• Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS(ON) - 8miliohm QG-49,9nc DC-DC Konvertör Motoru Sürücüsü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS(ON) - 8miliohm QG-49,9nc DC-DC Konvertör Motoru Sürücüsü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS(ON) - 8miliohm QG-49,9nc DC-DC Konvertör Motoru Sürücüsü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS(ON) - 8miliohm QG-49,9nc DC-DC Konvertör Motoru Sürücüsü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS(ON) - 8miliohm QG-49,9nc DC-DC Konvertör Motoru Sürücüsü N-Kanal Güç MOSFET′i için
  • Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS(ON) - 8miliohm QG-49,9nc DC-DC Konvertör Motoru Sürücüsü N-Kanal Güç MOSFET′i için

Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS(ON) - 8miliohm QG-49,9nc DC-DC Konvertör Motoru Sürücüsü N-Kanal Güç MOSFET′i için

Sertifika: RoHS, ISO
Şekil: Metal Porselen Tüp
Blendaj Tipi: Keskin Kesme Koruma borusu
Soğutma Yöntemi: Hava soğutmalı Boru
İşlev: Anahtar Transistörü
Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans

İletişim Tedarikçi

Altın Üye Fiyat 2022

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Üretici/Fabrika, Ticari Şirket

Temel bilgiler.

Hayır. Modeli.
PDFN5*6 SFG10S08GF
Yapı
Düzlemsel
Kapsülleme Yapısı
Yonga Transistörü
Güç Seviyesi
Yüksek Güç
Malzeme
Silikon
Taşıma Paketi
Carton
Teknik Özelikler
35x30x37cm
Ticari Marka
Orientalsemi
Menşei
Çin
HS Kodu
8541290000
Üretim Kapasitesi
Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama

SFGMOS ® MOSFET, Oriental Semiconductor'ın düşük RDS(ON), düşük kapı şarjı, hızlı anahtarlama ve mükemmel çığ özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanır. Düşük Vth serisi, düşük sürüş gerilimine sahip senkronize düzeltme güç sistemlerinde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır.
 

Özellikler

  • DÜŞÜK RDS(ON) VE  FOM
  • Çok düşük  anahtarlama  kaybı
  • Mükemmel güvenilirlik ve  bütünlük
  • Hızlı anahtarlama ve yazılım  kurtarma
 

Uygulamalar

  • PD  şarj cihazı
  • Motor  sürücüsü
  • Anahtarlama gerilimi regülatörü
  • DC-DC  dönüştürücü
  • Anahtarlı mod güç  kaynağı
 

Temel Performans Parametreleri

 
Parametre Değer Birim
VDS, Tj'de min (maks) 100 V
Kimlik, darbe 210 A
VGS = 10 V'DE RDS(ON) MAKS 8
SG 49.9 NC


İşaretleme Bilgileri

 
Ürün Adı Paket İşaret
SFG10S08GF PDFN5 * 6 SFG10S08G

 
Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 
Parametre Sembol Değer Birim
Kaynak gerilimini boşaltın VDS 100 V
Kapı kaynak voltajı VGS ±20 V
Sürekli tahliye akımı1), TC = 25°C KIMLIK 70 A
Darbeli tahliye akımı2), TC = 25°C Kimlik, darbe 210 A
Sürekli diyot ileri akım 1), TC = 25°C VAR 70 A
Diyot darbeli akım2), TC = 25°C , Darbe 210 A
Güç dağılımı3), TC = 25°C PD 100 G
Tek atımlı çığ enerji5) EAS 100 MJ
Çalışma ve saklama sıcaklığı Tstg, Tj -55 ila 150 °C
 

Termal özellikler

Parametre Sembol Değer Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu Rçok JC 1.25 °C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırt4) Rko 62 °C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi BVDSS 100     V VGS = 0 V, KIMLIK = 250 ΜA
Kapı eşik voltajı VGS (TH) 1.0   2.5 V VDS = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı
açık durum direnci
RDS(ON)   7 8 VGS = 10 V, KIMLIK = 30 A
Tahliye kaynağı
açık durum direnci
RDS(ON)   8 10 VGS = 4.5 V, KIMLIK = 12 A
Kapı kaynağı kaçak akımı
IGSS
    100
Yok
VGS = 20 V
    -100 VGS = -20 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı IDSS     1 ΜA VDS = 100 V, VGS = 0 V
Kapı direnci RG   5.2   Ω "-" = 1 MHz, Açık tahliye
 

Dinamik Özellikler

Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test koşulu
Giriş kapasitansı CISS   2604   PF
VGS = 0 V, VDS = 50  V,
") = 1  MHz
Çıkış kapasitansı Coss (Coss   361   PF
Ters aktarım kapasitansı Çrrrss   6.5   PF
Açma gecikme süresi td (açık)   20.6   ns
VGS = 10 V, VDS = 50 V, RG = 2.2 Ω, ID = 25 A
Yükselme Süresi tr   5   ns
Kapatma gecikme süresi td (kapalı)   51.8   ns
Düşme süresi tf   9   ns


Kapı şarjı özellikleri
 
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test koşulu
Toplam kapı ücreti SG   49.9   NC
VGS = 10 V, VDS = 50 V, KIMLIK = 25 A
Kapı - kaynak yükü Qgs (QGS   6.5   NC
Kapı - Boşaltma şarjı Sgd   12.4   NC
Kapı plato voltajı Vplato   3.4   V

Gövde Diyotu Özellikleri
Parametre Sembol Min. Tipik Maks. Birim Test koşulu
Diyot ileri gerilim VSD     1.3 V IS = 30 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi trr   60.4   ns
VR = 50 V, = 12 A,
di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti Srr   106   NC
Tepe ters toparlanma akımı Irrm   3   A

Not
  1. İzin verilen maksimum bağlantı  sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
  2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
  3. PD, bağlantı kutusu termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
  4.    Ron JA değeri     , cihaz    1 'si  2 arada  FR-4  tahtasına   2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür.  Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25 °C.
  5. VDD = 30 V, VGS = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç Tj = 25°C.

 
Tedarik Zinciri Pdfn5*6 Sfg10s08GF Vds-100V ID-210A Power Mosfet



Yeşil Ürün Beyanı

Pdfn5*6 Sfg10s08GF Vds-100V ID-210A Power Mosfet
 







 

Sorgunuzu doğrudan bu sağlayıcıya gönderin

*İtibaren:
*Şuradan:
*Mesaj:

Lütfen 20 ila 4000 karakter arasında girin.

Aradığınız şey bu değil? Satın Alma talebini Şimdi Yayınla

Kategoriye Göre Benzer Ürünleri Bulun

Tedarikçi Ana Sayfası Ürünler ÇAVUŞ Transistör Geliştirme Pdfn5 * 6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS(ON) - 8miliohm QG-49,9nc DC-DC Konvertör Motoru Sürücüsü N-Kanal Güç MOSFET′i için

Bunları Da Beğenebilirsiniz

İletişim Tedarikçi

Altın Üye Fiyat 2022

Doğrulanmış işletme lisanslarına sahip tedarikçiler

Üretici/Fabrika, Ticari Şirket
Kayıtlı Sermaye
10000000 RMB
Bitki Alanı
501~1000 metrekare