Pil Koruma MOSFET′i mükemmel sağlamlık ve Eşbiçimlilik

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Hayır. Modeli.: SFG150N10PF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Power Level: Medium Power
• Material: Silicon
• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• uygulamalar: pc gücü
• sektörler: led aydınlatma
• tip: hızlı ev şarj istasyonu
• garanti: 24 ay
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: TO247
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: China
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20K/Monthly

Ürün Açıklaması

Ürün Açıklaması

Genel  Açıklama
SFGMOS ®   MOSFET , Oriental Semiconductor'ın düşük  RDS(ON) ,  düşük kapı şarjı, hızlı anahtarlama ve mükemmel çığ  özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanır.   Yüksek Vth  serisi   , 10   V'tan yüksek kapı sürüş gerilimine sahip yüksek sistemler için özel olarak optimize edilmiştir.

Özellikler
.  DÜŞÜK  RDS(ON)  VE  FOM
.  Çok  düşük anahtarlama  kaybı
.  Mükemmel stabilite ve  uyum
.  Hızlı anahtarlama ve  yazılım  kurtarma

Uygulamalar
.  Anahtarlı  mod  güç kaynağı
.  Motor  sürücüsü
.  Akü  koruması
.  DC-DC  dönüştürücü
.  Güneş  enerjili inverter
.  UPS  ve  enerji  invertörü

Temel Performans  Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VDS,   Tj'de min (maks)	100	V
Kimlik,  darbe	450	A
RDS(ON),  VGS 'DE MAKS = 10 V	3.5	MΩ
SG	87.8	NC

İşaretleme  Bilgileri

 

Ürün  Adı	Paket	İşaret
SFG150N10PF	220	SFG150N10P

Paket ve  PIN  bilgileri

 

    Aksi    belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler

 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Kaynak gerilimini boşaltın	VDS	100	V
Kapı kaynak voltajı	VGS	±20	V
Sürekli  tahliye  akımı1) , TC = 25 °C	KIMLIK	150	A
Darbeli  tahliye  akımı2) , TC = 25 °C	Kimlik,  darbe	450	A
Sürekli  diyot  ileri  akım 1) , TC = 25 °C	VAR	150	A
Diyot  darbeli  akım2) , TC = 25 °C	EVET , darbe	450	A
Güç  dağılımı3) , TC = 25 °C	PD	250	G
Tek atımlı çığ  enerji5)	EAS	265	MJ
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila  150	°C

Termal özellikler

 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç , bağlantı kutusu	Rçok JC	0.5	°C/W
Termal direnç , bağlantı noktası - hırt4)	Rko	62	°C/W

   Aksi    belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	100			V	VGS = 0 V,  KIMLIK = 250  ΜA
Kapı eşiği voltaj	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS = VGS ,  KIMLIK = 250  ΜA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		3.22	3.50	MΩ	VGS = 10 V,  KIMLIK = 30 A
Kapı kaynağı kaçak akım	IGSS			100	Yok	VGS = 20 V
				- 100		VGS = -20 V
Tahliye kaynağı kaçak akım	IDSS			1	ΜA	VDS = 100 V, VGS = 0 V
Kapı  direnci	RG		4.9		Ω	"-" = 1  MHz, Açık  tahliye

Dinamik Özellikler
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		6850		PF	VGS = 0 V, VDS = 25 V, ", "" = 100  kHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		3170		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrrrss		251		PF
Açma gecikme süresi	td (açık)		32		ns	VGS = 10 V, VDS = 50 V, RG = 2  Ω, KIMLIK = 65 A
Yükselme Süresi	tr		138		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		88		ns
Düşme süresi	tf		106		ns

Kapı şarjı özellikleri
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı  ücreti	SG		87.8		NC	VGS = 10 V, VDS = 50 V, KIMLIK = 65 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		27.1		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		22.9		NC
Kapı plato  voltajı	Vplato		5.5		V

Gövde Diyotu Özellikleri
 

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	, = 30 A ISE, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		158		ns	VR = 50 V, , = 65 A ISE, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		437		NC
Tepe  ters toparlanma akımı	Irrm		5		A

Not
1)        İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına göre hesaplanan sürekli akım.  2)   tekrar  eden değer;  darbe genişliği    maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3)   PD    , bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4)      Ron JA değeri      , cihaz    1 'si  2 arada  FR-4  tahtasına  2 oz. Monte edilmiş olarak ölçülür.  Bakır,    hala  hava  olan   bir ortamda ta = 25 °C.
5)    VDD = 50 V, VGS = 10 V,  L = 0.3  MH, başlangıç  Tj = 25 °C.