Çok Düşük Anahtarlama kaybı MOSFET To252 Paketi Osg80r900df N-Kanal 800W 900 V Güç Yarı İletken Transistör MOSFET′i

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: SMD
• Signal Processing: Digital
• Application: Temperature Measurement
• Hayır. Modeli.: OSG80R900DF
• Model: ST
• Batch Number: 2019
• Brand: Orientalsemi
• Taşıma Paketi: Air
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama
 Yüksek gerilimli MOSFET, olağanüstü düşük açık durum direnci ve düşük kapı şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisini kullanır. İletim kaybını en aza indirmek, üstün anahtarlama performansı ve sağlam çığ kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.  Genel seri, anahtarlama kaybını en aza indirmek için en yüksek anahtarlama performansı için optimize edilmiştir. En yüksek verimlilik standartlarını karşılamak üzere yüksek güç yoğunluğu uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.

Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum

Uygulamalar
      LED  aydınlatma
     Telekom Gücü
      Güneş/UPS
      Sunucu gücü
   PC gücü
   Ev Şarj Cihazı
 

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı