Telekom Güç Hızlı Kurtarma Diyotu

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: OSG65R099HSZAF TO247
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• uygulamalar: pc gücü
• sektörler: led aydınlatma
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: China
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20K/Monthly

Ürün Açıklaması

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama

GreenMOS ® yüksek gerilim MOSFET'i, olağanüstü düşük açık durum direnci ve düşük kapı şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır. İletim kaybını en aza indirmek, üstün anahtarlama performansı ve sağlam çığ kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
GreenMOS ® Z serisi, geri kurtarma süresini en aza indirmek için hızlı kurtarma diyotu (FRD) ile entegre edilmiştir. Rezonans anahtarlama topolojilerinin daha yüksek verimlilik, daha yüksek güvenilirlik ve daha küçük form faktörüne ulaşması için uygundur.

Özellikler                                                                                                    

• Düşük RDS(ON) ve FOM
• Çok düşük anahtarlama kaybı
• Mükemmel stabilite ve uyum
• Ultra hızlı ve sağlam gövde diyotu
• AEC-Q101 Otomotiv Uygulaması için onaylanmıştır

Uygulamalar

• PC gücü
• Telekom gücü
• Sunucu gücü
• Ev Şarj Cihazı
• Motor sürücüsü

Temel Performans Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VDS	650	V
Kimlik, darbe	96	A
RDS(ON), VGS'DE MAKS = 10 V	99	MΩ
SG	66.6	NC

İşaretleme Bilgileri

 

Ürün Adı	Paket	İşaret
OSG65R099HSZAF	TO247	OSG65R099HSZA

HTRB testi AEC-Q101 rev.C'den (%80 V (BR) DSS) daha sıkı bir şekilde 600 V'de yapılmıştır. Diğer tüm testler AEC Q101 rev. E'ye göre yapılmıştır

 

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak voltajı	VGS	±30	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25°C	KIMLIK	32	A
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 100°C		20
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25°C	Kimlik, darbe	96	A
Sürekli diyot ileri akım 1^), TC = 25°C	VAR	32	A
Diyot darbeli akım2^), TC = 25°C	EVET, darbe	96	A
Güç  dağılımı3^) , TC = 25 °C	PD	278	G
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	648	MJ
MOSFET dv/dt sağlamlığı, VDS=0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters diyot dv/dt, VDS = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 150	°C

Termal özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.45	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 1 MA
Kapı eşik voltajı	VGS (TH)	3.0		4.5	V	VDS = VGS, KIMLIK = 1 MA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		0.090	0.099	Ω	VGS = 10 V, KIMLIK = 16 A
			0.21			VGS = 10 V, KIMLIK = 16 A, TJ = 150°C
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			10	ΜA	VDS = 650 V, VGS = 0 V
Kapı direnci	RG		7.8		Ω	"-" = 1 MHz, Açık tahliye

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		3988		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, ", "" = 100 kHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		210		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		7.4		PF
Etkin çıkış kapasitansı, enerjiyle ilgili	CO (er)		124		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V - 400 V
Etkin çıkış kapasitansı, zamanla ilgili	Ortak		585		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		46.0		ns	VGS = 10 V, VDS = 400 V, RG = 2 Ω, ID = 20 A
Yükselme Süresi	tr		60.3		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		93.0		ns
Düşme süresi	tf		3.7		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		66.6		NC	VGS = 10 V, VDS = 400 V, KIMLIK = 20 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		20.6		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		24.8		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		6.7		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 32 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		151.7		ns	, = 20 A ISE, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		1.0		ΜC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		12.3		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. VDD = 100 V, VGS = 10 V, L = 80 MH, başlangıç Tj = 25°C.