4n60 MOSFET Orijinal Kalite Transistörleri - 220/220f/252/263

• Certification: RoHS, CE, ISO, CCC, SGS
• Shape: GT
• Shielding Type: Remote Cut-Off Shielding Tube
• Cooling Method: Naturally Cooled Tube
• Function: High Back Pressure Transistor, Microwave Transistor, Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: Mosfet
• Structure: IGBT
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: by Sea, Packing
• Teknik Özelikler: T0-247, T0-3P, T0-220, T0-220F, T0-263
• Ticari Marka: ZG
• Menşei: Auhui Province, China
• HS Kodu: 8541100000
• Üretim Kapasitesi: 500000

Ürün Açıklaması

 

ZG4N60N,,,,, ., .

ZG4N60, ZhongxinMicro-electronics'in tescilli ürünü ile üretilen bir N kanallı geliştirme modu MOSFET'idir. Kendinden hizalı düzlemsel süreç ve geliştirilmiş terminal teknolojisi iletim kaybını azaltır, anahtarlama performansını iyileştirir ve çığ enerjisini geliştirir. Transistör, daha yüksek verimlilik ve sistem küçültme için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılabilir.

 
TEMEL ÖZELLIKLER     
 

VDSS	600	V
KIMLIK	4.0	A
RDS(ON)	2.0	Ω
Çrş	8	PF

   MUTLAK MAKSIMUM DEĞERLER (TC = 25ºC)                     

 

Parametre	Sembol		Değer	Birim
- Tahliye - Kaynak Voltajı	VDSS		600	V
Tahliye akımına devam eder	KIMLIK	TC = 25 ºC	4 *	A
		TC = 100 ºC	2.5 *
(1) Plused Restrate Current (Erişimli tahliye Akımı) (not 1)	IDM		16	A
Giriş-Kaynak Voltajı	VGS		±30	V
( 2) Tek Atımlı çığ Enerjisi (not 2)	EAS		218	MJ
(1) Çığ Akımı (not 1)	IAR		4.0	A
(1) Tekrarlayan Avalanche Energy (not 1)	KULAK		10	MJ
(3) Tepe Diyotu Kurtarma (not 3)	dv/dt		4.5	V/ns
Güç Dağılımı	PD TC = 25 ºC	ILA -251/ILA -252	51	G
		ILA -220/ILA -262	100
		ILA -220F	33
Güç Dağılımı azalma Faktörü	PD (DF) 25°C'nin üzerinde	ILA -251/ILA -252	0.39	W/ºC (Cº
		ILA -220/ILA -262	0.8
		ILA -220F	0.26
Çalışma ve Depolama Sıcaklığı Aralığı	TJ, TSTG		150, -55 ~ +150	ºC
Lehim için maksimum Sıcaklık	TL		300	ºC

  TERMAL CHARACTERIASTIC                                                        
 

Parametre	Sembol		Maks	Birim
Termal direnç, Bağlantı - Muhafaza	RTH (j-c)	ILA -251/ILA -252	2.5	G
		ILA -220/ILA -262	1.25
		ILA -220F	3.79
Termal direnç, Ortam ile Bağlantı	RTH (j-A)	ILA -251/ILA -252	83	W/ºC (Cº
		ILA -220/ILA -262	62.5
		ILA -220F	62.5

*
* tahliye akımı maksimum bağlantı sıcaklığı ile sınırlanmıştır


   ELEKTRIKSEL ÖZELLIKLER                                                     
 

Kapalı - Özellikler
Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tip	Maks	Birim
- Tahliye - Kaynak çöküş Voltajı	BVDSS	ID = 250 ΜA, VGS = 0 V	600	-	-	V
Arıza gerilimi Sıcaklık  Katsayısı	BVDSS / J.J.DEN SONRA	ID = 250 μA, 25 ºC olarak referans verilir	-	0.7	-	V/ºC
Sıfır kapı gerilimi Boşaltma Akımı	IDSS	VDS = 600 V, VGS = 0 V,  TC = 25 ºC	-	-	1	ΜA
		VDS = 480 V, TC = 125 ºC	-	-	10
Kapı-gövde kaçak akımı,  ileri	IGSSF	VDS = 0 V, VGS = 30 V	-	-	100	Yok
Kapı-gövde kaçak akımı,  ters	IGSSR	VDS = 0 V, VGS =  -30 V	-	-	-100	Yok

 

Açık özellikler
Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tip	Maks	Birim
Kapı Eşiği Voltajı	VGS (TH)	VDS = VGS , KIMLIK = 250 ΜA	2.0	-	4.0	V
Statik tahliye - Kaynak  Açık direnci	RDS(ON)	VGS = 10 V, KIMLIK = 2,0 A	-	2.0	2.5	Ω
İleri İletim	gf'ler	VDS = 40 V, KIMLIK = 2,0 A (NOTE4)	-	4.0	-	S

 

Dinamik Özellikler
Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tip	Maks	Birim
Giriş kapasitansı	CISS	VDS = 25 V,  VGS = 0 V,  F = 1,0 MHZ	-	510	660	PF
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		-	54	70	PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrş		-	8	10	PF

 

Anahtarlama Özellikleri
Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tip	Maks	Birim
Açılma gecikme süresi	td (açık)	VDD = 300 V,  KIMLIK = 4A,  RG = 25 Ω (not 4,5)	-	16	42	ns
Açılma yükselme süresi	tr		-	48	112	ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		-	48	105	ns
Kapanma zamanı	tf		-	38	86	ns
Toplam kapı ücreti	SG	VDS = 480 V,  KIMLIK = 4 A, VGS = 10 V (not 4,5)	-	15	20	NC
Kapı - Kaynak ücreti	Qgs (QGS		-	2.8	-	NC
- Geçit - Boşaltma şarjı	Sgd		-	6.8	-	NC

 

-     Tahliye - Kaynak Diyot Özellikleri ve maksimum değerler
Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tip	Maks	Birim
Maksimum sürekli tahliye - Kaynak Diyot İleri Akımı	IS		-	-	4	A
Maksimum Atışlı tahliye - Kaynak  Diyot İleri Akımı	ISM		-	-	16	A
Tahliye - Kaynak Diyot İleri  Voltajı	VSD	VGS = 0 V, = 4 A	-	-	1.4	V
Geri güç toplama süresi	trr	VGS = 0 V, = 4 A DIF/dt = 100 A/μs (not 4)	-	320	-	ns
Ters toparlanma ücreti	Srr		-	2.4	-	ΜC

 :

1:
2:L = 25 MH, IAS = 4 A, VDD = 50 V, RG = 25 Ω, TJ = 25 ºC
3:ISD ≤4A, di/dt ≤300A/μs, VDD ≤BVDSS, TJ=25ºC
4: ≤300 μs, ≤%2
5:

Notlar:
1: Maksimum bağlantı sıcaklığı ile sınırlı darbe genişliği
2:L=25 MH, IAS=4A, VDD=50 V, RG=25 Ω, BAŞLANGIÇ TJ=25 ºC
3:ISD ≤4A, di/dt ≤300A/μs, VDD ≤BVDSS, Başlangıç TJ = 25ºC
4:Darbe Testi: Darbe Genişliği ≤300 μs, Görev Döngüsü ≤%2
5 : esas olarak çalışma sıcaklığından bağımsız

 

   ELEKTRIK ÖZELLIKLERI (eğriler)                              
    
1.                                   2.
Şek. 1 Durum Özellikleri                                                          Şek. 2 Aktarım Özellikleri

             3.                       4.
Şek. 3 bozulma gerilimi Değişkeni - Sıcaklık         Karşılaştırması Şek. 4 direnç Değişkeni ve Sıcaklık Karşılaştırması
 
                      5.                                                        6.
Şek. 5 Kapasitans Özellikleri                                      Şek. 6 kapı şarjı Özellikleri

         
7.                                  8.
Şek. 7 maksimum Güvenli Çalışma Alanı        Şek. 8 maksimum tahliye Akımı ve Muhafaza Sıcaklığı

9. (TO-251/TO-252)
Şek. 9 Geçici Termal Yanıt Eğrisi (TO-251 / TO-252)

      10. (TO-220/TO-262)
Şek. 10 Geçici Termal Yanıt Eğrisi (TO-220 / TO-262)

11. (ILA -220F)
Şek. 11 Geçici Termal Yanıt Eğrisi (TO-220F)

   TEST DEVRELERI VE DALGA ŞEKILLERI                                          

12.  
Şek. 12 dirençli Anahtarlama Test devresi ve Dalga şekilleri


13.  
Şek. 13 kapı Şarj Testi devresi ve Dalga Biçimi


14.  
Şek. 14 Sıkıştırılmamış İndüktif Anahtarlama Test devresi ve Dalga şekilleri


  TPACKAGE MEKANİK VERİLER                                             
ILA - 251

LOŞ	MILIMETRE	LOŞ	MILIMETRE
A	2.2 ± 0.5	H	1.8 ± 0.5
B	5.2 ± 0.25	I	0.8 ± 0.05
C	5.3 ± 0.25	J	0.508 ± 0.015
D	4.5 ± 0.5	K	2.3 ± 0.25
E	6.3 ± 0.25	L	0.5 ± 0.1
F	2.3 ± 0.05	M	0.508 ± 0.015
G	0.6 ± 0.05	N	7.5 ± 0.5

ILA - 252

LOŞ	MILIMETRE	LOŞ	MILIMETRE
A	2.2 ± 0.5	I	0.8 ± 0.05
B	5.2 ± 0.25	J	0.508 ± 0.015
C	5.3 ± 0.25	K	2.3 ± 0.25
D	4.5 ± 0.5	L	0.5 ± 0.1
E	6.3 ± 0.25	M	0.508 ± 0.015
F	2.3 ± 0.05	N	1.5 ± 0.25
G	0.6 ± 0.05	O	1.0 ± 0.25
H	0.7 ± 0.5

ILA - 262


 

LOŞ	MILIMETRE	LOŞ	MILIMETRE
A	4.70 ± 0.08	E1	7.85 ± 0.08
A1	2.75 ± 0.05	e	2.54 ± 0.05
C	0.38 ± 0.03	L	14.00 ± 0.08
C2	1.27 ± 0.03	L1	1.275 ± 0.05
D	8.40 ± 0.05	L2	3.75 ± 0.08
D1	6.55 ± 0.08	b	0.80 ± 0.05
E	10.15 ± 0.08	b2	1.22 ± 0.05

  Not                                                                                   

 

1. Performans açısından cihazın maksimum değerlerinin aşılması, cihazın zarar   görmesine  , hatta kalıcı arızaya neden olabilir ve bu da makinenin güvenilirliğini etkileyebilir. Cihazın maksimum derecesinin yüzde 80'inin altında kullanılması önerilir.
2. Isı emiciyi takarken      lütfen burulma  momentine  ve  ısı emicinin pürüzsüzlüğüne dikkat edin.
3. VDMOSFET'ler statik elektriğe duyarlı bir cihazdır  ve cihazı kullanırken statik elektrikten zarar görmesinin önlenmesi gerekir.
4. Bu yayın Zhongxin Microelectronics tarafından yapılmıştır ve önceden haber verilmeksizin düzenli olarak değiştirilebilir.
5.