TK10A80E, S4X MOSFET N-CH 800 V 10 A TO220SIS

• shape: Flat
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• MFG.: toshiba
• d/c: 22+
• Hayır. Modeli.: TK10A80E,S4X
• paket: TO-220SIS
• kalite: orijinal yeni orijinal
• Taşıma Paketi: Box
• Menşei: China
• HS Kodu: 8542399000
• Üretim Kapasitesi: 1000000PCS

Ürün Açıklaması

Açıklama

TK10A80E, S4X: N-Kanal 800 V 10 A (ta) 50 W (TC) Delikten -220SIS'E

Mfr. Parça No:  TK10A80E, S4X

Mfr.: TOSHIBA

Veri sayfası:  (PDF dosyası için e-posta veya sohbet)

ROHS Durumu:  

Kalite: %100 Orijinal

Garanti: BIR YIL

 

Ürün Durumu	Etkin
FET Türü	N-Kanal
Teknoloji	MOSFET (Metal Oksit)
Kaynak voltaja (Vdss) tahliye	800 V
Akım - 25°C'de sürekli tahliye (ID	10 A (ta)
Sürücü Voltajı (Maks. RDS AÇIK, Min. RDS AÇIK)	10 V
RDS Açık (Maks.)@Kimlik, Vgs	5 A, 10 V'de 1 Ohm
Vgs (TH) (Maks.)@ID	1 mA'da 4 V
Kapı şarjı (QG) (Maks.) @ Vgs	10 V'de 46 nC
Vgs (Maks.)	±30 V
Girdi Kapasitansı (CISS) (Maks.) @ VdS	25 V'de 2000 pF
FET özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	50 W (TC)
Çalışma sıcaklığı	150°C (TJ)
Montaj Tipi	Delik İçinden
Tedarikçi Cihaz Paketi	ILA -220SIS
Paket/Kutu	TO-220-3 Tam Paket
Temel Ürün Numarası	TK10A80

Uygulamalar • Anahtarlama gerilimi Regülatörleri

Özellikler (1) Düşük güç kaynağı ON direnci: RDS(ON) = 0.7 Ω (tipik) (2) Düşük kaçak akım: IDSS = 10 µA (maks.) (VDS = 640 V) (3) Geliştirme modu: Vth = 2.5 - 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 

 

Neden bizi seçiyorsunuz

• Çin'in elektronik pazar merkezi Shenzhen'de yer alır.
• %100 garanti bileşenleri kalitesi: Orijinal.
• Acil talebinize göre yeterli stok.
• Gelişmiş iş arkadaşları, riskleri azaltmak için sorunları çözmenize yardımcı olur talep üzerine üretim ile
• Daha hızlı nakliye: Stokta bulunan bileşenler aynı gün teslim olabilir.
• 24 saat servis  

 

UYARI:

1. Ürün resimleri yalnızca referans amaçlıdır.
2.  Daha iyi bir fiyat için başvurmak üzere satış temsilcisiyle iletişime geçebilirsiniz.
3.  Daha fazla ürün için lütfen Satış ekibimizle iletişime geçmekten çekinmeyin.