• 100A 30V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i 30h10K - -252b
  • 100A 30V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i 30h10K - -252b
  • 100A 30V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i 30h10K - -252b
  • 100A 30V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i 30h10K - -252b
  • 100A 30V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i 30h10K - -252b
  • 100A 30V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i 30h10K - -252b

100A 30V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i 30h10K - -252b

voltaj: 30 v
geçerli: 100 a
üretim teknolojisi: ayrık aygıt
tip: n tipi yarı iletken
malzeme: metal oksit yarı iletken
paket: ila -252b

Tedarikçi ile İletişime Geçin

Elmas Üye Fiyat 2021

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Üretici/Fabrika ve Ticaret Şirketi

Temel bilgiler.

Hayır. Modeli.
30H10K
uygulama
Power Switching, Inverter, Electric Tools
model
30 saat 10 saat
parti numarası
2021
marka
g x d
Taşıma Paketi
Tape, Reel
Ticari Marka
WXDH
Menşei
Wuxi, China
HS Kodu
8541290000
Üretim Kapasitesi
500000000 Pieces/Year

Ürün Açıklaması

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b
100A 30 V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET'i
1 Açıklama
Bu N kanallı Gelişmiş VMOSFET'ler kullanıldı
gelişmiş kanal teknolojisi tasarımı, mükemmel
RDSON ve düşük kapı şarjı. Bu
RoHS standardı.
 
Özellikler
Hızlı Anahtarlama
Düşük ON direnci (Rdson ≤ 0,55 mΩ)
Düşük kapı şarjı (Tip: 43nC)
Düşük Geri Aktarma Kapasitansları (Tipik: 215pF)
%100 Tek Atımlı Avalanche Enerji Testi
%100 ΔVDS Testi
Uygulamalar
Güç anahtarlama uygulamaları
İnvertör yönetim sistemi
Elektrikli Aletler
Otomotiv Elektroniği
 
PARAMETRE SEMBOL DEĞER BIRIM
30H10/30H10I/30H10E/30H10K/30H10B 30 H10F
Maksimum Sürücü - Kaynak DC Voltajı VDS 30 V
Maksimum Geçit - Boşaltma Voltajı VGS ±20 V
Tahliye Akımı (sürekli) KIMLIK (T=25 ºC) 100 A
(T=100 ºC) 70 A
Tahliye Akımı (Darbeli) IDM 280 A
Tek Nabız Avalanche Enerjisi EAS 200 MJ
Toplam Dağılma Ta = 25 ºC Ptot 2 2 G
TC = 25 ºC Ptot 60 24 G
Bağlantı sıcaklığı TJ -55 ~ 150 ºC
Depolama sıcaklığı Tstg -55 ~ 150 ºC
 
Ürün Özellikleri ve Ambalaj modelleri
Ürün Modeli Paket Türü İşaret Adı RoHS Paket Miktar
30 H10 ILA -220C 30 H10 Pb içermez Tüp 1000/kutu
30 H10F ILA -220F 30 H10F Pb içermez Tüp 1000/kutu
30 H10B ILA - 251 30 H10B Pb içermez Tüp 3000/kutu
30 H10K ILA - 252 30 H10K Pb içermez Bant ve makara 2500/kutu
30 H10I ILA - 262 30 H10I Pb içermez Tüp 1000/kutu
30 H10E ILA - 263 30 H10E Pb içermez Bant ve makara 800/kutu
 100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

*İtibaren:
*Şuradan:
*Mesaj:

Lütfen 20 ila 4000 karakter arasında girin.

Aradığınız şey bu değil? Satın Alma talebini Şimdi Yayınla

Kategoriye Göre Benzer Ürünleri Bulun

Tedarikçi Ana Sayfası Ürünler MOSFET LV MOSFET 100A 30V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i 30h10K - -252b

Bunları Da Beğenebilirsiniz

Tedarikçi ile İletişime Geçin

Elmas Üye Fiyat 2021

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Üretici/Fabrika ve Ticaret Şirketi
Çalışan Sayısı
156
Kuruluş Yılı
2004-12-07