• Transistör Geliştirme Toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS(ON)-1,9 miliohm QG-107nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS(ON)-1,9 miliohm QG-107nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS(ON)-1,9 miliohm QG-107nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS(ON)-1,9 miliohm QG-107nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS(ON)-1,9 miliohm QG-107nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS(ON)-1,9 miliohm QG-107nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için

Transistör Geliştirme Toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS(ON)-1,9 miliohm QG-107nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için

Certification: RoHS, ISO
Shape: Metal Porcelain Tube
Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
Cooling Method: Air Cooled Tube
Function: Switch Transistor
Working Frequency: High Frequency

Tedarikçi ile İletişime Geçin

Altın Üye Fiyat 2022

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Üretici/Fabrika, Ticari Şirket

Temel bilgiler.

Hayır. Modeli.
SFS10R019TNF
Structure
Planar
Encapsulation Structure
Chip Transistor
Power Level
High Power
Material
Silicon
Taşıma Paketi
Carton
Teknik Özelikler
35cmx30cmx37cm
Ticari Marka
Orientalsemi
Menşei
China
HS Kodu
8541290000
Üretim Kapasitesi
Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

 


Genel  Açıklama
FSMOS ®    MOSFET               'i, Oriental Semiconductor'ın düşük RDS(ON), düşük  kapı  şarjı, hızlı  anahtarlama ve   mükemmel  çığ  özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanmaktadır.  Yüksek  Vth  serisi               , 10V'tan yüksek sürüş gerilimine sahip motor kontrol sistemlerinde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır .



Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  güvenilirlik  ve  bütünlük
      Hızlı  anahtarlama  ve  yazılım  kurtarma



Uygulamalar

      PD  şarj cihazı
      Motor  sürücüsü
      Anahtarlama  gerilimi  regülatörü
      DC-DC  dönüştürücü
      Anahtarlama  modu  güç  kaynağı



Temel  Performans  Parametreleri
Parametre Değer Birim
VDS 100 V
Kimlik,  darbe 1080 A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V 1.9
SG 107 NC




İşaretleme  Bilgileri
Ürün  Adı Paket İşaret
SFS10R019TNF ÜCRETLI SFS10R019TN




    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
Parametre Sembol Değer Birim
Tahliye kaynağı  voltajı VDS 100 V
Kapı - kaynak  voltajı VGS ±20 V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C KIMLIK 270 A
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C Kimlik,  darbe 1080 A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C IS 270 A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C IS, darbe 1080 A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C PD 250 G
Tek  atımlı  çığ  enerji5) EAS 504 MJ
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı Tstg , Tj -55 ila 175 °C



Termal  özellikler
Parametre Sembol Değer Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu Rubles 0.6 °C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırı4) Rubles JA 62 °C/W



   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi BVDSS 100     V VGS  = 0 V, KIMLIK  = 250 ΜA
Kapı  eşiği
voltaj
VGS (TH) 2   4 V VDS  = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı
açık durum  direnci
RDS(ON)   1.6 1.9 VGS  = 10 V, KIMLIK = 50 A
Kapı kaynağı
kaçak  akım

IGSS
    100
Yok
VGS  = 20 V
    - 100 VGS  = -20 V
Tahliye kaynağı
kaçak  akım
IDSS     1 ΜA VDS  = 100 V, VGS  = 0 V
Kapı  direnci RG   0.9   Ω = 1 MHz, Açık  tahliye




Dinamik  Özellikler
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test  koşulu
Giriş  kapasitansı CISS   7790   PF
VGS  = 0  V,
VDS  = 25 V,
= 100 kHz
Çıkış  kapasitansı Coss (Coss   4230   PF
Ters  aktarım  kapasitansı Çrş   250   PF
Açılma  gecikme  süresi td (açık)   27   ns
VGS  = 10 V,
VDS  = 50 V,
RG = 2 Ω,
KIMLIK = 25  A
Yükselme  Süresi tr   22   ns
Kapatma  gecikme  süresi td (kapalı)   51   ns
Düşme  süresi tf   20   ns




Kapı  şarjı  özellikleri
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti SG   106   NC
VGS  = 10 V,
VDS  = 50 V,
KIMLIK = 25  A
Kapı - kaynak  yükü Qgs (QGS   30   NC
Kapı - Boşaltma  şarjı Sgd   23   NC
Kapı  plato  voltajı Vplato   4.4   V



Gövde  Diyotu  Özellikleri
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test  koşulu
Diyot  ileri  gerilim VSD     1.3 V IS = 20 A,
VGS  = 0 V
Geri  güç toplama  süresi trr   136   ns
VR = 50 V,
IS = 25 A,
di/dt = 100 A/μs
Ters  toparlanma  ücreti Srr   219   NC
Tepe  ters  toparlanma  akımı Irrm   2.9   A




Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       RubleJA değeri      , cihaz     4 in2 FR-1 karta  2 oz ile monte edilmiş halde ölçülmüştür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)    VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.





 
Tedarik Zinciri Transistor Enhancement Toll Sfs10r019tnf Vds-100 ID-1080A Qg-107nc for Switching Voltage N-Channel Power Mosfet



Yeşil Ürün Beyanı

Transistor Enhancement Toll Sfs10r019tnf Vds-100 ID-1080A Qg-107nc for Switching Voltage N-Channel Power Mosfet
 

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

*İtibaren:
*Şuradan:
*Mesaj:

Lütfen 20 ila 4000 karakter arasında girin.

Aradığınız şey bu değil? Satın Alma talebini Şimdi Yayınla

Kategoriye Göre Benzer Ürünleri Bulun

Tedarikçi Ana Sayfası Ürünler FS MOS Transistör Geliştirme Toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS(ON)-1,9 miliohm QG-107nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için

Bunları Da Beğenebilirsiniz

Tedarikçi ile İletişime Geçin

Altın Üye Fiyat 2022

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Üretici/Fabrika, Ticari Şirket
Kayıtlı Sermaye
10000000 RMB
Bitki Alanı
501~1000 metrekare