Transistör Geliştirme Modu To262 Osg65r380if VdS-700V Kimliği - 33A RDS(ON) -380 LED Aydınlatma için miliohm QG-12,5 nc PC Power N-Channel Güç MOSFET′i

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: TO262 OSG65R380IF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
 GreenMOS ®  yüksek  gerilim  MOSFET' i      , olağanüstü düşük  açık durum direnci  ve  düşük  kapı  şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır.       İletim  kaybını en aza indirmek, üstün  anahtarlama  performansı ve   sağlam  çığ  kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
  GreenMOS ®   Genel   serisi                , anahtarlama   kaybını en aza indirmek için üstün anahtarlama performansı için optimize edilmiştir.                  En yüksek   verimlilik standartlarını karşılamak üzere yüksek güç yoğunluğu uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.
Özellikler
      Düşük  RDS(ON) ve FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum

Uygulamalar
      PC  gücü
      LED  aydınlatma
      Telekom  gücü
      Sunucu  gücü
      Ev  Şarj Cihazı
      Güneş/UPS
Temel  Performans  Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	700	V
Kimlik,  darbe	33	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	380	MΩ
SG	12.5	NC

İşaretleme  Bilgileri

 

Ürün  Adı	Paket	İşaret
OSG65R380IF	TO262	OSG65R380I

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±30	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	11	A
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 100°C		7
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	33	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	IS	11	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	IS, darbe	33	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	83	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	200	MJ
MOSFET  dv/dt  sağlamlığı, VDS =0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns
Ters  diyot  dv/dt, VDS  = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rubles	1.5	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırı4)	Rubles JA	62	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	650			V	VGS  = 0 V, KIMLIK  = 250 ΜA
		700	770			VGS  = 0 V, Kimlik  = 250 μA, Tj  = 150°C
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	2.9		3.9	V	VDS  = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı  açık durum  direnci	RDS(ON)		0.35	0.38	Ω	VGS  = 10 V, KIMLIK = 5.5  A
			0.89			VGS  = 10 V, KIMLIK = 5.5 A, TJ  = 150°C
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			1	ΜA	VDS  = 650 V, VGS  = 0 V

Dinamik  Özellikler
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Giriş  kapasitansı	CISS		743.4		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 50 V, ∆= 100 kHz
Çıkış  kapasitansı	Coss (Coss		63.3		PF
Ters  aktarım  kapasitansı	Çrş		6.0		PF
Açılma  gecikme  süresi	td (açık)		20.3		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, RG = 2 Ω, KIMLIK = 6 A
Yükselme  Süresi	tr		5.4		ns
Kapatma  gecikme  süresi	td (kapalı)		29.5		ns
Düşme  süresi	tf		4.4		ns

Kapı  şarjı  özellikleri
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		12.5		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, KIMLIK = 6 A
Kapı - kaynak  yükü	Qgs (QGS		3.2		NC
Kapı - Boşaltma  şarjı	Sgd		4.8		NC
Kapı  plato  voltajı	Vplato		5.7		V

Gövde  Diyotu  Özellikleri
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Diyot  ileri  gerilim	VSD			1.3	V	IS = 11 A, VGS  = 0 V
Geri  güç toplama  süresi	trr		228.6		ns	IS = 6 A, di/dt = 100 A/μs
Ters  toparlanma  ücreti	Srr		2.3		ΜC
Tepe  ters  toparlanma  akımı	Irrm		20.4		A

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       RubleJA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 karta  2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 100 V, VGS  = 10 V, L = 80 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.

Sipariş  Bilgileri
 

Paket Tip	Birimler/ Tüp	Borular/  İç  Kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO262-C	50	20	1000	6	6000

Ürün  Bilgileri
 

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
OSG65R380IF	TO262	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı