VdS-650V ID-108A RDS(ON)-99ohm N-Kanal Güç MOSFET′i

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: Overclocking
• Hayır. Modeli.: TO263 OSG60R099KSZF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
 GreenMOS ®  yüksek  gerilim  MOSFET' i      , olağanüstü düşük  açık durum direnci  ve  düşük  kapı  şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır.       İletim  kaybını en aza indirmek, üstün  anahtarlama  performansı ve   sağlam  çığ  kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
 GreenMOS ® Z  serisi         , geri  kurtarma süresini en aza indirmek için hızlı kurtarma diyotu (FRD) ile entegre edilmiştir.     Rezonans  anahtarlama  topolojilerinin    daha  yüksek verimlilik, daha  yüksek güvenilirlik  ve daha küçük  form  faktörüne ulaşması için uygundur.


Özellikler
O  DÜŞÜK  RDS(ON) VE FOM
O  çok  düşük  anahtarlama  kaybı
O  mükemmel  stabilite  ve  üniformite
O  Ultra hızlı  ve  sağlam  gövde  diyotu


Uygulamalar
O  Bilgisayar  gücü
O  Telekom  gücü
O  Sunucu  gücü
O  ev  Şarj Cihazı
O  Motor  sürücüsü


Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VDS,   Tj'de min (maks)	650	V
Kimlik, darbe	108	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	99	MΩ
SG	66.8	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	600	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±30	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	36	A
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 100°C		22.8
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik, darbe	108	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	VAR	36	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	EVET, darbe	108	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	278	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	1000	MJ
MOSFET  dv/dt  sağlamlığı, VDS =0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters  diyot  dv/dt, VDS  = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.45	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	600			V	VGS  = 0 V, KIMLIK  = 1  MA
		650				VGS  = 0 V, ID  = 1 MA, TJ  = 150°C
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	3.0		4.5	V	VDS  = VGS , KIMLIK  = 1 MA
Tahliye kaynağı  açık durum  direnci	RDS(ON)		0.082	0.099	Ω	VGS  = 10 V, KIMLIK = 18  A
			0.20			VGS  = 10 V, KIMLIK = 18 A, TJ  = 150°C
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			10	A	VDS  = 600 V, VGS  = 0 V
Kapı  direnci	RG		8		Ω	">"</B> = 1 MHz  / " </B> Açık

Dinamik  Özellikler
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Giriş  kapasitansı	CISS		3917.5		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 50 V, "*" 100 KHz
Çıkış  kapasitansı	Coss (Coss		203.3		PF
Ters  aktarım  kapasitansı	Çrrrss		9.0		PF
Açma  gecikme  süresi	td (açık)		48.3		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, RG = 2 Ω, KIMLIK = 20  A
Yükselme  Süresi	tr		77.0		ns
Kapatma  gecikme  süresi	td (kapalı)		90.9		ns
Düşme  süresi	tf		4.6		ns

Kapı  şarjı  özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		66.8		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, KIMLIK = 20  A
Kapı - kaynak  yükü	Qgs (QGS		16.6		NC
Kapı - Boşaltma  şarjı	Sgd		28.7		NC
Kapı  plato  voltajı	Vplato		6.7		V

Gövde  Diyotu  Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Diyot  ileri  gerilim	VSD			1.4	V	, = 36 A ISE, VGS  = 0 V
Geri  güç toplama  süresi	trr		146.5		ns	, = 20 A ISE, di/dt = 100 A/μs
Ters  toparlanma  ücreti	Srr		1.0		C
Tepe  ters  toparlanma  akımı	Irrm		12.8		A

Not
1)           İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)     tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)     PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır .
4)      Ron JA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 100 V, VGS  = 10 V, L = 60 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.

 

Sipariş  Bilgileri
 

Paket Tip	Birimler/ Makara	Makaralar / İç  kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO263 J	800	1	800	10	8000

Ürün  Bilgileri

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
OSG60R099KSZF	TO263	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı