Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS(ON) - 1,5miliohm QG-96,8nc PD Şarj Cihazı Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için

Ürün Ayrıntıları
Sertifika: RoHS, ISO
Şekil: Metal Porselen Tüp
Blendaj Tipi: Keskin Kesme Koruma borusu
Üretici/Fabrika, Ticari Şirket
Altın Üye Fiyat 2022

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Denetlenen Tedarikçi

Bağımsız bir üçüncü taraf teftiş kuruluşu tarafından denetlenmiştir

Kayıtlı Sermaye
10000000 RMB
Bitki Alanı
501~1000 metrekare
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS(ON) - 1,5miliohm QG-96,8nc PD Şarj Cihazı Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS(ON) - 1,5miliohm QG-96,8nc PD Şarj Cihazı Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS(ON) - 1,5miliohm QG-96,8nc PD Şarj Cihazı Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS(ON) - 1,5miliohm QG-96,8nc PD Şarj Cihazı Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS(ON) - 1,5miliohm QG-96,8nc PD Şarj Cihazı Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS(ON) - 1,5miliohm QG-96,8nc PD Şarj Cihazı Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için
Benzer Ürünleri Bul

Temel bilgiler.

Hayır. Modeli.
Pdfn5*6 SFS04R02GF
Soğutma Yöntemi
Hava soğutmalı Boru
İşlev
Anahtar Transistörü
Çalışma Frekansı
Yüksek Frekans
Yapı
Düzlemsel
Kapsülleme Yapısı
Yonga Transistörü
Güç Seviyesi
Yüksek Güç
Malzeme
Silikon
Ticari Marka
orientalsemi
Menşei
Çin
HS Kodu
8541290000
Üretim Kapasitesi
ayda 1 kk′den fazla

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
FSMOS ®    MOSFET              'i, Oriental Semiconductor'ın düşük RDS(ON), düşük  kapı  şarjı, hızlı  anahtarlama ve   mükemmel  çığ  özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanmaktadır.  Düşük  Vth   serisi           , düşük  sürüş  gerilimine sahip senkronize düzeltme güç sistemlerinde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır.

Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  güvenilirlik  ve  bütünlük
      Hızlı  anahtarlama  ve  yazılım  kurtarma

Uygulamalar
      PD  şarj cihazı
      Motor  sürücüsü
      Anahtarlama  gerilimi  regülatörü
      DC-DC  dönüştürücü
      Anahtarlı  mod  güç  kaynağı

Temel  Performans  Parametreleri
 
Parametre Değer Birim
VDS,  Tj'de min (maks) 40 V
Kimlik,  darbe 600 A
 VGS  = 10 V'DE RDS(ON) MAKS 1.5
SG 96.8 NC


    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 
Parametre Sembol Değer Birim
Kaynak   gerilimini boşaltın VDS 40 V
Kapı  kaynak  voltajı VGS ±20 V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C KIMLIK 200 A
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C Kimlik,  darbe 600 A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C VAR 200 A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C ,  Darbe 600 A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C PD 132 G
Tek  atımlı  çığ  enerji5) EAS 200 MJ
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı Tstg , Tj -55 ila 150 °C

Termal  özellikler
Parametre Sembol Değer Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu Rçok JC 0.95 °C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırt4) Rko 62 °C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler
 
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi BVDSS 40     V VGS  = 0  V, KIMLIK  = 250 PA
Kapı  eşiği
voltaj
VGS (TH) 1.0   2.5 V VDS  = VGS, KIMLIK = 250 PA
Tahliye kaynağı
açık durum  direnci
RDS(ON)   1.25 1.50 MQ VGS  = 10 V, KIMLIK = 55 A
Tahliye kaynağı
açık durum  direnci
RDS(ON)   2.0 3.0 MQ VGS  = 6 V, KIMLIK  = 55 A
Kapı kaynağı
kaçak  akım

IGSS
    100
Yok
VGS  = 20 V
    - 100 VGS  = -20 V
Tahliye kaynağı
kaçak  akım
IDSS     1 PA VDS  = 40 V, VGS  = 0 V


Dinamik  Özellikler
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test  koşulu
Giriş  kapasitansı CISS   6587   PF
VGS  = 0  V,
VDS  = 20 V,
", "" = 100 kHz
Çıkış  kapasitansı Coss (Coss   2537   PF
Ters  aktarım  kapasitansı Çrrrss   178   PF
Açma  gecikme  süresi td (açık)   26.6   ns
VGS  = 10 V,
VDS  = 20 V,
RG = 2 Ω,
KIMLIK = 20  A
Yükselme  Süresi tr   9.3   ns
Kapatma  gecikme  süresi td (kapalı)   96   ns
Düşme  süresi tf   39.3   ns

Kapı  şarjı  özellikleri
 
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti SG   96.8   NC
VGS  = 10 V,
VDS  = 20 V,
KIMLIK = 20  A
Kapı - kaynak  yükü Qgs (QGS   14.5   NC
Kapı - Boşaltma  şarjı Sgd   18.4   NC
Kapı  plato  voltajı Vplato   2.7   V

Gövde  Diyotu  Özellikleri
 
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test  koşulu
Diyot  ileri  gerilim VSD     1.3 V , = 20 A ISE,
VGS  = 0 V
Geri  güç toplama  süresi trr   66.2   ns
VR = 20 V,
, = 20 A ISE,
di/dt = 100 A/μs
Ters  toparlanma  ücreti Srr   66.1   NC
Tepe  ters  toparlanma  akımı Irrm   2   A

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       Ron JA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 30 V, VGS = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.

 
 
Tedarik Zinciri Pdfn5*6 Sfs04r02GF Vds-40V ID-200A RDS (ON) -1.5milliohm Qg-96.8nc Power Mosfet



Yeşil Ürün Beyanı

Pdfn5*6 Sfs04r02GF Vds-40V ID-200A RDS (ON) -1.5milliohm Qg-96.8nc Power Mosfet
 







 

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

*İtibaren:
*Şuradan:
*Mesaj:

Lütfen 20 ila 4000 karakter arasında girin.

Aradığınız şey bu değil? Satın Alma talebini Şimdi Yayınla
İletişim Tedarikçi

Kategoriye Göre Benzer Ürünleri Bulun

Tedarikçi Ana Sayfası Ürünler ÇAVUŞ Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS(ON) - 1,5miliohm QG-96,8nc PD Şarj Cihazı Anahtarlama gerilimi regülatörü N-Kanal Güç MOSFET′i için