1 Açıklama
Bu Yalıtımlı Geçit Çift Kutuplu Transistör, gelişmiş kanal ve
Fieldstop teknolojisi tasarımı, mükemmel VCEsat ve anahtarlama sağlar
hız, düşük kapı şarjı. RoHS standardına uygundur.
| Özellikler |
FS kanalda Teknoloji, pozitif Sıcaklık
katsayı |
Düşük doyma gerilimi: VCE(sat), tipik = 1,9V
@IC=100A ve Tj=25°C |
| Son derece gelişmiş çığ kapasitesi |
| Uygulamalar |
| Kaynak |
| UPS (UPS |
| Üç Leyli İnvertör |
| AC - DC Dönüştürücüler |
| AC ve DC servo sürücü amplifikatörü |
| Tip |
VCE |
IC |
VCEsat, Tj=25 ºC |
Şaka |
Paket |
| DGA100H120M2T |
1200 V |
100 A (Tj=100 ºC) |
1,9V (Tipik) |
175°C |
34 MM |
Elektriksel özellikler
5,1 Mutlak maksimum değerler (IGBT) (TC = 25 ºC, aksi belirtilmedikçe)
| PARAMETRE |
SEMBOL |
DEĞER |
BIRIM |
| |
|
|
| Kollektör-Emitör Voltajı |
VCE |
1200 |
V |
| Kapıdan Emitör gerilimine |
VGE |
±30 |
V |
| DC Kolektör akımı |
IC Tj = 25 ºC |
200 |
A |
| TJ = 100 ºC |
100 |
A |
| Darbeli Toplayıcı Akımı #1 |
ICM |
800 |
A |
5.2 Mutlak maksimum değerler (Diyot) (TC = 25 ºC, aksi belirtilmedikçe)
| PARAMETRE |
SEMBOL |
DEĞER |
BIRIM |
| |
|
|
| Tepe tekrar eden Ters Gerilim |
VRRM |
1200 |
V |
| DC Engelleme Voltajı |
VR |
1200 |
V |
| Ortalama düzeltilmiş İleri Akım |
EĞER (AV) |
100 |
A |
| Tekrarlanan Tepe Akım |
IFRM |
200 |
A |
| Tekrarsız Tepe Ani Akım (tek)/tp = 1,0 ms |
IFSM |
600 |
A |
5.53 IGBT Modülü
| PARAMETRE |
SEMBOL |
DEĞER |
BIRIM |
| |
|
|
| Bağlantı Sıcaklığı Aralığı |
Tjmax |
-45 ~ 175 |
ºC |
| Bağlantı sıcaklığının çalıştırılması |
Şaka |
-45 ~ 150 |
ºC |
| Depolama Sıcaklığı Aralığı |
Tstg |
-45 ~ 150 |
ºC |
| Yalıtım gerilimi RMS, f=50 Hz, t=1 dak |
VISO |
4000 |
A |
5,4Termal Özellikler (IGBT Modülü)
| PARAMETRE |
SEMBOL |
DEĞER |
BIRIM |
| |
| Termal dirençli Bağlantı - Muhafaza |
IGBT RthJC |
0.28 |
ºC/W |
| Diyot RthJC |
0.40 |
ºC/W |
Denetlenen Tedarikçi 
