RoHS PC Güç VdS 650V RDS38mΩ Hızlı Kurtarma Diyotu MOSFET′i

• Number of Charging Interfaces: No
• Location: No
• Installation: No
• Charge Method: No
• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• Hayır. Modeli.: OSG65R038HZAF TO247
• uygulamalar: pc gücü
• sektörler: led aydınlatma
• tip: hızlı ev şarj istasyonu
• sertifika: ISO, TUV, RoHS
• garanti: 24 ay
• Taşıma Paketi: Air
• Teknik Özelikler: TO247
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: China
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20K/Monthly

Ürün Açıklaması

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama

GreenMOS ® yüksek gerilim MOSFET'i, olağanüstü düşük açık durum direnci ve düşük kapı şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır. İletim kaybını en aza indirmek, üstün anahtarlama performansı ve sağlam çığ kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
GreenMOS ® Z serisi, geri kurtarma süresini en aza indirmek için hızlı kurtarma diyotu (FRD) ile entegre edilmiştir. Rezonans anahtarlama topolojilerinin daha yüksek verimlilik, daha yüksek güvenilirlik ve daha küçük form faktörüne ulaşması için uygundur.

Özellikler                                                                                                    

• Düşük RDS(ON) ve FOM
• Çok düşük anahtarlama kaybı
• Mükemmel stabilite ve uyum
• Ultra hızlı ve sağlam gövde diyotu
• AEC-Q101 Otomotiv Uygulaması için onaylanmıştır

Uygulamalar

• PC gücü
• Telekom gücü
• Sunucu gücü
• Ev Şarj Cihazı
• Motor sürücüsü

Temel Performans Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VDS	650	V
Kimlik, darbe	240	A
RDS(ON), VGS'DE MAKS = 10 V	38	MΩ
SG	175	NC

İşaretleme Bilgileri

 

Ürün Adı	Paket	İşaret
OSG65R038HZAF	TO247	OSG65R038HZA

 HTRB testi AEC-Q101 rev.C'den (%80 V (BR) DSS) daha sıkı bir şekilde 600 V'de yapılmıştır. Diğer tüm testler AEC Q101 rev. E'ye göre yapılmıştır

 

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak voltajı	VGS	±30	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25°C	KIMLIK	80	A
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 100°C		50
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25°C	Kimlik, darbe	240	A
Sürekli diyot ileri akım 1^), TC = 25°C	VAR	80	A
Diyot darbeli akım2^), TC = 25°C	EVET, darbe	240	A
Güç  dağılımı3^) , TC = 25 °C	PD	500	G
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	2048	MJ
MOSFET dv/dt sağlamlığı, VDS=0 … 480 V	dv/dt	100	V/ns (V/ns
Ters diyot dv/dt, VDS = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 150	°C

Termal özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.25	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 2 MA
Kapı eşik voltajı	VGS (TH)	3.0		4.5	V	VDS = VGS, KIMLIK = 2 MA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		0.032	0.038	Ω	VGS = 10 V, KIMLIK = 40 A
			0.083			VGS = 10 V, KIMLIK = 40 A, TJ = 150°C
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			10	ΜA	VDS = 650 V, VGS = 0 V
Kapı direnci	RG		2.1		Ω	"-" = 1 MHz, Açık tahliye

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		9276		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, ", "" = 100 kHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		486		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		12.8		PF
Etkin çıkış kapasitansı, enerjiyle ilgili	CO (er)		278		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V - 400 V
Etkin çıkış kapasitansı, zamanla ilgili	Ortak		1477		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		55.9		ns	VGS = 10 V, VDS = 400 V, RG = 2 Ω, ID = 40 A
Yükselme Süresi	tr		121.2		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		114.2		ns
Düşme süresi	tf		8.75		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		175.0		NC	VGS = 10 V, VDS = 400 V, KIMLIK = 40 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		40.1		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		76.1		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		6.4		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 80 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		180		ns	, = 30 A ISE, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		1.5		UC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		15.2		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. VDD = 100 V, VGS = 10 V, L = 80 MH, başlangıç Tj = 25°C.