AEC-Q101, Otomotiv Uygulamaları için onaylanmıştır Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 MOSFET

• Application: Lorry, Truck, Car, Mini Car, Microbus
• Certification: ISO, RoHS
• Voltage: 40V
• Power Supply: Battery
• Type: Car Electric Heating Cup
• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• Hayır. Modeli.: SFS04R011UGNF PDFN5x6
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• uygulamalar1: pd şarj cihazı
• uygulamalar2: motor sürücüsü
• uygulamalar3: anahtarlama gerilimi regülatörü
• uygulamalar4: dc-dc dönüştürücü
• uygulamalar5: anahtarlama modu güç kaynağı
• Taşıma Paketi: Carton
• Teknik Özelikler: 35x30x37cm
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: China
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20kkkk/Monthly

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama
FSMOS ® MOSFET'i, Oriental Semiconductor'ın düşük RDS(ON), düşük kapı şarjı, hızlı anahtarlama ve mükemmel çığ özelliklerine sahip benzersiz cihaz tasarımına dayanmaktadır. Yüksek Vth serisi, 10V'tan yüksek sürüş gerilimine sahip motor kontrol sistemlerinde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır.

Özellikler

• Düşük RDS(on) ve FOM (Puan rakamı)
• Çok düşük anahtarlama kaybı
• Mükemmel güvenilirlik ve bütünlük
• Hızlı anahtarlama ve yazılım kurtarma
• AEC-Q101 Otomotiv Uygulamaları için onaylanmıştır

Uygulamalar

• PD şarj cihazı
• Motor sürücüsü
• Anahtarlama gerilimi regülatörü
• DC-DC dönüştürücü
• Anahtarlama modu güç kaynağı

Temel Performans Parametreleri

 

Parametre	Değer	Birim
VDS	40	V
Kimlik, darbe	800	A
RDS(ON), VGS'DE MAKS = 10 V	1.1	MΩ
SG	75.9	NC

İşaretleme Bilgileri

 

Ürün Adı	Paket	İşaret
SFS04R011UGNF	PDFN5×6	SFS04R011UGN

 

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı voltajı	VDS	40	V
Kapı - kaynak voltajı	VGS	±20	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25°C	KIMLIK	200	A
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25°C	Kimlik, darbe	800	A
Sürekli diyot ileri akım 1^), TC = 25°C	IS	200	A
Diyot darbeli akım2^), TC = 25°C	IS, darbe	800	A
Güç dağılımı3^), TC = 25°C	PD	202	G
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	240	MJ
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 175	°C

Termal özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rubles	0.74	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırı4)	Rubles JA	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	40			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 250 ΜA
Kapı eşik voltajı	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS = VGS, KIMLIK = 250 ΜA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		1.0	1.1	MΩ	VGS = 10 V, KIMLIK = 20 A
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 20 V
				-100		VGS = -20 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			1	ΜA	VDS = 40 V, VGS = 0 V
Kapı direnci	RG		3.2		Ω	∆= 1 MHz, Açık tahliye

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		5453		PF	VGS = 0 V, VDS = 25 V, ∆= 100 kHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		1951		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrş		113		PF
Açılma gecikme süresi	td (açık)		17.5		ns	VGS = 10 V, VDS = 40 V, RG = 2 Ω, ID = 40 A
Yükselme Süresi	tr		25.2		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		48.2		ns
Düşme süresi	tf		25.7		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		75.9		NC	VGS = 10 V, VDS = 40 V, KIMLIK = 40 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		25		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		15.3		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		4.9		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 20 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		61.4		ns	VR = 40 V, = 40 A, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		86		NC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		2.7		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. RubleJA değeri, cihaz 4 in2 FR-1 karta 2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25°C.
5. VDD = 30 V, VGS = 10 V, L = 0.3 MH, başlangıç Tj = 25°C.