PFC senkronize Düzeltme sistemlerini güçlendirin RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Düşük Sürüş gerilimi 40 V Hızlı Anahtarlama ve yumuşak Kurtarma MOSFET′i

• Tip: Araç Güç İnvertör
• Sertifika: RoHS
• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• uygulamalar: pc gücü
• sektörler: led aydınlatma
• Hayır. Modeli.: SFS04R013UGF PDFN5 x 6
• Taşıma Paketi: Air
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: China
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20kkkk/Monthly

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama
FSMOS ® MOSFET'i, Oriental Semiconductor'ın düşük RDS(ON), düşük kapı şarjı, hızlı anahtarlama ve mükemmel çığ özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanmaktadır. Düşük Vth serisi, düşük sürüş gerilimine sahip senkronize düzeltme sistemleri için özel olarak optimize edilmiştir.


Özellikler

• Düşük RDS(ON) ve FOM (Puan figürü)
• Çok düşük anahtarlama kaybı                                                                  
• Mükemmel güvenilirlik ve bütünlük
• Hızlı anahtarlama ve yazılım kurtarma
• AEC-Q101 Otomotiv Uygulamaları için onaylanmıştır

Uygulamalar

• Tüketici elektronik güç kaynağı
• Motor kontrolü
• Senkron düzeltme
• Yalıtımlı DC/DC dönüştürücü
• İnvertörler

Temel Performans Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VDS	40	V
Kimlik, darbe	600	A
VGS = 10 V'DE RDS(ON) MAKS	1.1	MΩ
SG	118.4	NC

İşaretleme Bilgileri

 

Ürün Adı	Paket	İşaret
SFS04R013UGF	PDFN5 x 6	SFS04R013UG

 

 

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Kaynak gerilimini boşaltın	VDS	40	V
Kapı kaynak voltajı	VGS	±20	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25°C	KIMLIK	200	A
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25°C	Kimlik, darbe	600	A
Sürekli diyot ileri akım 1^), TC = 25°C	VAR	200	A
Diyot darbeli akım2^), TC = 25°C	, Darbe	600	A
Güç dağılımı3^), TC = 25°C	PD	178	G
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	144	MJ
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 175	°C

Termal özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.84	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	40			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 250 ΜA
Kapı eşik voltajı	VGS (TH)	1.2		2.5	V	VDS = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		0.9	1.1	MΩ	VGS = 10 V, KIMLIK = 20 A
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		1.5	2.0	MΩ	VGS = 6 V, KIMLIK = 20 A
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 20 V
				-100		VGS = -20 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			1	UA	VDS = 40 V, VGS = 0 V
Kapı direnci	RG		3.2		Ω	"-" = 1 MHz, Açık tahliye

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		5453		PF	VGS = 0 V, VDS = 25 V, ", "" = 100 kHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		1951		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		113		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		23.9		ns	VGS = 10 V, VDS = 40 V, RG = 2 Ω, ID = 40 A
Yükselme Süresi	tr		16.9		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		80.4		ns
Düşme süresi	tf		97.7		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		85.6		NC	VGS = 10 V VDS = 40 V, KIMLIK = 40 A,
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		17.6		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		14.5		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		3.6		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 20 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		71.1		ns	VR = 40 V, = 40 A, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		50.1		NC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		1.2		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. R½ JA değeri, cihaz 4 in2 FR-1 tahtasına 2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25°C.

VDD = 30 V, VG = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç Tj = 25°C.