Transistör Geliştirme Modu N-Kanal Güç MOSFET′i To247 Osg65r080ht3zf VdS-700V ID-132A LED Aydınlatma Adaptörü için RDS(ON) - 80 miliohm QG-67nc

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: TO247 OSG65R080HT3ZF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: China
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
 GreenMOS ®  yüksek  gerilim  MOSFET' i      , olağanüstü düşük  açık durum direnci  ve  düşük  kapı  şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır.       İletim  kaybını en aza indirmek, üstün  anahtarlama  performansı ve   sağlam  çığ  kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
 GreenMOS ® Z  serisi         , geri  kurtarma süresini en aza indirmek için hızlı kurtarma diyotu (FRD) ile entegre edilmiştir.     Rezonans  anahtarlama  topolojilerinin    daha  yüksek verimlilik, daha  yüksek güvenilirlik  ve daha küçük  form  faktörüne ulaşması için uygundur.

Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum

Uygulamalar
      LED  aydınlatma
      Adaptör
      Telekom
      Güneş/UPS
      Sunucu

Temel  Performans  Parametreleri

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	700	V
Kimlik,  darbe	132	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	80	MΩ
SG	67	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı  voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak  voltajı	VGS	±30	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	44	A
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 100°C		27.8
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	132	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	VAR	44	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	EVET, darbe	132	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	379	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	600	MJ
MOSFET  dv/dt  sağlamlığı, VDS =0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Ters  diyot  dv/dt, VDS  = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	50	V/ns (V/ns
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Sipariş  Bilgileri

Paket Tip	Birimler/ Tüp	Borular/  İç  Kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO247 J	30	20	600	4	2400

Ürün  Bilgileri
 

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
OSG65R080HT3ZF	TO247	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı