Mrs. Daisy
Adres:
No. 218, Xinghu Street, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu, China
Telefon:
Posta Kodu:
Faks:
| İletişim bilgilerini görüntülemek için lütfen oturum açın |
Hesap kaydı:
2011
İşletme Aralığı:
Elektrik ve Elektronik, Metalurji, Maden ve Enerji
Yönetim Sistemi Sertifikasyonu:
ISO 9001
İşletme Türü:
Üretici/Fabrika
Ana Ürünler:
Şirket Tanıtımı
Ticaret Kapasitesi
Üretim Kapasitesi
Mayıs 2007'de Çin'in Suzhou Industry Park'ında kurulan Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN), yüksek kaliteli Gallium Nitride (GAN) alt tabakalarını üretmek ve ilgili teknolojileri geliştirmek için çalışan yüksek teknoloji ürünü bir şirkettir.
NANOWIN'in temel avantajı GAN substratlarında ve büyüme teknolojilerinde temel patentlere sahip rakipsiz malzeme uzmanlığıdır. ...
NANOWIN'in temel avantajı GAN substratlarında ve büyüme teknolojilerinde temel patentlere sahip rakipsiz malzeme uzmanlığıdır. ...
Mayıs 2007′de Çin′in Suzhou Industry Park′ında kurulan Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN), yüksek kaliteli Gallium Nitride (GAN) alt tabakalarını üretmek ve ilgili teknolojileri geliştirmek için çalışan yüksek teknoloji ürünü bir şirkettir.
NANOWIN′in temel avantajı GAN substratlarında ve büyüme teknolojilerinde temel patentlere sahip rakipsiz malzeme uzmanlığıdır. NANOWIN, yüksek güçlü LED, mavi LD ve yüksek güçlü elektronik/elektrikli cihazlardaki uygulamalar için uygun olan ekstra düşük yer değiştirme yoğunlukları olan standart ve özelleştirilmiş serbest duran GAN alt tabakalar ve kalın GAN/sapphire şablonları sunar. NANOWIN′in ana ürünleri 2, GAN kalınlığı 15 ila 90 mikron, kalınlığı yaklaşık 350 mikron olan 2 inç serbest duran GAN alt tabakalar ve 106 cm-2, küçük kare (yan uzunluğu 1~2 santimetre/1inç/1,8 inç) içinde GA yüz yer değiştirme yoğunluğu olan, serbest duran GAN alt tabakalar, GAN/GAN alt tabakalar (GAN alt tabakaları), GAN alt tabakalar, GAN alt tabakalar (GAN/GAN alt tabakalar) Yüksek kristalli GAN tozu ve AlN substratları (PSS). NANOWIN tarafından üretilen tüm GAN şablonları ve alt tabakalar üç kategori içerir: N tipi eğik, tam ve yarı yalıtımlı eğik.
Stratejik hedefimiz, önde gelen nitrür yarı iletken malzeme sağlayıcısı olmak ve nitrür yarı iletkenlerinin sektör uygulamalarında öncü olmaktır.
NANOWIN′in temel avantajı GAN substratlarında ve büyüme teknolojilerinde temel patentlere sahip rakipsiz malzeme uzmanlığıdır. NANOWIN, yüksek güçlü LED, mavi LD ve yüksek güçlü elektronik/elektrikli cihazlardaki uygulamalar için uygun olan ekstra düşük yer değiştirme yoğunlukları olan standart ve özelleştirilmiş serbest duran GAN alt tabakalar ve kalın GAN/sapphire şablonları sunar. NANOWIN′in ana ürünleri 2, GAN kalınlığı 15 ila 90 mikron, kalınlığı yaklaşık 350 mikron olan 2 inç serbest duran GAN alt tabakalar ve 106 cm-2, küçük kare (yan uzunluğu 1~2 santimetre/1inç/1,8 inç) içinde GA yüz yer değiştirme yoğunluğu olan, serbest duran GAN alt tabakalar, GAN/GAN alt tabakalar (GAN alt tabakaları), GAN alt tabakalar, GAN alt tabakalar (GAN/GAN alt tabakalar) Yüksek kristalli GAN tozu ve AlN substratları (PSS). NANOWIN tarafından üretilen tüm GAN şablonları ve alt tabakalar üç kategori içerir: N tipi eğik, tam ve yarı yalıtımlı eğik.
Stratejik hedefimiz, önde gelen nitrür yarı iletken malzeme sağlayıcısı olmak ve nitrür yarı iletkenlerinin sektör uygulamalarında öncü olmaktır.
Uluslararası Ticari Koşullar (Incoterms):
FOB, VERGI KIMLIĞI
Ödeme Koşulları:
T/T, Western Union
Ortalama Teslim Süresi:
Yoğun Sezon Teslim Süresi: 1-3 ay, Sezon Dışı Teslim Süresi: 15 iş günü içinde
Dış Ticaret Personel Sayısı:
4-10 Kişi
İhracat Yılı:
2008-07-10
İhracat Yüzdesi:
21%~30%
Yıllık İhracat Geliri:
10000 ~ 1 milon USD
Ana Pazarlar:
Kuzey Amerika, Güney Amerika, Doğu Avrupa, Güneydoğu Asya, Afrika, Okyanusya, Orta Doğu, Doğu Asya, Batı Avrupa
İthalat ve İhracat Modu:
Kendi İhracat Lisansı ile İhracat
Fabrika Adresi:
NO.218,Xinghu Street,Suzhou Industrial Park,Jiangsu,PRC
AR-Ge Personelinin Sayısı:
11-20 Kişi
Üretim Hatlarının Sayısı:
4