Transistör Geliştirme Modu To247 Osg65r074ht3zf VdS-700V ID-138A RDS(ON) - 74miliohm QG-65.7nc, Solar İnvertör Süper Şarj Cihazı N-Kanal Güç MOSFET′i için

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: ST
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: TO247 OSG65R074HT3ZF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
 GreenMOS ®  yüksek  gerilim  MOSFET' i      , olağanüstü düşük  açık durum direnci  ve  düşük  kapı  şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır.       İletim  kaybını en aza indirmek, üstün  anahtarlama  performansı ve   sağlam  çığ  kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
 GreenMOS ® Z  serisi         , geri  kurtarma süresini en aza indirmek için hızlı kurtarma diyotu (FRD) ile entegre edilmiştir.     Rezonans  anahtarlama  topolojilerinin    daha  yüksek verimlilik, daha  yüksek güvenilirlik  ve daha küçük  form  faktörüne ulaşması için uygundur.

Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum

Uygulamalar
      PC  gücü
      Sunucu  güç  kaynağı
      Telekom
      Güneş  enerjisi invertörü
         Otomobiller için süper şarj cihazı

Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	700	V
Kimlik,  darbe	138	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	74	MΩ
SG	65.7	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±30	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	46	A
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 100°C		29
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	138	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	VAR	46	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	EVET, darbe	138	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	379	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	705	MJ
MOSFET  dv/dt  sağlamlığı, VDS =0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters  diyot  dv/dt, VDS  = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	650			V	VGS  = 0 V, KIMLIK  = 1 MA
		700				VGS  = 0 V, ID  = 1 MA, TJ  = 150°C
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	3.0		5.0	V	VDS  = VGS , KIMLIK  = 1 MA
Tahliye kaynağı açık durum  direnci	RDS(ON)		68	74	MΩ	VGS  = 10 V, KIMLIK = 23.5  A
			178			VGS  = 10 V, KIMLIK = 23.5 A, TJ  = 150°C
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			10	ΜA	VDS  = 650 V, VGS  = 0 V
Kapı  direnci	RG		8.3		Ω	"-" = 1 MHz, Açık  tahliye

Kapı  şarjı  özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		65.7		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, KIMLIK = 20  A
Kapı - kaynak  yükü	Qgs (QGS		24.5		NC
Kapı - Boşaltma  şarjı	Sgd		19.4		NC
Kapı  plato  voltajı	Vplato		7		V

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       Ron JA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 100 V, VGS  = 10 V, L = 80 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.


Sipariş  Bilgileri

Paket Tip	Birimler/ Tüp	Borular/  İç  Kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO247 P	30	11	330	6	1980
TO247 J	30	20	600	5	3000

Ürün  Bilgileri
 

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
OSG65R074HT3ZF	TO247	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı