Ana sayfa  Ürün Rehberi  Elektrik ve Elektronik  Entegre Devre

IGBT Modülü 3300V 1500A 1′ü bir arada - Yüksek güçlü Dönüştürücüler

Referans FOB Fiyatı:	$1.500,00-3.000,00 / Parça
Minimum Sipariş:	1 Parça

Minimum Sipariş	Referans FOB Fiyatı
1 Parça	$1.500,00-3.000,00

Liman:	Guangzhou, China
Üretim Kapasitesi:	1000PCS/Year
Ödeme Koşulları:	T/T

Şimdi İletişime geçin

Benzer ürünleri bul IGBT Modülü 3300V 1500A 1′ü bir arada - Yüksek güçlü Dönüştürücüler

Benzer ürünler

Yükleniyor...





Beğenebilir

Yükleniyor...





Ürün Açıklaması

Şirket Bilgileri

Adres: Building 3, Yiyun Land Centre, No. 26 Guilan North Rd, Nanhai District, Foshan City, Guangzhou, Guangdong, China

İşletme Türü: Üretici/Fabrika, Ticari Şirket, Diğer

İşletme Aralığı: Elektrik ve Elektronik

Yönetim Sistemi Sertifikasyonu: ISO 9001, ISO 14001

Ana Ürünler: Silikon plakalar, Entegre Devre (IC), ayrı Cihazlar, CZ, Epi, Soi, SIC, Gaa'lar, Safir, Hedef malzemeler

Şirket Tanıtımı: Guangzhou şehrinde bulunan global yarı iletken malzeme ve IC′ler tedarikçisi PlutoSemi Co., Ltd, müşterilerine yarı iletken malzeme çözümleri, küresel yarı iletken şirketler ve araştırma kurumları için hizmetler sağlamayı taahhüt etmektedir.

Entegre bir Yarı İletken şirketi olarak, geniş kapsamlı ve olağanüstü ürünleri garanti etmek için birçok küresel tesis ile işbirliği yapıyoruz.

Hızlı ve rekabetçi bir şekilde hareket ediyoruz.

Genellikle FZ silikon yonga plakaları ve külçeler, CZ silikon yonga plakaları ve külçeler, EPI yonga plakaları, SOI yonga plakaları, PVD hedef malzemeleri, monokristal germanium yonga plakaları, sapphire plakası, silikon karbür plaka, galyum arsenit, indiyum fosfor, galyum nitrür ve diğer yarı iletken malzemeler.

Deneyimli personelimiz size zamanında ve güvenilir hizmetler sunmaya hazırdır, bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

Güvenilirlik, temel taştır! Yaşam kalitesi! Yenilik, itici güç!

Once receive your question, the supplier will answer you as soon as possible.

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

En Çok Arananlar

Daha Fazla

Sembol	Açıklama	Değer	Birim
VCES	Kolektör - Emitör Voltajı	3300	V
VGES	Kapı - Emitör Voltajı	±20	V
IC	TC = 25°C'de Kollektör Akımı @TC = 100°C	3000 1500	A
ICM	Darbeli Toplayıcı Akımı tp = 1 ms	3000	A
PD	Tj = 150°C'de maksimum Güç kaybı	17.65	KW

Sembol	Açıklama	Değer	Birim
VRRM	Tekrarlanan Tepe Ters Gerilim	3300	V
EĞER	Diyot sürekli İleri Akım	1500	A
IFM	Diyot maksimum İleri Akım tp = 1 ms	3000	A

Sembol	Açıklama	Değer	Birim
Tjmax	Maksimum Bağlantı Sıcaklığı	175	°C
Şaka	Bağlantı sıcaklığının çalıştırılması	-40 ila +150	°C
TSTG (TST	Depolama Sıcaklığı Aralığı	-40 ila +125	°C
VISO	Yalıtım gerilimi RMS, f=50 Hz, t=1 dak	6000	V
VISO	Kısmi Boşalma Tazmma Voltajı IEC1287, RMS, f=50 Hz, QPD ≤10 adet	2600	V

Sembol	Parametre	Test Koşulları	Min.	Tipik	Maks.	Birim
VCE(sat)	Tahsildar - Emitör Doygunluk gerilimi	IC= 1500A, VGE=15V, TJ=25°C		2.50	2.90	V
		IC= 1500A, VGE=15V, TJ=125°C		3.10
		IC= 1500A, VGE=15V, TJ=150°C		3.25
VGE (TH)	Kapı - Emitör Eşik Voltajı	IC = 240 mA, VCE = VGE, Tj = 25°C	5.0		7.0	V
ICES	Toplayıcı Kesme Geçerli	VCE = VCES, VGE = 0 V, TJ = 25°C			5.0	MA
IGES	Kapı - Emitör kaçak Akımı	VGE = VGES, VCE = 0 V, TJ = 25°C			500	Yok
Kon	İç kapı direnci			0.6		Ω
Turlar	Giriş Kapasitansı	VCE = 25 V, f = 1 MHz, VGE = 0 V		151		NF
Cres (Çler	Ters Aktarım Kapasitans	VCE = 25 V, f = 1 MHz, VGE = 0 V		3.85		NF
SG	Kapı ücreti	VCE = 1800 V, VGE = - 15… + 15 V		11.0		ΜC
td (açık)	Açma Gecikme Süresi	VCC= 1800V, IC= 1500A, RGon = 1,0 Ω, RGoff = 1,5 Ω, CGE = 330nF, VGE = ±15 V, TJ = 25°C		600		ns
tr	Yükselme Süresi			240		ns
td (kapalı)	Kapatma Gecikmesi Süresi			1600		ns
tf	Düşme süresi			390		ns
EON (EON	Açma Anahtarı Kayıp			1600		MJ
Ekin	Kapatma Kayıp			2100		MJ
td (açık)	Açma Gecikme Süresi	VCC=1800V, IC=1500A, RGon = 1,0 Ω, RGoff = 1,5 Ω, CGE = 330nF, VGE = ±15 V, TJ = 125°C		610		ns
tr	Yükselme Süresi			270		ns
td (kapalı)	Kapatma Gecikmesi Süresi			1760		ns
tf	Düşme süresi			445		ns
EON (EON	Açma Anahtarı Kayıp			2150		MJ
Ekin	Kapatma Kayıp			2800		MJ
td (açık)	Açma Gecikme Süresi	VCC=1800V, IC=1500A, RGon = 1,0 Ω, RGoff = 1,5 Ω, CGE = 330nF, VGE = ±15 V, TJ = 150°C		610		ns
tr	Yükselme Süresi			280		ns
td (kapalı)	Kapatma Gecikmesi Süresi			1800		ns
tf	Düşme süresi			470		ns
EON (EON	Açma Anahtarı Kayıp			2350		MJ
Ekin	Kapatma Kayıp			3000		MJ
ISC	SC Verileri	TP ≤10 μs, VGE = 15 V, TJ = 150oC, VCC = 2500 V, VCEM ≤ 3300 V		6400		A

Sembol	Parametre	Test Koşulları	Min.	Tipik	Maks.	Birim
VF	Diyot İleri Voltaj	EĞER = 1500A, VGE = 0V, TJ = 25°C ISE		2.05	2.50	V
		EĞER = 1500A, VGE = 0V, TJ = 125°C ISE		2.25
		EĞER = 1500A, VGE = 0V, TJ = 150°C ISE		2.20
QR	Kurtarılan ücret	VR = 1800V, IF= 1500A, Di/dt = 6000 A/μs, CGE = 330 nF, VGE = - 15 V, Tj = 25°C		950		ΜC
IRM	Tepe Ters Kurtarma Akımı			1700		A
Erec (yeniden	Geri Kazanım Enerjisi			1150		MJ
QR	Kurtarılan ücret	VR = 1800V, IF= 1500A, Di/dt = 6000 A/μs, CGE = 330 nF, VGE = - 15 V, Tj = 125°C		1550		ΜC
IRM	Tepe Ters Kurtarma Akımı			1850		A
Erec (yeniden	Geri Kazanım Enerjisi			1900		MJ
QR	Kurtarılan ücret	VR = 1800V, IF= 1500A, Di/dt = 6000 A/μs, CGE = 330 nF, VGE = - 15 V, Tj = 150°C		1800		ΜC
IRM	Tepe Ters Kurtarma Akımı			1900		A
Erec (yeniden	Geri Kazanım Enerjisi			2250		MJ

IGBT Modülü 3300V 1500A 1′ü bir arada - Yüksek güçlü Dönüştürücüler

Benzer ürünler

Beğenebilir

Ürün Açıklaması

Şirket Bilgileri

Temel bilgiler.

Ürün Açıklaması

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

En Çok Arananlar

Önerilen Tedarikçiler ve Toptancılar

İlgili Kategoriler

Sembol	Parametre	Min.	Tipik	Maks.	Birim
LCE	Kaçak İndüktans		6		NH
RCC '+EE'	Modül Bağlantı ucu direnci, Bağlantı ucu - Yonga		0.12		MΩ
Rçok JC	Bağlantı - Kutu (IGBT başına) Bağlantı - Kutu (Diyot başına)			8.50 17.0	K/kW
RsCS	Çanta-lavabo (IGBT başına) Çanta-lavabo (Diyot başına)		9.00 18.0		K/kW
RsCS	Çanta - lavabo		6.0		K/kW
M	Terminal bağlantı torku, vida M4 Terminal bağlantı torku, vida M8 Montaj torku, vida M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.m
G	Modül Ağırlığı		1200		g