shape: | hqfp64 |
---|---|
Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
MFG.: | yarı |
d/c: | 22+ |
Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler
FDS4435BZ: P-Kanal 30 V 8.8A (ta) 2,5W (ta) yüzeye monte 8-SOIC
Mfr. Parça No: FDS4435BZ
Mfr.: ONSEMI
Veri sayfası: (PDF dosyası için e-posta veya sohbet)
ROHS Durumu:
Kalite: %100 Orijinal
Garanti: BIR YIL
Ürün Durumu
|
Etkin
|
|
FET Türü
|
P Kanalı
|
|
Teknoloji
|
MOSFET (Metal Oksit)
|
|
Kaynak voltaja (Vdss) tahliye
|
30 V
|
|
Akım - 25°C'de sürekli tahliye (ID
|
8,8A (ta)
|
|
Sürücü Voltajı (Maks. RDS AÇIK, Min. RDS AÇIK)
|
4,5V, 10V
|
|
RDS Açık (Maks.)@Kimlik, Vgs
|
8,8A'da 20 mOhm, 10 V
|
|
Vgs (TH) (Maks.)@ID
|
250 µA'da 3 V
|
|
Kapı şarjı (QG) (Maks.) @ Vgs
|
10 V'de 40 nC
|
|
Vgs (Maks.)
|
±25 V
|
|
Girdi Kapasitansı (CISS) (Maks.) @ VdS
|
15 V'de 1845 pF
|
|
FET özelliği
|
-
|
|
Güç Dağılımı (Maks.)
|
2,5W (ta)
|
|
Çalışma sıcaklığı
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
Montaj Tipi
|
Yüzeye monte
|
|
Tedarikçi Cihaz Paketi
|
8-SOIC
|
|
Paket/Kutu
|
8-SOIC (0.154 inç, 3,90 mm Genişlik)
|
|
Temel Ürün Numarası
|
FDS4435
|
Bu P-Kanal MOSFET'i, Semiconductor'ın açık durum direncini en aza indirgemek için özel olarak tasarlanmış gelişmiş POWERTRENCH işlemi kullanılarak üretilir. Bu aygıt, Dizüstü bilgisayarlarda ve Taşınabilir Pil Paketlerinde yaygın olarak kullanılan Güç Yönetimi ve yük anahtarlama uygulamaları için çok uygundur.
UYARI: