Transistör Geliştirme SIC Diyotu To247 Ost75n65hswf Vces-650V maksimum Bağlantı Sıcaklığı 175, IC, Pulse-300A VCE(sat) - 1,5V QG-204nc N Kanal Güç IGBT

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: IGBT-Sic Diode To247 OST75N65HSWF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
OST75N65HSWF                        çok  düşük  VCE (sat), düşük  kapı  şarjı ve  mükemmel  anahtarlama performansı sağlamak için gelişmiş Oriental-Semi'nun patentli Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) teknolojisini kullanır.  Bu  cihaz    , orta  -  yüksek  aralıklı  anahtarlama  frekans  dönüştürücüleri için uygundur.




Özellikler
      Gelişmiş  TGBTTM  teknolojisi
      Mükemmel  iletim  ve  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum
      Hızlı  ve  yumuşak  paralel önleme  SIC  diyotu



Uygulamalar
      Endüksiyon  dönüştürücüler
      Kesintisiz  güç  kaynakları



Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VCES,   25°C'de min	650	V
Maksimum  bağlantı  sıcaklığı	175	°C
IC , darbe	300	A
VCE(sat),  V = 15 V'de tipik	1.5	V
SG	204	NC

    Aksi    belirtilmedikçe Tvj'deki mutlak maksimum değerler = 25°C

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Kollektör  yayıcı  voltajı	VCES	650	V
Kapı  verici  voltajı	VGES	±20	V
Geçici  geçit  yayıcı  gerilimi, TP ≤ 10µs, D < 0.01		±30	V
Sürekli  toplama  akımı (1), TC = 25 ºC	IC	90	A
Sürekli  toplama  akımı (1), TC = 100 ºC		75	A
Darbeli  kollektör  akımı 2), TC = 25 ºC	IC , darbe	300	A
Diyot  ileri  akım 1), TC = 25ºC	EĞER	90	A
Diyot  ileri  akım 1), TC = 100ºC		75	A
Diyot  atımlı  akım2), TC = 25ºC	EĞER, darbe	300	A
Güç  dağılımı3), TC = 25ºC	PD	395	G
Güç  dağılımı3), TC = 100ºC		198	G
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg,  Tvj	-55 ila 175	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
IGBT  termal  direnci, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.38	°C/W
Diyot  termal  direnci, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.65	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	40	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tvj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Kollektör-verici   arıza  gerilimi	V (BR) CES	650			V	VGE  = 0 V, IC  = 0.5 MA
Kollektör-emitör doygunluk  gerilimi	VCE(sat)		1.5	1.8	V	VGE  = 15 V, IC = 75  A Tvj = 25°C
			1.7		V	VGE  = 15 V, IC = 75 A, Tvj   = 125°C
			1.8			VGE  = 15 V, IC = 75 A, Tvj   = 175°C
Kapı-verici       eşik  gerilimi	VGE (TH)	3.0	4.0	5.0	V	VCE  = VGE, ID = 0.5 MA
Diyot  ileri voltaj	VF		1.8	2.2	V	VGE  = 0 V, EĞER  = 30 A Tvj   = 25°C
			2.2			VGE  = 0  V, EĞER  = 30 A ISE, Tvj   = 125°C
			2.3			VGE  = 0  V, EĞER  = 30 A ISE, Tvj   = 175°C
Kapı vericisi kaçak  akım	IGES			100	Yok	VCE  = 0 V, VGE = 20  V
Sıfır  kapı  gerilimi kolektör  akımı	ICES			10	ΜA	VCE  = 650 V, VGE  = 0 V

Kapı  şarjı  özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		204		NC	VGE  = 15 V, VCC = 520 V, IC = 75  A
Kapı-verici  yükü	Miktar		56		NC
Kapı - kollektör  şarjı	Qgc		67		NC

Gövde  Diyotu  Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Diyot  geri  kazanım  süresi	trr		30		ns	VR  = 400 V, EĞER = 75 A ISE, DIF/dt = 500 A/μs Tvj   = 25°C
Diyot  geri  kazanım  şarjı	Srr		98		NC
Diyot  tepe  ters  geri kazanım akımı	Irrm		5.8		A

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       Ron JA değeri      , cihaz     4 in2 FR-1 tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.



Sipariş  Bilgileri

Paket Tip	Birimler/ Tüp	Borular/  İç  Kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO247 P	30	11	330	6	1980

Ürün  Bilgileri

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
OST75N65HSWF	TO247	evet	evet	evet

 

Besleme Chian




Yeşil Ürün Beyanı