VdS-700V ID-12A RDS(ON) - 1,4 miliohm QG-6,7 nc ev Şarj Cihazı Güneş/UPS Gücü MOSFET

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: ST
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: TO252 OSG65R1K4DF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 37*37*29CM
• Ticari Marka: Orientalsemi
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama

GreenMOS ® yüksek gerilim MOSFET'i, olağanüstü düşük açık durum direnci ve düşük kapı şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır. İletim kaybını en aza indirmek, üstün anahtarlama performansı ve sağlam çığ kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
GreenMOS ® Genel serisi, anahtarlama kaybını en aza indirmek için üstün anahtarlama performansı için optimize edilmiştir. En yüksek verimlilik standartlarını karşılamak üzere yüksek güç yoğunluğu uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.
 

Özellikler

• Düşük RDS(ON) ve  FOM
• Çok düşük anahtarlama  kaybı
• Mükemmel stabilite ve  uyum

 

Uygulamalar

• PC  gücü
• LED aydınlatma
• Telekom  gücü
• Sunucu  gücü
• Ev Şarj Cihazı
• Güneş/UPS

 

Temel Performans Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VDS, Tj'de min (maks)	700	V
Kimlik, darbe	12	A
RDS(ON), VGS'DE MAKS = 10 V	1.4	Ω
SG	6.7	NC

İşaretleme Bilgileri

 

Ürün Adı	Paket	İşaret
OSG65R1K4DF	TO252	OSG65R1K4D

 

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak voltajı	VGS	±30	V
Sürekli tahliye akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	4	A
Sürekli tahliye akımı1), TC = 100°C		2.5
Darbeli tahliye akımı2), TC = 25°C	Kimlik, darbe	12	A
Sürekli diyot ileri akım 1), TC = 25°C	VAR	4	A
Diyot darbeli akım2), TC = 25°C	EVET, darbe	12	A
Güç dağılımı3), TC = 25°C	PD	28.4	G
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	112	MJ
MOSFET dv/dt sağlamlığı, VDS=0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters diyot dv/dt, VDS = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns (V/ns
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 150	°C

 

Termal özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	4.4	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 250 ΜA
		700	770			VGS = 0 V, Kimlik = 250 μA, Tj = 150°C
Kapı eşiği voltaj	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		1.2	1.4	Ω	VGS = 10 V, KIMLIK = 2 A
			2.9			VGS = 10 V, KIMLIK = 2 A, TJ = 150°C
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			1	ΜA	VDS = 650 V, VGS = 0 V

 

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		259.9		PF	VGS = 0 V, VDS = 50  V, ") = 1  MHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		21.1		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		0.9		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		30.9		ns	VGS = 10 V, VDS = 380 V, RG = 25 Ω, ID = 4 A
Yükselme Süresi	tr		20.7		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		56.3		ns
Düşme süresi	tf		28.7		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		6.7		NC	VGS = 10 V, VDS = 400 V, KIMLIK = 4 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		1.5		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		3.2		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		6.4		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 4 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		162		ns	VR = 400 V, = 4 A, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		1.2		ΜC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		7		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı  sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4.    Ron JA değeri     , cihaz    1 'si  2 arada  FR-4  tahtasına   2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür.  Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25 °C.
5. VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 20 MH, başlangıç Tj = 25 °C.

 

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı