Transistör Geliştirme Modu N-Kanal Güç MOSFET′i To252 Osg80r650df VdS-850V ID-24A RDS(ON) - Telekom Güç Sunucusu Gücü için 650 miliohm QG-12,1nc

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: TO252 OSG80R650DF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
 GreenMOS ®  yüksek  gerilim  MOSFET' i      , olağanüstü düşük  açık durum direnci  ve  düşük  kapı  şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır.       İletim  kaybını en aza indirmek, üstün  anahtarlama  performansı ve   sağlam  çığ  kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
  GreenMOS ®   Genel   serisi                , anahtarlama   kaybını en aza indirmek için üstün anahtarlama performansı için optimize edilmiştir.                   En yüksek   verimlilik standartlarını karşılamak üzere yüksek güç yoğunluğu uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.

Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum

Uygulamalar
      PC  gücü
      LED  aydınlatma
      Telekom  gücü
      Sunucu  gücü
      Ev  Şarj Cihazı
      Güneş/UPS

Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	850	V
Kimlik,  darbe	24	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	650	MΩ
SG	12.1	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	800	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±30	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	8	A
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 100°C		5
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	24	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	IS	8	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	IS, darbe	24	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	83	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	240	MJ
MOSFET  dv/dt  sağlamlığı, VDS =0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns
Ters  diyot  dv/dt, VDS  = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rubles	1.5	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırı4)	Rubles JA	62	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	800			V	VGS  = 0 V, KIMLIK  = 250 ΜA
		850	930			VGS  = 0 V, Kimlik  = 250 μA, Tj  = 150°C
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS  = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı  açık durum  direnci	RDS(ON)		0.55	0.65	Ω	VGS  = 10 V, KIMLIK = 4  A
			1.48			VGS  = 10 V, KIMLIK = 4 A, TJ  = 150°C
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			10	ΜA	VDS  = 800 V, VGS  = 0 V

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       RubleJA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 karta  2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 100 V, VGS  = 10 V, L = 20 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.


Sipariş  Bilgileri

Paket Tip	Birimler/ Makara	Makaralar/   İç  kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO252-C	2500	2	5000	5	25000

Ürün  Bilgileri

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
OSG80R650DF	TO252	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı