Yanıcılık derecesi BC846BSQ

Dual NPN Küçük Sinyal Transistörü SOT-363 Epoxy UL-94 V-0'i karşılar Yanıcılık derecesi BC846BSQ

1/ 6

Favoriler

Dual NPN Küçük Sinyal Transistörü SOT-363 Epoxy UL-94 V-0'i karşılar Yanıcılık derecesi BC846BSQ

$0,11-1,23 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: YJ

Çin'de Başlangıç Ocağı için kullanılan teknoloji kektristörü

Çin'de Başlangıç Ocağı için kullanılan teknoloji kektristörü

Çin'de Başlangıç Ocağı için kullanılan teknoloji kektristörü

Çin'de Başlangıç Ocağı için kullanılan teknoloji kektristörü

Çin'de Başlangıç Ocağı için kullanılan teknoloji kektristörü

Çin'de Başlangıç Ocağı için kullanılan teknoloji kektristörü

1/ 6

Favoriler

Çin'de Başlangıç Ocağı için kullanılan teknoloji kektristörü

$10,00-10.000,00 / Parça

1 Parça (MOQ)

Weifang Kingsa International Trade Co., Ltd.

Şimdi İletişime geçin

Şekil: GT

Blendaj Tipi: Keskin Kesme Koruma borusu

Soğutma Yöntemi: Su soğutmalı Tüp

İşlev: Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

Yapı: Alaşım

Üç Fazlı Köprü + akım dönüştürücü VRRM / VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V IFAV/ITAV = 75A fetmeler Uygulamaları MT75DT08L1

Üç Fazlı Köprü + akım dönüştürücü VRRM / VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V IFAV/ITAV = 75A fetmeler Uygulamaları MT75DT08L1

Üç Fazlı Köprü + akım dönüştürücü VRRM / VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V IFAV/ITAV = 75A fetmeler Uygulamaları MT75DT08L1

Üç Fazlı Köprü + akım dönüştürücü VRRM / VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V IFAV/ITAV = 75A fetmeler Uygulamaları MT75DT08L1

Üç Fazlı Köprü + akım dönüştürücü VRRM / VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V IFAV/ITAV = 75A fetmeler Uygulamaları MT75DT08L1

Üç Fazlı Köprü + akım dönüştürücü VRRM / VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V IFAV/ITAV = 75A fetmeler Uygulamaları MT75DT08L1

1/ 6

Favoriler

Üç Fazlı Köprü + akım dönüştürücü VRRM / VDRM = 800 ila 1800V VRSM = 900V ila 1900V IFAV/ITAV = 75A fetmeler Uygulamaları MT75DT08L1

$5,23 / Parça

1.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS

İşlev: Anahtar Transistörü

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Standart: Customized

Işaret: MR

Juxing Smaj36ca GPP 36 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'ler/ESD) Güç 400 W

Juxing Smaj36ca GPP 36 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'ler/ESD) Güç 400 W

Juxing Smaj36ca GPP 36 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'ler/ESD) Güç 400 W

Juxing Smaj36ca GPP 36 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'ler/ESD) Güç 400 W

Juxing Smaj36ca GPP 36 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'ler/ESD) Güç 400 W

Juxing Smaj36ca GPP 36 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'ler/ESD) Güç 400 W

1/ 6

Favoriler

Juxing Smaj36ca GPP 36 V yüzeye monte Geçici Gerilim Bastırıcı Diyot Smtvs (TV'ler/ESD) Güç 400 W

$0,0099-0,0168 / Parça

5.000 Parça (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

Şekil: ST

Blendaj Tipi: Uzaktan Kesme Koruma Tüpü

Soğutma Yöntemi: Doğal soğutmalı Boru

Yapı: Düzlemsel

Kapsülleme Yapısı: Plastik Yalıtımlı Transistör

1/ 4

Favoriler

Profesyonel Transistör Toptan Satış Gelişmiş Güç 30 V / 6 A 26 mΩ RU3400B

$0,19-10,18 / Parça

3.000 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

Şekil: GT

Blendaj Tipi: Uzaktan Kesme Koruma Tüpü

Soğutma Yöntemi: Doğal soğutmalı Boru

İşlev: Yüksek Geri basınç Transistörü,Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

PDFN 3.3 * 3.3-8L / 30V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetaller Uygulamaları Şarj Kapasitansı Silikongear - SG30N09E

PDFN 3.3 * 3.3-8L / 30V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetaller Uygulamaları Şarj Kapasitansı Silikongear - SG30N09E

PDFN 3.3 * 3.3-8L / 30V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetaller Uygulamaları Şarj Kapasitansı Silikongear - SG30N09E

PDFN 3.3 * 3.3-8L / 30V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetaller Uygulamaları Şarj Kapasitansı Silikongear - SG30N09E

PDFN 3.3 * 3.3-8L / 30V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetaller Uygulamaları Şarj Kapasitansı Silikongear - SG30N09E

PDFN 3.3 * 3.3-8L / 30V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetaller Uygulamaları Şarj Kapasitansı Silikongear - SG30N09E

1/ 6

Favoriler

PDFN 3.3 * 3.3-8L / 30V N-Kanal Güç MOSFET'i Tek Fetaller Uygulamaları Şarj Kapasitansı Silikongear - SG30N09E

$0,14-1,2 / Parça

1 Parça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° Sanal Tur

Şimdi İletişime geçin

Sertifika: RoHS,CE,ISO,CCC

İşlev: Mikrodalga Transistör,Anahtar Transistörü

Çalışma Frekansı: Düşük Frekans

Yapı: Düzlemsel

Malzeme: Silikon

Ambalaj: Plastic Package

Daha Fazla

hızlı ürün dizini

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

Aradığınızı bulamadınız mı?

Kolay kaynak kullanımı

Kaynak oluşturma isteklerini yayınlayın ve fiyat tekliflerini hızla alın.

Satın Alma talebini Yayınla

Katalog

Elektrik ve Elektronik
Elektronik Tüp ve Transistör
Diğer Elektronik Tüpler ve Transistörler

Ürün Özellikleri

Malzeme

Sertifika

İşlev

Yapı

Güç Seviyesi

Çalışma Frekansı

Kapsülleme Yapısı

Blendaj Tipi

Soğutma Yöntemi

Şekil

Şirket Özellikleri

Üye Türü

İşletme Türü

Ar-Ge Kapasitesi

İl ve Bölge

İlgili ürün kategorileri

Silikon

Popüler aramalar