Transistör Geliştirme Modu N-Kanal Güç MOSFET′i Pdfn8 * 8 Osg65r125jf VdS-700V ID-75A RDS(ON) - Telekom Güç Güneş/UPS için 125 miliohm QG-41,9 nc

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: PDFN8*8 OSG65R125JF
• Structure: Diffusion
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
 GreenMOS ®  yüksek  gerilim  MOSFET' i      , olağanüstü düşük  açık durum direnci  ve  düşük  kapı  şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır.       İletim  kaybını en aza indirmek, üstün  anahtarlama  performansı ve   sağlam  çığ  kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
  GreenMOS ®   Genel   serisi                , anahtarlama   kaybını en aza indirmek için üstün anahtarlama performansı için optimize edilmiştir.                  En yüksek   verimlilik standartlarını karşılamak üzere yüksek güç yoğunluğu uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.


Özellikler
      Düşük  RDS(ON) ve FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum

Uygulamalar
      PC  gücü
      LED  aydınlatma
      Telekom  gücü
      Sunucu  gücü
      Ev  Şarj Cihazı
      Güneş/UPS

Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	700	V
Kimlik,  darbe	75	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	125	MΩ
SG	41.9	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±30	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	25	A
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 100°C		16
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	75	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	VAR	25	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	EVET, darbe	75	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	219	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	730	MJ
MOSFET  dv/dt  sağlamlığı, VDS =0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters  diyot  dv/dt, VDS  = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns (V/ns
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.57	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	650			V	VGS  = 0 V, KIMLIK  = 1 MA
		700	740			VGS  = 0 V, ID  = 1 MA, TJ  = 150°C
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	2.9		3.9	V	VDS  = VGS , KIMLIK  = 1 MA
Tahliye kaynağı  açık durum  direnci	RDS(ON)		0.115	0.125	Ω	VGS  = 10 V, KIMLIK = 12.5  A
			0.278			VGS  = 10 V, KIMLIK = 12.5 A, TJ  = 150°C
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			1	ΜA	VDS  = 650 V, VGS  = 0 V

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       Ron JA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 100 V, VGS  = 10 V, L = 80 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.

Sipariş  Bilgileri

Paket Tip	Birimler/ Tüp	Borular/  İç  Kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
PDFN  8×8-L	2500	2	5000	5	25000
PDFN  8×8-S	3000	1	3000	10	30000

Ürün  Bilgileri

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
OSG65R125JF	PDFN  8×8	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı