PC Power Telecom Power E To220f Osg65r140fszf VdS-700V ID-75A RDS (AÇIK) - 140 ohm QG-55,2 nc Transistör Nasyon Modu N Kanal Güç MOSFET′i

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: TO220F OSG65R140FSZF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
 GreenMOS ®  yüksek  gerilim  MOSFET' i      , olağanüstü düşük  açık durum direnci  ve  düşük  kapı  şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır.       İletim  kaybını en aza indirmek, üstün  anahtarlama  performansı ve   sağlam  çığ  kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
 GreenMOS ® Z  serisi         , geri  kurtarma süresini en aza indirmek için hızlı kurtarma diyotu (FRD) ile entegre edilmiştir.      Rezonans  anahtarlama  topolojilerinin    daha  yüksek verimlilik, daha  yüksek güvenilirlik  ve daha küçük  form  faktörüne ulaşması için uygundur.


Özellikler
      Düşük  RDS(ON) ve FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum
      Ultra hızlı  ve  sağlam  gövde  diyotu


Uygulamalar
      PC  gücü
      Telekom  gücü
      Sunucu  gücü
      Ev  Şarj Cihazı
      Motor  sürücüsü


Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	700	V
Kimlik,  darbe	75	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	140	MΩ
SG	55.2	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±30	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	25	A
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 100°C		16
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	75	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	IS	25	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	IS, darbe	75	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	34	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	1000	MJ
MOSFET  dv/dt  sağlamlığı, VDS =0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns
Ters  diyot  dv/dt, VDS  = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	50	V/ns
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rubles	3.7	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırı4)	Rubles JA	62.5	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	650			V	VGS  = 0 V, KIMLIK  = 1 MA
		700	750			VGS  = 0 V, ID  = 1 MA, TJ  = 150°C
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	3.0		4.5	V	VDS  = VGS , KIMLIK  = 1 MA
Tahliye kaynağı  açık durum  direnci	RDS(ON)		0.12	0.14	Ω	VGS  = 10 V, KIMLIK = 12.5  A
			0.30			VGS  = 10 V, KIMLIK = 12.5 A, TJ  = 150°C
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			10	ΜA	VDS  = 650 V, VGS  = 0 V
Kapı  direnci	RG		16.7		Ω	∆= 1 MHz, Açık  tahliye

Dinamik  Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Giriş  kapasitansı	CISS		2855.4		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 50 V, ∆= 100 kHz
Çıkış  kapasitansı	Coss (Coss		151.1		PF
Ters  aktarım  kapasitansı	Çrş		7.7		PF
Açılma  gecikme  süresi	td (açık)		56.3		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, RG = 2 Ω, KIMLIK = 16  A
Yükselme  Süresi	tr		68.8		ns
Kapatma  gecikme  süresi	td (kapalı)		108.5		ns
Düşme  süresi	tf		31.6		ns

Kapı  şarjı  özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		55.2		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, KIMLIK = 16  A
Kapı - kaynak  yükü	Qgs (QGS		13.7		NC
Kapı - Boşaltma  şarjı	Sgd		24.0		NC
Kapı  plato  voltajı	Vplato		6.8		V

Gövde  Diyotu  Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Diyot  ileri  gerilim	VSD			1.3	V	IS = 25 A, VGS  = 0 V
Geri  güç toplama  süresi	trr		126.0		ns	IS = 20 A, di/dt = 100 A/μs
Ters  toparlanma  ücreti	Srr		0.7		ΜC
Tepe  ters  toparlanma  akımı	Irrm		10.6		A

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       RubleJA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 karta  2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 100 V, VGS  = 10 V, L = 60 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.



Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı