Sunucu Gücü 3 Fazlı Viyana Topolojisi ev Şarj Piles VdS, Min@Tj (maks) 700 V ID, Osg65r035htf To247 Yüksek Voltaj Güç MOSFET′i

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: SMD
• Signal Processing: Digital
• Application: Solar Cell
• Hayır. Modeli.: OSG65R035HTF TO247
• Model: ST
• Batch Number: 2010+
• Brand: Orimental
• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• uygulamalar: pc gücü
• sektörler: led aydınlatma
• Taşıma Paketi: Air
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: China
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20kkkk/Monthly

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama
GreenMOS ® yüksek gerilim MOSFET'i, olağanüstü düşük açık durum direnci ve düşük kapı şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır. İletim kaybını en aza indirmek, üstün anahtarlama performansı ve sağlam çığ kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
GreenMOS ® Genel serisi, anahtarlama kaybını en aza indirmek için üstün anahtarlama performansı için optimize edilmiştir. En yüksek verimlilik standartlarını karşılamak üzere yüksek güç yoğunluğu uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.

Özellikler     
   Düşük RDS(ON) ve FOM
   Çok düşük anahtarlama kaybı
   Mükemmel stabilite ve uyum

Uygulamalar
   PC gücü
   LED aydınlatma
   Telekom gücü
   Sunucu gücü
   Ev Şarj Cihazı
   Güneş/UPS


Temel Performans Parametreleri
 

Parametre	Değer	Birim
VDS, Tj'de min (maks)	700	V
Kimlik, darbe	240	A
RDS(ON), VGS'DE MAKS = 10 V	35	MΩ
SG	153.6	NC

İşaretleme Bilgileri
 

Ürün Adı	Paket	İşaret
OSG65R035HTF	TO247	OSG65R035HT

 

 

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı voltajı	VDS	600	V
Kapı - kaynak voltajı	VGS	±30	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25°C	KIMLIK	80	A
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 100°C		50
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25°C	Kimlik, darbe	240	A
Sürekli diyot ileri akım 1^), TC = 25°C	VAR	80	A
Diyot darbeli akım2^), TC = 25°C	EVET, darbe	240	A
Güç dağılımı3^), TC = 25°C	PD	455	G
Tek atımlı çığ enerji5^)	EAS	1850	MJ
MOSFET dv/dt sağlamlığı, VDS=0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters diyot dv/dt, VDS = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns (V/ns
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 150	°C

 

Termal özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.27	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4^)	Rko	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	600			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 1 MA
		650				VGS = 0 V, ID = 1 mA, Tj = 150°C
Kapı eşik voltajı	VGS (TH)	2.9		3.9	V	VDS = VGS, KIMLIK = 2 MA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		0.024	0.028	Ω	VGS = 10 V, KIMLIK = 40 A
			0.06			VGS = 10 V, ID = 40 A, TJ = 150°C
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			1	ΜA	VDS = 600 V, VGS = 0 V
Kapı direnci	RG		2.2		Ω	"-" = 1 MHz, Açık tahliye

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		7373		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, "" 10 = 100 KHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		504		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		17		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		42.5		ns	VGS = 10 V, VDS = 400 V, RG = 2 Ω, ID = 40 A
Yükselme Süresi	tr		71		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		126.6		ns
Düşme süresi	tf		3.7		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		181.8		NC	VGS = 10 V, VDS = 400 V, KIMLIK = 40 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		36.5		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		49.5		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		5.5		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 80 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		584		ns	VR = 400 V, = 40 A, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		12.8		ΜC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		39.8		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. Ron JA değeri, cihaz 1'si 2 arada FR-4 tahtasına 2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25°C.
5. VDD = 100 V, VGS = 10 V, L = 79.9 MH, başlangıç Tj = 25°C.

Sipariş Bilgileri
 

Paket Türü	Birimler/Tüp	Borular/İç Kutu	Birimler/İç Kutu	İç kutular/karton kutu	Birimler/karton kutu
TO247-C	30	11	330	6	1980
TO247 J	30	20	600	5	3000

Ürün Bilgileri
 

Ürün	Paket	Kurşun İçermez	RoHS	Halojensiz
OSG60R028HTF	TO247	evet	evet	evet

Yasal Uyarı
Bu belgede verilen bilgiler hiçbir durumda koşul veya özellik garantisi olarak kabul edilmemelidir. Burada verilen herhangi bir örnek veya ipucuyla ilgili olarak, burada belirtilen tüm tipik değerler ve/veya cihazın uygulanmasıyla ilgili herhangi bir bilgi ile, Oriental Semiconductor, herhangi bir üçüncü tarafın fikri mülkiyet haklarının ihlal edilmemesi garantileri de dahil olmak üzere, ancak bunlarla sınırlı olmamak kaydıyla, herhangi bir türde herhangi bir garanti ve yükümlülüğü reddeder.