SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20 V 3,1A SOT23-3

• shape: Flat
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• MFG.: VISHAY
• d/c: 22+
• Hayır. Modeli.: SI2301CDS-T1-GE3
• paket: sot-23
• kalite: orijinal yeni orijinal
• Taşıma Paketi: Box
• Menşei: China
• HS Kodu: 8542399000
• Üretim Kapasitesi: 1000000PCS

Ürün Açıklaması

Açıklama

SI2301CDS-T1-GE3: P-Kanal 20 V 3,1A (TC) 860mW (ta), 1,6W (TC) yüzeye monte SOT-23-3 (TO-236)

Mfr. PARÇA NO.: SI2301CDS-T1-GE3

Mfr.: VISHAY

Veri sayfası:  (PDF dosyası için e-posta veya sohbet)

ROHS Durumu:  

Kalite: %100 Orijinal

Garanti: BIR YIL
 

Ürün Durumu	Etkin
FET Türü	P Kanalı
Teknoloji	MOSFET (Metal Oksit)
Kaynak voltaja (Vdss) tahliye	20 V
Akım - 25°C'de sürekli tahliye (ID	3,1A (TC)
Sürücü Voltajı (Maks. RDS AÇIK, Min. RDS AÇIK)	2,5V, 4,5V
RDS Açık (Maks.)@Kimlik, Vgs	2,8A'da 112 mOhm, 4,5V
Vgs (TH) (Maks.)@ID	250 µA'da 1 V
Kapı şarjı (QG) (Maks.) @ Vgs	4.5 V'de 10 nC
Vgs (Maks.)	±8 V
Girdi Kapasitansı (CISS) (Maks.) @ VdS	10 V'de 405 pF
FET özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	860 mW (ta), 1,6 W (TC)
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj Tipi	Yüzeye monte
Tedarikçi Cihaz Paketi	SOT-23-3 (ILA -236)
Paket/Kutu	ILA -236-3, SC-59, SOT-23-3
Temel Ürün Numarası	SI2301

ÖZELLIKLER • IEC 61249-2-21 tanımına göre halojensiz • TrenchFET ® Güç MOSFET'i • RoHS Yönergesi 2002/95/EC ile uyumludur


UYGULAMALAR • Yük Anahtarı

 

 

Neden bizi seçiyorsunuz

• Çin'in elektronik pazar merkezi Shenzhen'de yer alır.
• %100 garanti bileşenleri kalitesi: Orijinal.
• Acil talebinize göre yeterli stok.
• Gelişmiş iş arkadaşları, riskleri azaltmak için sorunları çözmenize yardımcı olur talep üzerine üretim ile
• Daha hızlı nakliye: Stokta bulunan bileşenler aynı gün teslim olabilir.
• 24 saat servis  

 

UYARI:

1. Ürün resimleri yalnızca referans amaçlıdır.
2.  Daha iyi bir fiyat için başvurmak üzere satış temsilcisiyle iletişime geçebilirsiniz.
3.  Daha fazla ürün için lütfen Satış ekibimizle iletişime geçmekten çekinmeyin.