Yeni Orijinal - -220f 7A 680V N-Kanal MOSFET Transistör 7n65

• Certification: RoHS, CE, ISO, CCC, SGS
• Shape: GT
• Shielding Type: Remote Cut-Off Shielding Tube
• Cooling Method: Naturally Cooled Tube
• Function: High Back Pressure Transistor, Microwave Transistor, Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: Mosfet
• Structure: IGBT
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: by Sea, Packing
• Teknik Özelikler: T0-247, T0-3P, T0-220, T0-220F, T0-263
• Ticari Marka: ZG
• Menşei: Auhui Province, China
• HS Kodu: 8541100000
• Üretim Kapasitesi: 500000

Ürün Açıklaması

Parametre	Sembol		Değer	Birim
- Tahliye - Kaynak Voltajı	VDSS		650	V
Tahliye akımını sürdürür	KIMLIK	TC = 25 ºC	7 *	A
		TC = 100 ºC	4.0 *
(1) Plused (Erik) Boşaltma Akımı (not 1)	IDM		25	A
Giriş-Kaynak Voltajı	VGS		±30	V
( 2) Tek Atımlı çığ Enerjisi (not 2)	EAS		400	MJ
(1) Çığ Akımı (not 1)	IAR		7.0	A
(1) Tekrarlayan Avalanche Energy (not 1)	KULAK		14.5	MJ
(3) Tepe Diyotu Kurtarma (not 3)	dv/dt		4.5	V/ns (V/ns
Güç Dağılımı	PD TC = 25 ºC	ILA -220/ILA -262	147	G
		ILA -220F	48
Güç Dağılımı azalma Faktörü	PD (DF) 25°C'nin üzerinde	ILA -220/ILA -262	1.18	W/ºC (Cº
		ILA -220F	0.38
Çalışma ve Depolama Sıcaklığı Aralığı	TJ, TSTG		150, -55 ~ +150	ºC
Lehim için maksimum Sıcaklık	TL		300	ºC

ZG7N65, Zhongxin Micro-electronics'in tescilli ürünü kullanılarak üretilen bir N kanallı geliştirme modu MOSFET'idir. Kendinden hizalı düzlemsel süreç ve geliştirilmiş terminal teknolojisi iletim kaybını azaltır, anahtarlama performansını iyileştirir ve çığ enerjisini geliştirir. Transistör, daha yüksek verimlilik ve sistem küçültme için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılabilir.

Parametre	Sembol		Maks	Birim
Termal direnç, Bağlantı - Muhafaza	RTH (j-c)	ILA -220/ILA -262	0.85	G
		ILA -220F	2.6
Termal direnç, Ortam ile Bağlantı	RTH (j-A)	ILA -220/ILA -262	62.5	W/ºC (Cº
		ILA -220F	62.5

Kapalı - Özellikler
Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tip	Maks	Birim
- Tahliye - Kaynak çöküm Voltajı	BVDSS	ID = 250 ΜA, VGS = 0 V	650	-	-	V
Arıza gerilimi Sıcaklık  Katsayısı	BVDSS / J.J.K.	ID = 250 μA, 25 ºC olarak referans verilir	-	0.7	-	V/ºC
Sıfır kapı gerilimi Boşaltma Akımı	IDSS	VDS = 650V, VGS = 0V,  TC = 25ºC	-	-	1	ΜA
		VDS = 520V, TC = 125ºC	-	-	10
Kapı-gövde kaçak akımı,  ileri	IGSSF	VDS = 0 V, VGS = 30 V	-	-	100	Yok
Kapı-gövde kaçak akımı,  ters	IGSSR	VDS = 0 V, VGS =  -30 V	-	-	-100	Yok

Açık özellikler
Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tip	Maks	Birim
Kapı Eşiği Voltajı	VGS (TH)	VDS = VGS , KIMLIK = 250 ΜA	2.0	-	4.0	V
Statik tahliye - Kaynak  Açık direnci	RDS(ON)	VGS = 10 V, KIMLIK = 3,5A	-	1.2	1.5	Ω
İleri İletkenlik	gf'ler	VDS = 40 V, KIMLIK = 3,5A (NOTE4)	-	6.5	-	S

Dinamik Özellikler
Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tip	Maks	Birim
Giriş kapasitansı	CISS	VDS = 25 V,  VGS = 0 V,  F = 1,0 MHZ	-	960	1890	PF
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		-	95	178	PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		-	13	20	PF