Transistör Güçlendirme To263 Sfg130n10kf VdS-100V ID-390A RDS(ON) - 4,6miliohm QG-101,6nc Pil Koruması DC-DC Dönüştürücü N-Kanal Güç MOSFET′i için

• Sertifika: RoHS, ISO
• Şekil: ST
• Blendaj Tipi: Uzaktan Kesme Koruma Tüpü
• Soğutma Yöntemi: Hava soğutmalı Boru
• İşlev: Anahtar Transistörü
• Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans
• Hayır. Modeli.: TO263 SFG130N10KF
• Yapı: Düzlemsel
• Kapsülleme Yapısı: Yonga Transistörü
• Güç Seviyesi: Yüksek Güç
• Malzeme: Silikon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: Çin
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
SFGMOS ®  MOSFET           , Oriental Semiconductor'ın düşük  RDS(ON), düşük  kapı  şarjı, hızlı  anahtarlama ve   mükemmel  çığ  özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanır.  Yüksek  Vth  serisi       , 10     V'tan yüksek kapı sürüş gerilimine sahip yüksek sistemler için özel olarak optimize edilmiştir.
 

Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum
      Hızlı  anahtarlama  ve  yazılım  kurtarma


Uygulamalar
      Anahtarlı  mod  güç  kaynağı
      Motor  sürücüsü
      Akü  koruması
      DC-DC  dönüştürücü
      Güneş  enerjili inverter
      UPS  ve  enerji  invertörü

 

Temel  Performans  Parametreleri
 

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	100	V
Kimlik,  darbe	390	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	4.6	MΩ
SG	101.6	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Kaynak   gerilimini boşaltın	VDS	100	V
Kapı  kaynak  voltajı	VGS	±20	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	130	A
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	390	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	IS	130	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	IS, darbe	390	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	192	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	235	MJ
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	100			V	VGS  = 0  V, KIMLIK  = 250 PA
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS  = VGS, KIMLIK = 250 PA
Tahliye kaynağı açık durum  direnci	RDS(ON)		4.0	4.6	MQ	VGS  = 10 V, KIMLIK = 20 A
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			1	PA	VDS  = 100 V, VGS  = 0 V

Kapı  şarjı  özellikleri
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Toplam  kapı  ücreti	SG		101.6		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, KIMLIK = 22  A
Kapı - kaynak  yükü	Qgs (QGS		20.6		NC
Kapı - Boşaltma  şarjı	Sgd		28.7		NC
Kapı  plato  voltajı	Vplato		4.2		V

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       RubleJA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 karta  2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.



Sipariş  Bilgileri

Paket Tip	Birimler/ Makara	Makaralar /   İç  kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO263-C	800	1	800	5	4000
TO263 J	800	1	800	10	8000

Ürün  Bilgileri

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
SFG130N10KF	TO263	evet	evet	evet

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı