Süper kısa Devre dayanma Süresi Alan Durdurma Trench IGBT

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Compound Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: DIP(Dual In-line Package)
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: Solar Cell
• Hayır. Modeli.: OST40N120HMF TO-247N
• Model: Orientalsemi
• Batch Number: 2024
• Brand: Orientalsemi
• uygulama1: kesintisiz güç kaynakları
• uygulama2: gelişmiş tgbtm teknolojisi
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1K/Month

Ürün Açıklaması

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama

OST40N120HMF çok düşük VCE (sat), düşük kapı şarjı ve mükemmel anahtarlama performansı sağlamak için gelişmiş Oriental-Semi'nun patentli Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) teknolojisini kullanır. Bu cihaz, orta - yüksek aralıklı anahtarlama frekans dönüştürücüleri için uygundur.

Özellikler

• Gelişmiş TGBTTM teknolojisi
• Mükemmel iletim ve anahtarlama kaybı
• Mükemmel stabilite ve uyum
• Hızlı ve yumuşak paralel önleme diyotu

Uygulamalar

• Endüksiyon dönüştürücüler
• Kesintisiz güç kaynakları

Temel Performans Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VCES, 25°C'de min	1200	V
Maksimum bağlantı sıcaklığı	175	°C
IC, darbe	160	A
VCE(sat), V = 15 V'de tipik	1.45	V
SG	214	NC

İşaretleme Bilgileri

 

Ürün Adı	Paket	İşaret
OST40N120HMF	TO247	OST40N120HM

 

Aksi belirtilmedikçe Tvj'deki mutlak maksimum değerler = 25°C
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Kollektör yayıcı voltajı	VCES	1200	V
Kapı verici voltajı	VGES	±20	V
Geçici geçit yayıcı gerilimi, TP ≤ 0,5µs, D < 0.001		±25	V
Sürekli toplama akımı (1^), TC = 25 ºC	IC	56	A
Sürekli toplama akımı (1^), TC = 100 ºC		40	A
Darbeli kollektör akımı 2^), TC = 25 ºC	IC, darbe	160	A
Diyot ileri akım 1^), TC = 25ºC	EĞER	56	A
Diyot ileri akım 1^), TC = 100ºC		40	A
Diyot atımlı akım2^), TC = 25ºC	EĞER, darbe	160	A
Güç dağılımı3^), TC = 25ºC	PD	357	G
Güç dağılımı3^), TC = 100ºC		179	G
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tvj	-55 ila 175	°C
Kısa devre dayanma süresi VGE = 15 V, VCC ≤ 600 V İzin verilen kısa devre sayısı < 1000 kısa devre arasında süre: ≥ 1.0 S Tvj = 150°C	TSC	10	μs

Termal özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
IGBT termal direnci, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.42	°C/W
Diyot termal direnci, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.75	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	40	°C/W

 

Aksi belirtilmedikçe Tvj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Kollektör-verici arıza gerilimi	V (BR) CES	1200			V	VGE = 0 V, IC = 0.5 MA
Kollektör-emitör doygunluk gerilimi	VCE(sat)		1.45	1.8	V	VGE = 15 V, IC = 40 A TVJ = 25°C
			1.65		V	VGE = 15 V, IC = 40 A, TVJ = 125°C
			1.8			VGE = 15 V, IC = 40 A, TVJ = 175°C
Kapı vericisi eşik gerilimi	VGE (TH)	4.8	5.8	6.8	V	VCE = VGE, ID = 0.5 MA
Diyot ileri gerilim	VF		1.9	2.1	V	VGE = 0 V, EĞER = 40 A TVJ = 25°C ISE
			1.6			VGE = 0 V, IF = 40 A, TVJ = 125°C
			1.5			VGE = 0 V, IF = 40 A, TVJ = 175°C
Kapı vericisi kaçak akım	IGES			100	Yok	VCE = 0 V, VGE = 20 V
Sıfır kapı gerilimi kolektör akımı	ICES			10	ΜA	VCE = 1200 V, VGE = 0 V

 

Dinamik Özellikler
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	Turlar		11270		PF	VGE = 0 V, VCE = 25 V, ", "" = 100 kHz
Çıkış kapasitansı	Kes		242		PF
Ters aktarım kapasitansı	Cres (Çler		10		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		120		ns	VGE = 15 V, VCC = 600 V, RG = 10 Ω, IC = 40 A
Yükselme Süresi	tr		88		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		246		ns
Düşme süresi	tf		160		ns
Açma enerjisi	EON (EON		3.14		MJ
Enerjiyi kapatın	Ekin		1.02		MJ
Açma gecikme süresi	td (açık)		112		ns	VGE = 15 V, VCC = 600 V, RG = 10 Ω, IC = 20 A
Yükselme Süresi	tr		51		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		284		ns
Düşme süresi	tf		148		ns
Açma enerjisi	EON (EON		1.32		MJ
Enerjiyi kapatın	Ekin		0.53		MJ

Kapı şarjı özellikleri
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		214		NC	VGE = 15 V, VCC = 960 V, IC = 40 A
Kapı-verici yükü	Miktar		103		NC
Kapı - kollektör şarjı	Qgc		40		NC

Gövde Diyotu Özellikleri
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot geri kazanım süresi	trr		293		ns	VR = 600 V, EĞER = 40 A ISE, DIF/dt = 500 A/μs Tvj = 25°C
Diyot geri kazanım şarjı	Srr		2.7		ΜC
Diyot tepe ters geri kazanım akımı	Irrm		25		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. R½ JA değeri, cihaz 4 in2 FR-1 tahtasına 2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25°C.

 

Sürüm 1:TO247 - P paket anahat boyutu

Sipariş Bilgileri
 

Paket Türü	Birimler/Tüp	Borular/İç Kutu	Birimler/İç Kutu	İç kutular/karton kutu	Birimler/karton kutu
TO247 P	30	11	330	6	1980

Ürün Bilgileri
 

Ürün	Paket	Kurşun İçermez	RoHS	Halojensiz
OST40N120HMF	TO247	evet	evet	evet

Yasal Uyarı
Bu belgede verilen bilgiler hiçbir durumda koşul veya özellik garantisi olarak kabul edilmemelidir. Burada verilen herhangi bir örnek veya ipucuyla ilgili olarak, burada belirtilen tüm tipik değerler ve/veya cihazın uygulanmasıyla ilgili herhangi bir bilgi ile, Oriental Semiconductor, herhangi bir üçüncü tarafın fikri mülkiyet haklarının ihlal edilmemesi garantileri de dahil olmak üzere, ancak bunlarla sınırlı olmamak kaydıyla, herhangi bir türde herhangi bir garanti ve yükümlülüğü reddeder.

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı