Transistör Geliştirme Modu N-Kanal Güç MOSFET′i To252 Sfg10r75df VdS-100V ID-45A Anahtarlama gerilimi regülatörü DC-Dkdönüştürücü için RDS(ON) - 75miliohm QG-6.5nc

• Sertifika: RoHS, ISO
• Şekil: Metal Porselen Tüp
• Blendaj Tipi: Keskin Kesme Koruma borusu
• Soğutma Yöntemi: Hava soğutmalı Boru
• İşlev: Anahtar Transistörü
• Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans
• Hayır. Modeli.: TO252 SFG10R75DF
• Yapı: Düzlemsel
• Kapsülleme Yapısı: Yonga Transistörü
• Güç Seviyesi: Yüksek Güç
• Malzeme: Silikon
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: Çin
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
SFGMOS ®   MOSFET           , Oriental Semiconductor'ın düşük RDS(ON), düşük  kapı  şarjı, hızlı  anahtarlama ve   mükemmel  çığ  özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanır.  Düşük  Vth   serisi           , düşük  sürüş  gerilimine sahip senkronize düzeltme güç sistemlerinde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır.
 

Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  güvenilirlik  ve  bütünlük
      Hızlı  anahtarlama  ve  yazılım  kurtarma


Uygulamalar
      PD  şarj cihazı
      Motor  sürücüsü
      Anahtarlama  gerilimi  regülatörü
      DC-DC  dönüştürücü
      Anahtarlı  mod  güç  kaynağı


Temel  Performans  Parametreleri
 

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	100	V
Kimlik,  darbe	45	A
VGS  = 10 V'DE RDS(ON) MAKS	75	MΩ
SG	6.5	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Kaynak   gerilimini boşaltın	VDS	100	V
Kapı  kaynak  voltajı	VGS	±20	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	15	A
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	45	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	VAR	15	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	,  Darbe	45	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	36	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	5.5	MJ
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	3.5	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	100			V	VGS  = 0  V, KIMLIK  = 250 PA
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	1.2		2.5	V	VDS  = VGS, KIMLIK = 250 PA
Tahliye kaynağı açık durum  direnci	RDS(ON)		50	75	MQ	VGS  = 10 V, KIMLIK = 5  A
Tahliye kaynağı açık durum  direnci	RDS(ON)		60	90	MQ	VGS  = 4.5 V, KIMLIK = 3 A
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			1	PA	VDS  = 100 V, VGS  = 0 V
Kapı  direnci	RG		28.8		S	f = 1 MHz, Açık  tahliye

Kapı  şarjı  özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		6.5		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, KIMLIK = 5 A
Kapı - kaynak  yükü	Qgs (QGS		1.4		NC
Kapı - Boşaltma  şarjı	Sgd		1.4		NC
Kapı  plato  voltajı	Vplato		3.3		V

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       Ron JA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 30 V, VGS = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.


Sipariş  Bilgileri

Paket Tip	Birimler/ Makara	Makaralar /   İç  kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO252 P	2500	2	5000	5	25000
TO252 J	2500	2	5000	5	25000

Ürün  Bilgileri

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
SFG10R75DF	TO252	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı