50 A 30 V N-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET′i Dhb50n03 - -251b

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Metal-Oxide Semiconductor
• Type: P-type Semiconductor
• Package: to-251b
• Application: Power Switching,Converters, Full Bridge Control
• Model: Dhb50n03
• Hayır. Modeli.: DHB50N03
• Batch Number: 2022
• Brand: Wxdh
• voltaj: 30 v
• geçerli: 50 a
• Taşıma Paketi: Tube
• Ticari Marka: WXDH
• Menşei: Wuxi, China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: 500000000 Pieces/Year

Ürün Açıklaması

PARAMETRE		SEMBOL	DEĞER		BIRIM
Güç kaynağına Voltaj		VDSS	30		V
Giriş-Kaynak Voltajı		VGSS	±20		V
Tahliye Akımı (sürekli)		KIMLIK (T=25 ºC)	50		A
		(T=100 ºC)	35		A
Tahliye Akımı (Darbeli)		IDM	140		A
Tek Nabız Avalanche Enerjisi		EAS	140		MJ
Toplam Dağılma	Ta = 25 ºC	Ptot	1.15		G
	TC = 25 ºC	Ptot	60		G
Bağlantı sıcaklığı		TJ	-55 ~ 175		ºC
Depolama sıcaklığı		Tstg	-55 ~ 175		ºC

 

Özellikler

Düşük anahtarlama kaybı

Düşük ON direnci

Düşük Geri Aktarma Kapasitansları

%100 Tek Atımlı Avalanche Enerji Testi

%100 ΔVDS Testi

Düşük kapı yükü

Uygulamalar

Güç anahtarlama uygulamaları

DC-DC dönüştürücüler

Elektrikli aletler

Senkron Doğrultucu

İnvertör yönetim sistemi

 

Ürün Özellikleri ve Ambalaj modelleri
Ürün Modeli	Paket Türü	İşaret Adı	RoHS	Paket	Miktar
DHB50N03	ILA -251B	DHB50N03	Pb içermez	Bant	3000/kutu
DHD50N03	ILA -252B	DHD50N03	Pb içermez	MAKARA	5000/kutu