Temel bilgiler.
Hayır. Modeli.
WM1A045170K
Ürün Açıklaması
Ürün Açıklaması
Not: Eksiksiz veri sayfası ve profesyonel teknik destek almak için bizimle iletişime geçmekte çekinmeyin! Özellikler
Düşük ON dirençli Yüksek Engelleme gerilimi
Düşük Kapasitanslı Yüksek Hızlı Anahtarlama
Paralel ve kolay Sürüş
Avantajlar
Daha Yüksek Sistem verimliliği
Azaltılmış Soğutma Gereksinimleri
Daha fazla Güç Yoğunluğu
Artırılmış Sistem Anahtarlama Frekansı
Uygulamalar
Güneş Enerjisi İnvertör
Yüksek Voltajlı DC/DC Dönüştürücüler
Motor Tahrikleri
Anahtar Modu Güç Kaynakları
Darbeli Güç Uygulamaları
Parça Numarası | VDS (V) | 25 Cº'DE KIMLIK (A) | RDS(ON) (mΩ) | Paket |
WM1A045170K | 1700 V | 72A | 45 mΩ | ILA - 247-3 |
Maksimum değerler (aksi belirtilmedikçe TC = 25 ˚C) Sembol | Parametre | Değer | Birim | Test Koşulları | Not |
VDSmaks | Tahliye - Kaynak Voltajı | 1700 | V | VGS = 0 V, KIMLIK = 100 ΜA | |
VGSmaks | Kapı - Kaynak Voltajı | -10/+25 | V | Mutlak maksimum değerler | |
VGSop | Kapı - Kaynak Voltajı | -5/+20 | V | Önerilen çalışma değerleri | |
KIMLIK | Sürekli tahliye Akımı | 72 | A | VGS = 20 V, TC = 25 ºC | |
48 | | VGS = 20 V, TC = 100 ºC | |
Kimlik (darbe) | Darbeli tahliye Akımı | 160 | A | Nabız genişliği tp , TJmax ile sınırlıdır | |
PD | Güç Dağılımı | 520 | G | TC = 25 ºC, TJ = 150 ºC | |
TJ, TSTG | Bağlantı ve Depolama sıcaklığının çalıştırılması | -55 ila +150 | ºC | | |
Elektriksel özellikler Sembol | Parametre | Min. | Tipik | Maks. | Birim | Test Koşulları | Not |
V (BR) DSS | Tahliye - Kaynak çöküm Voltajı | 1700 | / | / | V | VGS = 0 V, KIMLIK = 100 ΜA | |
VGS (TH) | Kapı Eşiği Voltajı | 2.0 | 2.6 | 4.0 | V | VDS = VGS, KIMLIK = 18 MA | Şek. 11 |
/ | 1.8 | / | | VDS = VGS, KIMLIK = 18 MA, TJ = 150 ºC | |
IDSS | Sıfır kapı gerilimi Boşaltma Akımı | / | 1 | 100 | ΜA | VDS = 1700 V, VGS = 0 V | |
IGSS+ | Kapı - Kaynak sızıntı Akımı | / | 10 | 250 | Yok | VDS = 0 V, VGS = 25 V | |
IGSS- | Kapı - Kaynak sızıntı Akımı | / | 10 | 250 | Yok | VDS = 0 V, VGS = -10 V | |
RDS(ON) | Tahliye - Kaynak Açık Durumu direnci | / | 45 | 70 | MΩ | VGS = 20 V, KIMLIK = 50 A | |
/ | 90 | / | | VGS = 20 V, KIMLIK = 50 A, TJ = 150 ºC | |
gf'ler | Geçiş | / | 25.8 | / | S | VDS = 20 V, KIMLIK = 50 A | Şek. 4,5,6 |
/ | 27.0 | / | | VDS = 20 V, KIMLIK = 50 A, TJ = 150 ºC | |
CISS | Giriş Kapasitansı | / | 3550 | / | PF | VGS = 0 V VDS = 1000 V f = 1 MHz VAC = 25 mV | Şek. 15,16 |
Coss (Coss | Çıkış Kapasitansı | / | 165 | / | | | |
Çrrrss | Ters Aktarım Kapasitansı | / | 6.1 | / | | | |
Eoss (Eyosun | Coss depolanmış Enerji | / | 101 | / | ΜJ | | |
EON (EON | Açma Anahtarlama Enerjisi | / | 3.1 | / | MJ | VDS = 1200 V, VGS = -5 V / 20 V ID = 30A, RG (ext) = 2,5 Ω, L = 100 μH | |
KAPALI | Enerjiyi Kapatma | / | 1.1 | / | | | |
td (açık) | Açma Gecikme Süresi | / | 27 | / | ns | VDS = 1200 V, VGS = -5 V / 20 V, KIMLIK = 30 A RG (EXT) = 2,5 Ω, RL = 20 Ω | |
tr | Yükselme Süresi | / | 32 | / | | | |
td (kapalı) | Kapatma Gecikmesi Süresi | / | 36 | / | | | |
tf | Düşme süresi | / | 10 | / | | | |
RG (iç) | İç kapı direnci | / | 2.6 | / | Ω | f = 1 MHz, VAC = 25 mV | |
SGS | Kaynak ücrete Geçit | / | 54 | / | NC | VDS = 1200 V VGS = -5V/20V KIMLIK = 50 A | |
QGD | Şarjını boşaltmak için kapı | / | 25 | / | | | |
SG | Toplam kapı ücreti | / | 193 | / | | | |
Ters Diyot Özellikleri
Sembol | Parametre | Tipik | Maks. | Birim | Test Koşulları | Not |
VSD | Diyot İleri gerilimi | 4.5 | / | V | VGS = -5V, ISD = 25A | Şek. 8,9,10 |
4.2 | / | | VGS = -5V, ISD = 25A, TJ = 150ºC | |
VAR | Sürekli Diyot İleri Akımı | / | 72 | A | TC = 25 ºC | |
trr | Geri Kazanma Süresi | 55 | / | ns | VR = 1200 V, ISD = 50 A | |
Srr | Geri Kazanım ücreti | 220 | / | NC | | |
Irrm | Tepe Ters Mal Alma Akımı | 6.7 | / | A | | |
Termal özellikler Sembol | Parametre | Tipik | Maks. | Birim | Test Koşulları | Not |
Rçok JC | Bağlantı noktasından Kutu'ya Termal direnç | 0.24 | / | ºC/W | | |
Rko | Bağlantı noktasından Ortam'a Termal direnç | / | 40 | | |
Adres:
Building 3, Yiyun Land Centre, No. 26 Guilan North Rd, Nanhai District, Foshan City, Guangzhou, Guangdong, China
İşletme Türü:
Üretici/Fabrika, Ticari Şirket, Diğer
İşletme Aralığı:
Elektrik ve Elektronik
Yönetim Sistemi Sertifikasyonu:
ISO 9001, ISO 14001
Şirket Tanıtımı:
Guangzhou şehrinde bulunan global yarı iletken malzeme ve IC′ler tedarikçisi PlutoSemi Co., Ltd, müşterilerine yarı iletken malzeme çözümleri, küresel yarı iletken şirketler ve araştırma kurumları için hizmetler sağlamayı taahhüt etmektedir.
Entegre bir Yarı İletken şirketi olarak, geniş kapsamlı ve olağanüstü ürünleri garanti etmek için birçok küresel tesis ile işbirliği yapıyoruz.
Hızlı ve rekabetçi bir şekilde hareket ediyoruz.
Genellikle FZ silikon yonga plakaları ve külçeler, CZ silikon yonga plakaları ve külçeler, EPI yonga plakaları, SOI yonga plakaları, PVD hedef malzemeleri, monokristal germanium yonga plakaları, sapphire plakası, silikon karbür plaka, galyum arsenit, indiyum fosfor, galyum nitrür ve diğer yarı iletken malzemeler.
Deneyimli personelimiz size zamanında ve güvenilir hizmetler sunmaya hazırdır, bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Güvenilirlik, temel taştır! Yaşam kalitesi! Yenilik, itici güç!