Güneş/UPS PC Gücü, Güç, Oss60r099TF VdS-650V ID-90A RDS(ON) - 99ohm QG-21,6 nc Geliştirme Modu Transistör N Kanal Güç MOSFET′i

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Subminiature
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: TOLL OSS60R099TF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
 GreenMOS ®  yüksek  gerilim  MOSFET' i      , olağanüstü düşük  açık durum direnci  ve  düşük  kapı  şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır.       İletim  kaybını en aza indirmek, üstün  anahtarlama  performansı ve   sağlam  çığ  kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
 GreenMOS ®  SuperSi  serisi          , son derece  hızlı  anahtarlama  özelliklerine ulaşmak için Oriental Semiconductor'ın benzersiz cihaz tasarımına dayanmaktadır.        Daha        iyi  sağlamlık  ve  maliyet ile yüksek frekanslı işlemlerde Gallium Nitride (GAN) cihazının mükemmel bir yerine geçmektir.                 Performans ve  güç  yoğunluğunu   en üst  sınırlara iterek güç kaynağı sistemlerinin en agresif verimlilik standartlarını karşılamayı hedeflemektedir .


Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum


Uygulamalar
      PC  gücü
      LED  aydınlatma
      Telekom  gücü
      Sunucu  gücü
      Ev  Şarj Cihazı
      Güneş/UPS



Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	650	V
Kimlik,  darbe	90	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	99	MΩ
SG	21.6	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	600	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±30	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	30	A
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 100°C		19
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	90	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	VAR	30	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	EVET, darbe	90	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	219	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	577.6	MJ
MOSFET  dv/dt  sağlamlığı, VDS =0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters  diyot  dv/dt, VDS  = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns (V/ns
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.57	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62.5	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	600			V	VGS  = 0 V, KIMLIK  = 250 ΜA
		650	740			VGS  = 0 V, Kimlik  = 250 μA, Tj  = 150°C
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	2.9		3.9	V	VDS  = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı  açık durum  direnci	RDS(ON)		0.080	0.099	Ω	VGS  = 10 V, KIMLIK = 15 A
			0.192			VGS  = 10 V, KIMLIK = 15 A, TJ  = 150°C
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			1	ΜA	VDS  = 600 V, VGS  = 0 V

Kapı  şarjı  özelliği

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		21.6		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, KIMLIK = 20  A
Kapı - kaynak  yükü	Qgs (QGS		6.9		NC
Kapı - Boşaltma  şarjı	Sgd		7.8		NC
Kapı  plato  voltajı	Vplato		6.5		V

Gövde  Diyotu  Özellikleri
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Diyot  ileri  gerilim	VSD			1.4	V	, = 30 A ISE, VGS  = 0 V
Geri  güç toplama  süresi	trr		416.0		ns	VR = 400 V, , = 20 A ISE, di/dt = 100 A/μs
Ters  toparlanma  ücreti	Srr		6.8		ΜC
Tepe  ters  toparlanma  akımı	Irrm		32.1		A

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       Ron JA değeri      , cihaz     4 in2 FR-1 tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 100 V, VGS  = 10 V, L = 60 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.


Sipariş  Bilgileri

Paket Tip	Birimler/ Makara	Makaralar/   İç  kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
ÜCRETLI	2000	1	2000	7	14000

Ürün  Bilgileri

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
OSS60R099TF	ÜCRETLI	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı