Transistör Güçlendirme To263 Sfg110n12kf VdS-120V ID-330A RDS(ON) - 6,5miliohm QG-68,9nc Pil Koruması DC-DC Dönüştürücü N-Kanal Güç MOSFET′i için

• Sertifika: RoHS, ISO
• Şekil: Metal Porselen Tüp
• Blendaj Tipi: Keskin Kesme Koruma borusu
• Soğutma Yöntemi: Hava soğutmalı Boru
• İşlev: Anahtar Transistörü
• Çalışma Frekansı: Yüksek Frekans
• Hayır. Modeli.: To263 SFG110N12KF
• Yapı: Düzlemsel
• Kapsülleme Yapısı: Yonga Transistörü
• Güç Seviyesi: Yüksek Güç
• Malzeme: Silikon
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemi
• Menşei: Çin
• HS Kodu: 8541290000
• Üretim Kapasitesi: Over 1kk/Month

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
SFGMOS ®   MOSFET           , Oriental Semiconductor'ın düşük RDS(ON),  düşük  kapı  şarjı, hızlı  anahtarlama ve   mükemmel  çığ   özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanır.   Yüksek  Vth serisi        , 10     V'tan yüksek kapı sürüş gerilimine sahip yüksek sistemler için özel olarak optimize edilmiştir.
 

Özellikler
      DÜŞÜK  RDS(ON) VE  FOM
      Çok  düşük  anahtarlama  kaybı
      Mükemmel  stabilite  ve  uyum
      Hızlı  anahtarlama  ve  yazılım  kurtarma


Uygulamalar
      Anahtarlı  mod  güç  kaynağı
      Motor  sürücüsü
      Akü  koruması
      DC-DC  dönüştürücü
      Güneş  enerjili inverter
      UPS  ve  enerji  invertörü


Temel  Performans  Parametreleri
 

Parametre	Değer	Birim
VDS,  Tj'de min (maks)	120	V
Kimlik,  darbe	330	A
RDS(ON), VGS  'DE MAKS = 10 V	6.5	MΩ
SG	68.9	NC

    Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Kaynak   gerilimini boşaltın	VDS	120	V
Kapı  kaynak  voltajı	VGS	±20	V
Sürekli  tahliye  akımı1), TC = 25°C	KIMLIK	110	A
Darbeli  tahliye  akımı2), TC = 25°C	Kimlik,  darbe	330	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1), TC = 25°C	VAR	110	A
Diyot  darbeli  akım2), TC = 25°C	EVET, darbe	330	A
Güç  dağılımı3), TC = 25°C	PD	192	G
Tek  atımlı  çığ  enerji5)	EAS	400	MJ
Çalışma  ve  saklama  sıcaklığı	Tstg , Tj	-55 ila 150	°C

Termal  özellikler

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal  direnç, bağlantı kutusu	Rçok JC	0.65	°C/W
Termal  direnç, bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

   Aksi     belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test  koşulu
Tahliye kaynağı         arıza  gerilimi	BVDSS	120			V	VGS  = 0  V, KIMLIK  = 250 PA
Kapı  eşiği voltaj	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS  = VGS, KIMLIK = 250 PA
Tahliye kaynağı açık durum  direnci	RDS(ON)		5.0	6.5	MQ	VGS  = 10 V, KIMLIK = 30 A
Kapı kaynağı kaçak  akım	IGSS			100	Yok	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Tahliye kaynağı kaçak  akım	IDSS			1	PA	VDS  = 120 V, VGS  = 0 V

Not
1)          İzin verilen maksimum  bağlantı  sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.
2)    tekrar  eden değer; darbe  genişliği    maks. Bağlantı  sıcaklığı ile sınırlanır.
3)    PD      , bağlantı kutusu  termal  direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)       Ron JA değeri     , cihaz   1'si 2 arada FR-4 tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25°C.
5)     VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç  Tj  = 25°C.
 

 

Sipariş  Bilgileri
 

Paket Tip	Birimler/ Makara	Makaralar /   İç  kutu	Birimler/   İç  Kutu	İç  kutular/ karton  kutu	Birimler/     karton  kutu
TO263-C	800	1	800	5	4000

Ürün  Bilgileri

Ürün	Paket	Kurşun  İçermez	RoHS	Halojensiz
SFG110N12KF	TO263	evet	evet	evet

 

Tedarik Zinciri

Yeşil Ürün Beyanı