1200 V 600A 62 mm IGBT Modülü Dgb600h120L2 t

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Metal-Oxide Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: Module
• Application: Welding, UPS, Three-Leve Inverter
• Model: Dgb600h120L2t
• Hayır. Modeli.: DGB600H120L2T
• Batch Number: 2022
• Brand: Wxdh
• Taşıma Paketi: 62mm
• Ticari Marka: WXDH
• Menşei: Wuxi, China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: 500000000 Pieces/Year

Ürün Açıklaması

 
1 Açıklama

Bu Yalıtımlı Geçit Çift Kutuplu Transistör, gelişmiş kanal ve

Fieldstop teknolojisi tasarımı, mükemmel VCEsat ve anahtarlama sağlar

hız, düşük kapı şarjı. RoHS standardına uygun

Özellikler

FS kanalda Teknoloji, pozitif Sıcaklık
katsayı

Düşük doyma gerilimi: VCE(sat), tipik = 2,25 V
@IC=75A ve Tj=25°C

Son derece gelişmiş çığ kapasitesi

Uygulamalar

Kaynak

UPS (UPS

Üç Leyli İnvertör

AC ve DC servo sürücü amplifikatörü

 

Tip	VCE	IC	VCEsat, Tj=25 ºC	Şaka	Paket
DGB600H120L2T	1200 V	600A (Tj=100ºC)	1,7 V (Tipik)	175°C	62 MM

Elektriksel özellikler
5,1 Mutlak maksimum değerler (IGBT) (TC = 25 ºC, aksi belirtilmedikçe)

PARAMETRE			SEMBOL	DEĞER		BIRIM
Kollektör-Emitör Voltajı			VCE	1200		V
Kapıdan Emitör gerilimine			VGE	±20		V
DC Kolektör akımı			IC  Tj = 100 ºC	600		A
Darbeli Toplayıcı Akımı #1			ICM	1200		A

 

5.2 Mutlak maksimum değerler (Diyot) (TC = 25 ºC, aksi belirtilmedikçe)

PARAMETRE			SEMBOL	DEĞER		BIRIM
Tepe tekrar eden Ters Gerilim			VRRM	1200		V
DC Engelleme Voltajı			VR	1200		V
Ortalama düzeltilmiş İleri Akım			EĞER (AV)	600		A
Tekrarlanan Tepe Akım			IFRM	1200		A

5.53 IGBT Modülü

PARAMETRE			SEMBOL	DEĞER		BIRIM
Bağlantı Sıcaklığı Aralığı			Tjmax	-45 ~ 175		ºC
Bağlantı sıcaklığının çalıştırılması			Şaka	-45 ~ 150		ºC
Depolama Sıcaklığı Aralığı			Tstg	-45 ~ 120		ºC
Yalıtım gerilimi RMS, f=50 Hz, t=1 dak			VISO	4000		A

5,4Termal Özellikler (IGBT Modülü)

PARAMETRE						SEMBOL	DEĞER		BIRIM
Termal dirençli Bağlantı - Muhafaza						IGBT RthJC	0.054		ºC/W
						Diyot RthJC	0.08		ºC/W