8A 700V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i Dhf8n70 ila -220

• voltaj: 700 v
• geçerli: 8 a
• üretim teknolojisi: ayrık aygıt
• tip: n tipi yarı iletken
• malzeme: metal oksit yarı iletken
• paket: ila -220f
• Hayır. Modeli.: DHF8N70
• uygulama: güç kaynağı
• model: dhf8n70
• parti numarası: 2021
• marka: g x d
• Taşıma Paketi: Tube
• Ticari Marka: WXDH
• Menşei: Wuxi, China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: 500000000 Pieces/Year

Ürün Açıklaması

PARAMETRE		SEMBOL	DEĞER		BIRIM
			8N70/I8N70/E8N70	DHF8N70
Güç kaynağına Voltaj		VDSS	700		V
Giriş-Kaynak Voltajı		VGSS	±30		V
Tahliye Akımı (sürekli)		KIMLIK (T=25 ºC)	8		A
		(T=100 ºC)	5.1		A
Tahliye Akımı (Darbeli)		IDM	32		A
Tek Nabız Avalanche Enerjisi		EAS	480		MJ
Toplam Dağılma	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	G
	TC = 25 ºC	Ptot	210	38	G
Bağlantı sıcaklığı		TJ	-55 ~ 150		ºC
Depolama sıcaklığı		Tstg	-55 ~ 150		ºC

 

Özellikler

Düşük anahtarlama kaybı

Düşük ON direnci

Düşük kapı ücreti

Düşük Geri Aktarma Kapasitansları

%100 Tek Atımlı Avalanche Enerji Testi

%100 ΔVDS Testi

Uygulamalar

Sistem için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır
minyatür ve daha yüksek verimlilik.

Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

 

Ürün Özellikleri ve Ambalaj modelleri
Ürün Modeli	Paket Türü	İşaret Adı	RoHS	Paket	Miktar
8N70	ILA - 220	8N70	Pb içermez	Tüp	1000/kutu
F8N70	ILA -220F	F8N70	Pb içermez	Tüp	1000/kutu
I8N70	ILA - 262	I8N70	Pb içermez	Tüp	1000/kutu
E8N70	ILA - 263	E8N70	Pb içermez	Bant ve makara	800/kutu