Mavi Lazer İşaretçisi
| Minimum Sipariş: | 100 Parça |
|---|---|
| Üretim Kapasitesi: | 10000 / Month |
| Taşıma Paketi: | 1PC/Box |
| Ödeme Koşulları: | L/C, T/T, Paypal, Money Gram, Western Union |
Ürün Açıklaması
Şirket Bilgileri
Adres:
No. 218, Xinghu Street, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu, China
İşletme Türü:
Üretici/Fabrika
İşletme Aralığı:
Elektrik ve Elektronik, Metalurji, Maden ve Enerji
Yönetim Sistemi Sertifikasyonu:
ISO 9001
Ana Ürünler:
Dökme Gan Substratı, Gan Pah, LD, LED, Gan Hemt
Şirket Tanıtımı:
Mayıs 2007′de Çin′in Suzhou Industry Park′ında kurulan Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN), yüksek kaliteli Gallium Nitride (GAN) alt tabakalarını üretmek ve ilgili teknolojileri geliştirmek için çalışan yüksek teknoloji ürünü bir şirkettir.
NANOWIN′in temel avantajı GAN substratlarında ve büyüme teknolojilerinde temel patentlere sahip rakipsiz malzeme uzmanlığıdır. NANOWIN, yüksek güçlü LED, mavi LD ve yüksek güçlü elektronik/elektrikli cihazlardaki uygulamalar için uygun olan ekstra düşük yer değiştirme yoğunlukları olan standart ve özelleştirilmiş serbest duran GAN alt tabakalar ve kalın GAN/sapphire şablonları sunar. NANOWIN′in ana ürünleri 2, GAN kalınlığı 15 ila 90 mikron, kalınlığı yaklaşık 350 mikron olan 2 inç serbest duran GAN alt tabakalar ve 106 cm-2, küçük kare (yan uzunluğu 1~2 santimetre/1inç/1,8 inç) içinde GA yüz yer değiştirme yoğunluğu olan, serbest duran GAN alt tabakalar, GAN/GAN alt tabakalar (GAN alt tabakaları), GAN alt tabakalar, GAN alt tabakalar (GAN/GAN alt tabakalar) Yüksek kristalli GAN tozu ve AlN substratları (PSS). NANOWIN tarafından üretilen tüm GAN şablonları ve alt tabakalar üç kategori içerir: N tipi eğik, tam ve yarı yalıtımlı eğik.
Stratejik hedefimiz, önde gelen nitrür yarı iletken malzeme sağlayıcısı olmak ve nitrür yarı iletkenlerinin sektör uygulamalarında öncü olmaktır.
NANOWIN′in temel avantajı GAN substratlarında ve büyüme teknolojilerinde temel patentlere sahip rakipsiz malzeme uzmanlığıdır. NANOWIN, yüksek güçlü LED, mavi LD ve yüksek güçlü elektronik/elektrikli cihazlardaki uygulamalar için uygun olan ekstra düşük yer değiştirme yoğunlukları olan standart ve özelleştirilmiş serbest duran GAN alt tabakalar ve kalın GAN/sapphire şablonları sunar. NANOWIN′in ana ürünleri 2, GAN kalınlığı 15 ila 90 mikron, kalınlığı yaklaşık 350 mikron olan 2 inç serbest duran GAN alt tabakalar ve 106 cm-2, küçük kare (yan uzunluğu 1~2 santimetre/1inç/1,8 inç) içinde GA yüz yer değiştirme yoğunluğu olan, serbest duran GAN alt tabakalar, GAN/GAN alt tabakalar (GAN alt tabakaları), GAN alt tabakalar, GAN alt tabakalar (GAN/GAN alt tabakalar) Yüksek kristalli GAN tozu ve AlN substratları (PSS). NANOWIN tarafından üretilen tüm GAN şablonları ve alt tabakalar üç kategori içerir: N tipi eğik, tam ve yarı yalıtımlı eğik.
Stratejik hedefimiz, önde gelen nitrür yarı iletken malzeme sağlayıcısı olmak ve nitrür yarı iletkenlerinin sektör uygulamalarında öncü olmaktır.
