• 1200 V 65 A N-Kanal SIC Güç MOSFET′i - 3p Dhc1m025120d
  • 1200 V 65 A N-Kanal SIC Güç MOSFET′i - 3p Dhc1m025120d
  • 1200 V 65 A N-Kanal SIC Güç MOSFET′i - 3p Dhc1m025120d
  • 1200 V 65 A N-Kanal SIC Güç MOSFET′i - 3p Dhc1m025120d
  • 1200 V 65 A N-Kanal SIC Güç MOSFET′i - 3p Dhc1m025120d
  • 1200 V 65 A N-Kanal SIC Güç MOSFET′i - 3p Dhc1m025120d

1200 V 65 A N-Kanal SIC Güç MOSFET′i - 3p Dhc1m025120d

Üretim Teknolojisi: Ayrık Aygıt
Malzeme: Sic
Tip: N tipi Yarı iletken
Paket: to-3p
Uygulama: Solar Inverters
Model: Dhc1m025120d

İletişim Tedarikçi

Elmas Üye Fiyat 2021

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Üretici/Fabrika ve Ticaret Şirketi

Temel bilgiler.

Hayır. Modeli.
DHC1M025120D
Toplu İş Numarası
2022
Marka
Wxdh
voltaj
1200 v
geçerli
65 a
Taşıma Paketi
Tube
Ticari Marka
WXDH
Menşei
Wuxi, China
HS Kodu
8541100000
Üretim Kapasitesi
500000000 Pieces/Year

Ürün Açıklaması

1200V 65A N-Channel Sic Power Mosfet to-3p Dhc1m025120d1200V 65A N-Channel Sic Power Mosfet to-3p Dhc1m025120d1200V 65A N-Channel Sic Power Mosfet to-3p Dhc1m025120d1200V 65A N-Channel Sic Power Mosfet to-3p Dhc1m025120d
65A 1200V N kanallı SIC Güç MOSFET'i
1 Açıklama
Bu ürün ailesi en son teknoloji ürünü performansı sunar. Bu
yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır
verimlilik ve yüksek güvenilirlik gereklidir. Nitedir
Ve 6 inçlik SIC hattı üzerinde üretilmiştir
Çin, tamamen DongHai Semiconducor'a aittir.
 
Özellikler
Düşük ON dirençli Yüksek Engelleme gerilimi
Düşük Kapasitanslı Yüksek Hızlı Anahtarlama
Paralel ve kolay Sürüş
Uygulamalar
Güç Kaynakları
Yüksek Voltajlı DC/DC Dönüştürücüler
Motor Tahrikleri
Anahtar Modu Güç Kaynakları
Darbeli Güç Uygulamaları
 
PARAMETRE SEMBOL DEĞER BIRIM
     
Güç kaynağına Voltaj VDSS 1200 V
Maks. Geçit-Kaynak gerilimi VGSS -10/+25 V
Maks. Geçit-Kaynak gerilimi VGSS -5/+20 V
Sürekli tahliye Akımı ID TC = 25 ºC 65 A
TC = 100 ºC 43 A
Darbeli tahliye Akımı IDM 200 A
Güç Dağılımı TJ = 150 ºC Ptot 370 G
TC = 25 ºC Ptot G
Bağlantı Sıcaklığı Aralığı TJ -55 ~ 150 ºC
Depolama Sıcaklığı Aralığı Tstg -55 ~ 150 ºC
 
4.2 Termal özellikler
Parametre Sembol Derecelendirme Unitº
Termal direnç, birleşim Yeri - Muhafaza-lavabo RthJC 0.25 ºC/W
Termal direnç, Ortam ile Bağlantı RthJA 40 ºC/W

Ürün Özellikleri ve Ambalaj modelleri
Ürün Modeli Paket Türü İşaret Adı RoHS Paket Miktar
DHC1M040120D ILA -3P DHC1M040120D Pb içermez Tüp 300/kutu
DHC1M040120B ILA - 247 DHC1M040120B Pb içermez Tüp 300/kutu
 1200V 65A N-Channel Sic Power Mosfet to-3p Dhc1m025120d

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

*İtibaren:
*Şuradan:
*Mesaj:

Lütfen 20 ila 4000 karakter arasında girin.

Aradığınız şey bu değil? Satın Alma talebini Şimdi Yayınla

Kategoriye Göre Benzer Ürünleri Bulun

Tedarikçi Ana Sayfası Ürünler SIC MOSFET′I 1200 V 65 A N-Kanal SIC Güç MOSFET′i - 3p Dhc1m025120d

Bunları Da Beğenebilirsiniz

İletişim Tedarikçi

Elmas Üye Fiyat 2021

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Üretici/Fabrika ve Ticaret Şirketi
Çalışan Sayısı
156
Kuruluş Yılı
2004-12-07