• Aşınma direnci MOS Transistör IGBT Aln alüminyum Nitrür Termal Pedi Delikli Soğutma Pedi için Alt tabaka
  • Aşınma direnci MOS Transistör IGBT Aln alüminyum Nitrür Termal Pedi Delikli Soğutma Pedi için Alt tabaka
  • Aşınma direnci MOS Transistör IGBT Aln alüminyum Nitrür Termal Pedi Delikli Soğutma Pedi için Alt tabaka
  • Aşınma direnci MOS Transistör IGBT Aln alüminyum Nitrür Termal Pedi Delikli Soğutma Pedi için Alt tabaka
  • Aşınma direnci MOS Transistör IGBT Aln alüminyum Nitrür Termal Pedi Delikli Soğutma Pedi için Alt tabaka
  • Aşınma direnci MOS Transistör IGBT Aln alüminyum Nitrür Termal Pedi Delikli Soğutma Pedi için Alt tabaka

Aşınma direnci MOS Transistör IGBT Aln alüminyum Nitrür Termal Pedi Delikli Soğutma Pedi için Alt tabaka

Application: Industrial Ceramic
Type: Ceramic Plates
ses düzeyi direnci: 10(13) Ω`Cm
renk: gri
termal genleşme katsayısı: 4.8X10(-6)mm/ºC
termal iletkenlik: (25°c) 180 W/Mk

Tedarikçi ile İletişime Geçin

Üretici/Fabrika ve Ticaret Şirketi

360° Sanal Tur

Elmas Üye Fiyat 2024

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Fujian, Çin
İthalatçılar ve İhracatçılar
Tedarikçinin ithalat ve ihracat hakları vardır
Yılların İhracat Tecrübesi
Tedarikçinin ihracat tecrübesi 10 yıldan fazladır
Kendinden markalı
Tedarikçinin 1 Kendi markası var, daha fazla bilgi için Audit Report'i kontrol edin
Sergi Deneyimi
Tedarikçi çevrimdışı ticari fuarlara katılmıştır; daha fazla bilgi için Audit Report'i kontrol edebilirsiniz.
Doğrulanmış tüm güç etiketlerini (26) görmek için
  • Genel bakış
  • Ürün Açıklaması
  • Ürün Parametreleri
  • Ayrıntılı fotoğraflar
  • Şirket Profili
  • Sertifikalar
  • SSS
Genel bakış

Temel bilgiler.

su emilimi
0
i̇şleme hizmeti
kalıp
yoğunluk
>3.3G/Cm3
esnek mukavemet
>310MPa
yüzey pürüzlülüğü
Ra 0.3-0.5
erime noktası
2500
parça no
ila -3p
malzeme
Aluminum Nitrid
Teknik Özelikler
25mm*20mm*1mm
Ticari Marka
INNOVACERA
Menşei
Fujian, China

Ürün Açıklaması

Wear Resistance MOS Transistor IGBT Aln Aluminum Nitride Thermal Pad Substrate for Cooling Pad with Hole
Ürün Açıklaması

Alüminyum nitrür (AlN) seramik yüksek termal iletkenliğe (alüminyum seramik olarak 5-10 kez), düşük  dielektrik sabitine ve dağılım faktörüne sahiptir,

i̇yi yalıtım ve mükemmel mekanik özellikler, toksik olmayan,
yüksek termal direnç, kimyasal direnç ve doğrusal genleşme katsayısı

 
İletişim bileşenlerinde, yüksek güç LED'inde, güç elektroniği cihazlarında ve diğer  alanlarda yaygın olarak kullanılan si ile benzerdir.Özel özellikler

talep üzerine üretilebilir.



ÜRÜN PERFORMANSI

- Yüksek termal iletkenlik, yüksek fleLüks mukavemet, yüksek sıcaklık

- İyi elektrik yalıtımı

- Düşük dielektrik sabiti ve kaybı

Lazer delinebilir, metal ile kaplanamaz, kaplanamaz ve lemendirlebilir

Ürün Özellikleri

1.Tek tip mikroyapı

2.Yüksek termal iletkenlik * (70-180 WM-1K-1), işleme koşulları ve katkı maddeleri ile uyarlanır

3.Yüksek elektrik direnci

4.Silikon katsayısına yakın termal genleşme katsayısı

5.korozyon ve aşınmaya karşı direnç

6.mükemmel termal şok direnci

7.H2 ve CO2 atmosferlerinde 980°C'ye kadar kimyasal olarak stabil ve 1380°C'ye kadar havada (yüzey oksitlenmesi

780°C civarında meydana gelir; yüzey katmanı 1380°C'ye kadar olan şişkinliği korur).
Ürün Parametreleri
Özellikler
Özellikler
Birim
AN180 DH
AN200 DH
AN220 DH
Renk
 
Gri
Gri
Bej
Yoğunluk
g/cm3)
3.3
3.3
3.28
Termal kablo kanalı
(W/m.K)
20°C'de
180
200
220
Bükülme mukavemeti
(MPA
= 350
= 325
= 280
Yalıtım
(KV/mm)
31
27
27
Dielektrik
 
9
8.8
8.6
CTE (10-6)
 
4.8
4.6
4.5

Mevcut boyutlar ve İşleme özelliği
 
Bulunurluğu
Boyutlar (mm)
Makine ile İşleme özelliği
Boyutlar (mm)
Plaka
Φ350×30
Delik çapı
Φ0,03 veya daha fazla
Çubuk
Φ100×200
Delik derinliği
300 veya daha az
Oluk genişliği
0.05 veya daha fazla
Maks. Delik numarası
3,000 (yaklaşık)
Maks. Adım yüksekliği
30
Diş boyutu
M2 veya üzeri
 
 
Ayrıntılı fotoğraflar
 
 
Wear Resistance MOS Transistor IGBT Aln Aluminum Nitride Thermal Pad Substrate for Cooling Pad with Hole
 
 
Şirket Profili
 

Wear Resistance MOS Transistor IGBT Aln Aluminum Nitride Thermal Pad Substrate for Cooling Pad with Hole

 

Sertifikalar

 

Wear Resistance MOS Transistor IGBT Aln Aluminum Nitride Thermal Pad Substrate for Cooling Pad with Hole

 

SSS

S1. Örnek sunuyor musunuz?
Y: Evet, stoğumuz varsa size örnekler vereceğiz ancak bazıları numune ücreti tahsil edecektir. Nakliye ücreti müşteri tarafından ödenecektir.

S2. Ödeme şartlarınız nedir?
A: Önceden T/T, Western Union, Alipay, Paypal.

S3. Teslimat zamanınıza ne dersiniz?
A : Malzeme, boyut ve üretim prosesine göre imalatçı ihtiyacına bağlıdır.

S4. Teslimattan önce tüm mallarınızı test mi yapıyorsunuz?
Y: Evet, teslimattan önce %100 test var

S5: Başka hangi ürünleri sunuyorsunuz?
A: Alumina, zirkonya, Boron Nitride, Silikon Nitride, Makine ile üretilebilir Cam Seramik ve diğer gelişmiş malzemeler.

 
Wear Resistance MOS Transistor IGBT Aln Aluminum Nitride Thermal Pad Substrate for Cooling Pad with Hole
 
 
BANA GÖNDER
Ürünlerimizle ilgileniyorsanız lütfen buraya tıklayarak bana bir sorgu gönderin. 24 saat içinde size yanıt vereceğim
 
 

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

*İtibaren:
*Şuradan:
*Mesaj:

Lütfen 20 ila 4000 karakter arasında girin.

Aradığınız şey bu değil? Satın Alma talebini Şimdi Yayınla

Kategoriye Göre Benzer Ürünleri Bulun

Tedarikçi Ana Sayfası Ürünler Alüminyum Nitrür Seramik Aşınma direnci MOS Transistör IGBT Aln alüminyum Nitrür Termal Pedi Delikli Soğutma Pedi için Alt tabaka