4A 650V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i F4n65 - -220f

• Uygulama: güç anahtarı devresi
• Parti Numarası: 2021
• Üretim Teknolojisi: Ayrık Cihaz
• Malzeme: metal oksit yarı iletken
• Model: f4n65
• Paket: ila -220f
• Hayır. Modeli.: F4N65
• Tip: N-Tipi Yarıiletken
• voltaj: 650 v
• geçerli: 4 a
• marka: g x d
• Taşıma Paketi: Tube
• Ticari Marka: WXDH
• Menşei: Wuxi, China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: 500000000 Pieces/Year

Ürün Açıklaması

PARAMETRE		SEMBOL	DEĞER	BIRIM
			F4N65
Tahrik - Kaynak Voltajı		VDSS	650	V
Giriş-Kaynak Voltajı		VGSS	±30	V
Tahliye Akımı (sürekli)		KIMLIK (T=25 ºC)	4	A
		(T=100 ºC)	2.5	A
Tahliye Akımı (Darbeli)		IDM	16	A
Tek Nabız Avalanche Enerjisi		EAS	240	MJ
Toplam Dağılma	Ta = 25 ºC	Ptot	0.24	G
	TC = 25 ºC	Ptot	30	G
Bağlantı sıcaklığı		TJ	-55 ~ 150	ºC
Depolama sıcaklığı		Tstg	-55 ~ 150	ºC

 

Özellikler

Hızlı Anahtarlama

ESD gelişmiş kapasite

Düşük ON direnci (Rdson ≤ 2,5Ω)

Düşük kapı şarjı (Tip: 17,3 nC)

Düşük ters aktarım kapasitansları (Tipik: 6,88pF)

%100 Tek Atımlı Avalanche Enerji Testi

%100 ΔVDS Testi

Uygulamalar

Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.

Elektron balastı ve adaptörün güç anahtarı devresi.

 

Ürün Özellikleri ve Ambalaj modelleri
Ürün Modeli	Paket Türü	İşaret Adı	RoHS	Paket	Miktar
F4N65	ILA -220F	F4N65	Pb içermez	Tüp	1000/kutu; 5000/büyük kutu