Akülü Elektrikli Araçlar (BEVler) IGBT Modülü RoHS Yüksek Frekans Super si Oss65r340FF To220f MOSFET′i İşlemleri

• Tip: Kurşun Asitli Akü
• Nominal Voltaj: 3,6 V
• Şarj gerilimi: 4,1 V~4,2 V
• Çalışma gerilimi: 3,6 V~2,75 V
• Şarj Tipi: Sabit Akım
• Islak raf ömrü: 3 ~ 5 yıl
• Hayır. Modeli.: OSS65R340FF TO220F
• Boşaltma Türü: Sabit direnç
• Elektrolit: Asit Akü
• Sertifika: RoHS
• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• uygulamalar: pc gücü
• sektörler: led aydınlatma
• Taşıma Paketi: Air
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: China
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20kkkk/Monthly

Ürün Açıklaması

 

Genel Açıklama
GreenMOS ® yüksek gerilim MOSFET'i, olağanüstü düşük açık durum direnci ve düşük kapı şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır. İletim kaybını en aza indirmek, üstün anahtarlama performansı ve sağlam çığ kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
GreenMOS ® SuperSi serisi, son derece hızlı anahtarlama özelliklerine ulaşmak için Oriental Semiconductor'ın benzersiz cihaz tasarımına dayanmaktadır. Daha iyi sağlamlık ve maliyet ile yüksek frekanslı işlemlerde Gallium Nitride (GAN) cihazının mükemmel bir alternatifidir. Performans ve güç yoğunluğunu en üst düzeye çıkararak güç kaynağı sistemlerinin en agresif verimlilik standartlarını karşılamayı hedeflemektedir.

Özellikler                                                                                                   

• DÜŞÜK RDS(ON) VE FOM
• Çok düşük anahtarlama kaybı
• Mükemmel stabilite ve uyum
• Tasarımı kolay

Uygulamalar

• PD şarj cihazı
• Geniş ekran görünümü
• Telekom gücü
• Sunucu gücü

Temel Performans Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VDS, Tj'de min (maks)	700	V
Kimlik, darbe	36	A
RDS(ON), VGS'DE MAKS = 10 V	340	MΩ
SG	9.6	NC

İşaretleme Bilgileri

 

Ürün Adı	Paket	İşaret
OSS65R340DF	TO252	OSS65R340D

 

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak voltajı	VGS	±30	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25°C	KIMLIK	12	A
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 100°C		7.6
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25°C	Kimlik, darbe	36	A
Sürekli diyot ileri akım 1^), TC = 25°C	IS	12	A
Diyot darbeli akım2^), TC = 25°C	IS, darbe	36	A
Güç dağılımı3^), TC = 25°C	PD	83	G
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	200	MJ
MOSFET dv/dt sağlamlığı, VDS=0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns
Ters diyot dv/dt, VDS = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 150	°C

Termal özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rubles	1.5	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırı4)	Rubles JA	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 250 ΜA
		700				VGS = 0 V, Kimlik = 250 μA, Tj = 150°C
Kapı eşik voltajı	VGS (TH)	2.9		3.9	V	VDS = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		0.30	0.34	Ω	VGS = 10 V, KIMLIK = 6 A
			0.73			VGS = 10 V, KIMLIK = 6 A, TJ = 150°C
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			1	ΜA	VDS = 650 V, VGS = 0 V

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		443.5		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V,‚ = 100 KHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		59.6		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrş		1.7		PF
Açılma gecikme süresi	td (açık)		22.4		ns	VGS = 10 V, VDS = 400 V, RG = 2 Ω, ID = 6 A
Yükselme Süresi	tr		17.5		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		40.3		ns
Düşme süresi	tf		7.2		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		9.6		NC	VGS = 10 V, VDS = 400 V, KIMLIK = 6 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		2.2		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		4.5		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		6.5		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 12 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		236.5		ns	VR = 400 V, = 6 A, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		2.2		ΜC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		19.1		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. RubleJA değeri, cihaz 1'si 2 arada FR-4 karta 2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25°C.
5. VDD = 100 V, VGS = 10 V, L = 60 MH, başlangıç Tj = 25°C.