• Güç Modülleri MOSFET′i için Innovacera Lazer Kesme Ain Seramik Alt tabakaları IGBT
  • Güç Modülleri MOSFET′i için Innovacera Lazer Kesme Ain Seramik Alt tabakaları IGBT
  • Güç Modülleri MOSFET′i için Innovacera Lazer Kesme Ain Seramik Alt tabakaları IGBT
  • Güç Modülleri MOSFET′i için Innovacera Lazer Kesme Ain Seramik Alt tabakaları IGBT
  • Güç Modülleri MOSFET′i için Innovacera Lazer Kesme Ain Seramik Alt tabakaları IGBT
  • Güç Modülleri MOSFET′i için Innovacera Lazer Kesme Ain Seramik Alt tabakaları IGBT

Güç Modülleri MOSFET′i için Innovacera Lazer Kesme Ain Seramik Alt tabakaları IGBT

Application: Aerospace, Electronics, Industrial Ceramic
Type: Ceramic Plates
yığın yoğunluğu: 3.30
vickers sertliği: 11 gpa
dielektrik sabiti: 9.0
termal genleşme katsayısı: 4.8

İletişim Tedarikçi

Üretici/Fabrika ve Ticaret Şirketi

360° Sanal Tur

Elmas Üye Fiyat 2024

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Fujian, Çin
Kendinden markalı
Tedarikçinin 1 Kendi markası var, daha fazla bilgi için Audit Report'i kontrol edin
Kalite Güvence/Kalite Kontrol Müfettişleri
Tedarikçinin 3 adet QA ve QC denetim personeli vardır
Ar-Ge Yetenekleri
Tedarikçinin 2 Ar-Ge mühendisi var, daha fazla bilgi için Audit Report'i kontrol edebilirsiniz.
Ürün sertifikası
Tedarikçinin ürünleri halihazırda aşağıdakiler de dahil olmak üzere ilgili sertifikasyon niteliklerine sahiptir:
CE
Doğrulanmış tüm güç etiketlerini (26) görmek için

Temel bilgiler.

Hayır. Modeli.
INC-170
renk
gri
yüzey pürüzlülüğü
0.3 um
bükülme mukavemeti
450 mpa
özel ısı
720
termal iletkenlik
180
Taşıma Paketi
1. Paper Box2. Carton Case with Foam
Ticari Marka
INNOVACERA
Menşei
Fujian, China
Üretim Kapasitesi
300000 Piece/Pieces Per Month

Ürün Açıklaması

Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT

 

 

Cilalı alüminyum Nitrür (ALN) Seramik Substrat

 

Alüminyum nitrür (AlN) seramik, yüksek termal iletkenliğe sahiptir (alümina seramik olarak 5-10 kez), düşük

 

dielektrik sabit ve dağılım faktörü, iyi yalıtım ve mükemmel mekanik özellikler, toksik olmayan,

 

Yüksek termal direnç, kimyasal direnç ve doğrusal genleşme katsayısı si ile benzerdir, yani

 

i̇letişim bileşenlerinde, yüksek güç led'inde, güç elektroniği cihazlarında ve diğer cihazlarda yaygın olarak kullanılır

 

Alanlar. Özel teknik özelliklere sahip ürünler talep üzerine üretilebilir.

 

 

ÜRÜN PERFORMANSI


- Yüksek termal iletkenlik, yüksek fleLüks mukavemet, yüksek sıcaklık


- İyi elektrik yalıtımı


- Düşük dielektrik sabiti ve kaybı


Lazer delinebilir, metal ile kaplanamaz, kaplanamaz ve lemendirlebilir

* çeşitli metal işleme seçenekleri mevcuttur (İnce film, kalın film, DBC, AMB, DPC, vb.)

 

 
AlN Substrat/Pah'ın Normal Boyutları
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Kalınlık (mm)
Uzunluk * Genişlik (mm)
 
 
 
 
 
 
 
 0.385
 
2 inç * 2 inç
50.8 * 50.8 mm
 
 
3] * 3
76.2 * 76,2 mm
 
 
4] * 4
101.6 * 101,6 mm
 
 
4.5] * 4.5
114.3 * 114,3 mm
 
 0.5
 
 
 
 
 
 
 
 
 0.635
 
 
 
 
 
 
 
 
 1.0
 
 
 
 
 
 
 
 
Çap (mm)
 
 
 
 
 
 
 
 
 1.0
Φ16
Φ19
Φ20
Φ26
Φ30
Φ35
Φ40
Φ45
Φ50
Φ52
Φ60
Φ75
Φ80
PS: Listelenmeyen diğer boyutlar, istekleriniz üzerine kullanılabilir.
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Alüminyum Nitrür Substratı/Plaka Malzeme Özellikleri
 
 
Özellik İçeriği
Özellik Dizini
Yoğunluk (g/cm³)
3.335
Termal Şoka karşı direnç
Çatlak yok
Termal iletkenlik (30, W/m.k)
≥ 170
Doğrusal genleşme katsayısı
(/, 5/dak, 20-300)
2.805×10
FleLüks mukavemet (MPa)
382.7
Hacim direnci (Ω.cm)
1.4 × 1014
Dielektrik sabiti (1 MHz)
8.56
Kimyasal dayanıklılık (mg/cm²)
0.97
Dielektrik dayanımı (KV/mm)
18.45
Yüzey pürüzlülüğü RA (μm)
0.3 ~ 0.5
Kamber (uzunluk >)
≤ 2
Görünüm/Renk
Yoğun/Koyu Gri
 
Not: Yukarıda açıklanan malzemelerin genel özellikleri, Innovacera tarafından zaman zaman numune miktarlarından gerçekleştirilen laboratuvar testinden elde edilmiştir. Üretim paylarının gerçek özellikleri değişiklik gösterebilir.
 
 
Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT

 

Ürün Özellikleri

 

1.Tek tip mikroyapı


2.Yüksek termal iletkenlik * (70-180 WM-1K-1), işleme koşulları ve katkı maddeleri ile uyarlanır


3.Yüksek elektrik direnci


4.Silikon katsayısına yakın termal genleşme katsayısı


5.korozyon ve aşınmaya karşı direnç


6.mükemmel termal şok direnci


7.H2 ve CO2 atmosferlerinde 980°C'ye kadar kimyasal olarak stabil ve 1380°C'ye kadar havada (yüzey oksitlenmesi

 

780°C civarında meydana gelir; yüzey katmanı 1380°C'ye kadar olan şişkinliği korur).

 

 

 
Uygulama
 
Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT
 
 
 
 
- RF/Mikrodalga Bileşenleri
- Güç Modülü
- Güç Transformatörleri
Yüksek güçlü LED Paketi
 
 
 
 
- Lazer Diyot Alt bağlantıları
LED Yonga Alt Montaj
- Mikroelektronik Paketler
- Transistörler
Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT
Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT

 

 

 

 

 

- Yüksek Termal İletkenlik Alt tabakları

 

LED ve Güç Elektroniği için

 

- Güç Elektroniği için Alt tabakalar

 

Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT
Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT
Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT
Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT
Innovacera Laser Cutting Ain Ceramic Substrates for Power Modules Mosfet IGBT
BANA GÖNDER
Ürünlerimizle ilgileniyorsanız lütfen buraya tıklayarak bana bir sorgu gönderin. 8 saat içinde size yanıt vereceğim

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

*İtibaren:
*Şuradan:
*Mesaj:

Lütfen 20 ila 4000 karakter arasında girin.

Aradığınız şey bu değil? Satın Alma talebini Şimdi Yayınla

Kategoriye Göre Benzer Ürünleri Bulun

Tedarikçi Ana Sayfası Ürünler Alüminyum Nitrür Seramik Güç Modülleri MOSFET′i için Innovacera Lazer Kesme Ain Seramik Alt tabakaları IGBT