RoHS yardımcı Geri Dönüş Dönüştürücüsü Tek Anahtar Opolojileri Osg90r1K2FF To220f Yüksek Voltajlı Güç MOSFET′i

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: SMD
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: Temperature Measurement
• Hayır. Modeli.: OSG90R1K2FF TO220F
• Model: ULN2003
• Batch Number: 2010+
• Brand: Semi Oriental
• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• uygulamalar: pc gücü
• sektörler: led aydınlatma
• Taşıma Paketi: Air
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: China
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20kkkk/Monthly

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama
OSG90R1K2xF, düşük RDS(ON), düşük kapı şarjı, hızlı anahtarlama ve mükemmel çığ özellikleri sağlamak için gelişmiş GreenMOSTM teknolojisini kullanır. Bu cihaz aktif güç faktörü düzeltme ve anahtarlama modu güç kaynağı uygulamaları için uygundur.


Özellikler                                         Uygulamalar

1. Düşük RDS(ON) ve FOM                                              Aydınlatması
2. Çok düşük anahtarlama kaybı                               sert anahtarlama PWM
3. Mükemmel stabilite ve uyum               Sunucu güç kaynağı
4. Kullanımı kolay                              Şarj cihazı

Temel Performans Parametreleri
 

1. 1. Aksi belirtilmedikçe Tj = 25ºC'de mutlak maksimum değerler

 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Kaynak gerilimini boşaltın	VDS	900	V
Kapı kaynak voltajı	VGS	±30	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25 ºC	KIMLIK	5	A
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 100 ºC		3.2
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25 ºC	Kimlik, darbe	15	A
Güç dağılımı3) TO251, TO262, TC = 25 ºC için	PD	83	G
Güç dağılımı3^) TO220F, TC = 25 ºC için		31
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	211	MJ
MOSFET dv/dt sağlamlığı, VDS=0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters diyot dv/dt, VDS = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns (V/ns
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 150	ºC

 

 

1. &bsp; Termal Özellikler

 

Parametre	Sembol	Değer		Birim
		TO251 / TO262	TO220F
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	1.5	4.0	ºC/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	62.5	ºC/W

1. Aksi belirtilmedikçe Tj = 25 ºC elektrik özellikleri

 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	900			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 250 ΜA
		960	1070			VGS = 0 V, KIMLIK = 250 ΜA, TJ = 150 ºC
Kapı eşik voltajı	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		1.0	1.2	Ω	VGS = 10 V, KIMLIK = 2 A
			2.88			VGS = 10 V, KIMLIK = 2 A, TJ = 150 ºC
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			10	ΜA	VDS = 900 V, VGS = 0 V

1. Dinamik Özellikler

 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		874.2		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, f = 100 kHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		37.5		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		1.7		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		33.23		ns	VGS = 10 V, VDS = 400 V, RG = 33 Ω, ID = 5 A
Yükselme Süresi	tr		26.50		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		44.00		ns
Düşme süresi	tf		17.63		ns

 

 

1. Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		12.50		NC	ID = 5 A, VDS = 400 V, VGS = 10 V
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		3.75		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		4.28		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		5.8		V

1. Gövde Diyotu Özellikleri

 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri akım	VAR			5	A	VGS < Vth
Darbeli kaynak akımı	İSS			15
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 5 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		265.87		ns	VR = 400 V, = 5 A, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		2.88		ΜC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		19.51		A

1. Not

 

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. Ron JA değeri, cihaz 1'si 2 arada FR-4 tahtasına 2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır, Ta = 25 ºC hava ile sabit bir ortamda.
5. VDD = 100 V, RG = 47 Ω, L = 10 MH, başlangıç Tj = 25 ºC.

İşaretleme Bilgileri
 

Ürün Adı	Paket	İşaret
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak voltajı	VGS	±30	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25°C	KIMLIK	80	A
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 100°C		50
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25°C	Kimlik, darbe	240	A
Sürekli diyot ileri akım 1^), TC = 25°C	VAR	80	A
Diyot darbeli akım2^), TC = 25°C	EVET, darbe	240	A
Güç  dağılımı3^) , TC = 25 °C	PD	500	G
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	2900	MJ
MOSFET dv/dt sağlamlığı, VDS=0 … 480 V	dv/dt	100	V/ns (V/ns
Ters diyot dv/dt, VDS = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 150	°C

Termal özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.25	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 2 MA
		700	770			VGS = 0 V, ID = 2 mA, Tj = 150°C
Kapı eşiği voltaj	VGS (TH)	3.0		4.5	V	VDS = VGS, KIMLIK = 2 MA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		0.032	0.038	Ω	VGS = 10 V, KIMLIK = 40 A
			0.083			VGS = 10 V, KIMLIK = 40 A, TJ = 150°C
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			10	ΜA	VDS = 650 V, VGS = 0 V
Kapı direnci	RG		2.1		Ω	"-" = 1 MHz, Açık tahliye

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		9276		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, ", "" = 100 kHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		486		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		12.8		PF
Etkin çıkış kapasitansı, enerjiyle ilgili	CO (er)		278		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V - 400 V
Etkin çıkış kapasitansı, zamanla ilgili	Ortak		1477		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		55.9		ns	VGS = 10 V, VDS = 400 V, RG = 2 Ω, ID = 40 A
Yükselme Süresi	tr		121.2		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		114.2		ns
Düşme süresi	tf		8.75		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		175.0		NC	VGS = 10 V, VDS = 400 V, KIMLIK = 40 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		40.1		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		76.1		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		6.4		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 80 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		180		ns	, = 30 A ISE, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		1.5		UC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		15.2		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. Ron JA değeri, cihaz 1'si 2 arada FR-4 tahtasına 2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25°C.
5. VDD = 300 V, VGS = 10 V, L = 40 MH, başlangıç Tj = 25°C.