Transistör Güçlendirme To247 Sfs280n10hf VdS-100 ID-800A RDS(ON) - 2,1 miliohm QG-245nc Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için

• Sertifika: RoHS, ISO
• Şekil: Metal Porselen Tüp
• Blendaj Tipi: Keskin Kesme Koruma borusu
• Soğutma Yöntemi: Hava soğutmalı Boru
• İşlev: Anahtar Transistörü
• Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans
• Hayır. Modeli.: SFS280N10HF
• Yapı: Düzlemsel
• Kapsülleme Yapısı: Yonga Transistörü
• Güç Seviyesi: Yüksek Güç
• Malzeme: Silikon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x37x30cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: Çin
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
FSMOS ®    MOSFET               'i, Oriental Semiconductor'ın düşük RDS(ON), düşük  kapı  şarjı, hızlı  anahtarlama ve   mükemmel  çığ  özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanmaktadır.  Yüksek  Vth  serisi               , 10V'tan yüksek sürüş gerilimine sahip motor kontrol sistemlerinde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır .


Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  güvenilirlik  ve  bütünlük
      Hızlı  anahtarlama  ve  yazılım  kurtarma


Uygulamalar
      Anahtarlama  modu  güç  kaynağı
      Motor  sürücüsü
      Akü  koruması
      DC-DC  dönüştürücü
      Çeviriciler
      UPS (UPS


Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VDS	100	V
Kimlik,  darbe	800	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	2.1	MΩ
SG	245	NC
PD	450	G

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	100	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±20	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	340	A
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	800	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	VAR	340	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	EVET, darbe	800	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	450	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	540	MJ
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg,  Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.27	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	100			V	VGS  = 0 V, KIMLIK  = 250 ΜA
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS  = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı açık durum  direnci	RDS(ON)		1.8	2.1	MΩ	VGS  = 10 V, KIMLIK = 50 A
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			1	ΜA	VDS  = 100 V, VGS  = 0 V
Kapı  direnci	RG		1.2		Ω	"-" = 1 MHz, Açık  tahliye

Dinamik  Özellikler
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Giriş  kapasitansı	CISS		18000		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 25 V, ", "" = 100 kHz
Çıkış  kapasitansı	Coss (Coss		4570		PF
Ters  aktarım  kapasitansı	Çrrrss		510		PF
Açma  gecikme  süresi	td (açık)		40		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, RG = 2 Ω, KIMLIK = 25  A
Yükselme  Süresi	tr		34		ns
Kapatma  gecikme  süresi	td (kapalı)		97		ns
Düşme  süresi	tf		34		ns

Kapı  şarjı  özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		245		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, KIMLIK = 25  A
Kapı - kaynak  yükü	Qgs (QGS		74		NC
Kapı - Boşaltma  şarjı	Sgd		54		NC
Kapı  plato  voltajı	Vplato		4.5		V

Gövde  Diyotu  Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Diyot  ileri  gerilim	VSD			1.3	V	, = 30 A ISE, VGS  = 0 V
Geri  güç toplama  süresi	trr		1 10		ns	VR = 50 V, , = 25 A ISE, di/dt = 100 A/μs
Ters  toparlanma  ücreti	Srr		289		NC
Tepe  ters  toparlanma  akımı	Irrm		4.3		A

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)    VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.

 

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı