700V 10A N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i F10n70 - -220f

• voltaj: 700 v
• geçerli: 10 a
• üretim teknolojisi: ayrık aygıt
• tip: n tipi yarı iletken
• malzeme: metal oksit yarı iletken
• paket: ila -220f
• Hayır. Modeli.: F10N70
• uygulama: güç anahtarlama devresi
• model: f10 n70
• parti numarası: 2022
• marka: g x d
• Taşıma Paketi: Tube
• Ticari Marka: WXDH
• Menşei: Wuxi, China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: 500000000 Pieces/Year

Ürün Açıklaması

PARAMETRE		SEMBOL	DEĞER		BIRIM
			10N70/I10N70/E10N70	F10N70
Maksimum Sürücü - Kaynak DC Voltajı		VDS	700		V
Maksimum Geçit - Boşaltma Voltajı		VGS	±30		V
Tahliye Akımı (sürekli)		KIMLIK (T=25 ºC)	10		A
		(T=100 ºC)	6.3		A
Tahliye Akımı (Darbeli)		IDM	40		A
Tek Nabız Avalanche Enerjisi		EAS	500		MJ
Tepe Diyotu Kurtarma dv/dt		dv/dt	5		V/ns (V/ns
Toplam Dağılma	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	G
	TC = 25 ºC	Ptot	130	40	G
Bağlantı sıcaklığı		TJ	150		ºC
Depolama sıcaklığı		Tstg	-55 ~ 150		ºC

 

Özellikler

Hızlı Anahtarlama

Düşük ON direnci (Rdson ≤ 1,1 Ω)

Düşük kapı şarjı (Tip: 32nC)

Düşük Geri Aktarma Kapasitansları (Tipik: 7 pF)

%100 Tek Atımlı Avalanche Enerji Testi

%100 ΔVDS Testi

Uygulamalar

Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.

Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

 

Ürün Özellikleri ve Ambalaj modelleri
Ürün Modeli	Paket Türü	İşaret Adı	RoHS	Paket	Miktar
10N70	ILA -220C	10N70	Pb içermez	Tüp	1000/kutu
F10N70	ILA -220F	F10N70	Pb içermez	Tüp	1000/kutu
I10N70	ILA - 262	I10N70	Pb içermez	Tüp	1000/kutu
E10N70	ILA - 263	E10N70	Pb içermez	Bant ve makara	800/kutu