İki yönlü PFC Mimarisi ve Kontrolü 3 Fazlı Viyana Topolojisi Hızlı ev Şarj Pilesto247 Osg65r035hf Yüksek Voltajlı Güç MOSFET′i

• açıklama: çok düşük anahtarlama kaybı
• özellikler: mükemmel stabilite ve uyum
• uygulamalar: pc gücü
• sektörler: led aydınlatma
• tip: hızlı ev şarj istasyonu
• sertifika: iso, tuv, rohs
• Hayır. Modeli.: OSG65R035HF
• garanti: 24 ay
• Taşıma Paketi: Air
• Ticari Marka: Orientalsemiconductor
• Menşei: Çin
• HS Kodu: 854129000
• Üretim Kapasitesi: 20kkkk/Monthly

Ürün Açıklaması

Genel Açıklama
GreenMOS ® yüksek gerilim MOSFET'i, olağanüstü düşük açık durum direnci ve düşük kapı şarjı elde etmek için şarj dengesi teknolojisinden yararlanır. İletim kaybını en aza indirmek, üstün anahtarlama performansı ve sağlam çığ kapasitesi sağlamak üzere tasarlanmıştır.
GreenMOS ® Genel serisi, anahtarlama kaybını en aza indirmek için üstün anahtarlama performansı için optimize edilmiştir. En yüksek verimlilik standartlarını karşılamak üzere yüksek güç yoğunluğu uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.

Özellikler                                                                                                    

• Düşük RDS(ON) ve FOM
• Çok düşük anahtarlama kaybı
• Mükemmel stabilite ve uyum

Uygulamalar

• PC gücü
• LED aydınlatma
• Telekom gücü
• Sunucu gücü
• Ev Şarj Cihazı
• Güneş/UPS
•  
• Temel Performans Parametreleri
•  

  Parametre	Değer	Birim
  VDS, Tj'de min (maks)	700	V
  Kimlik, darbe	240	A
  RDS(ON), VGS'DE MAKS = 10 V	35	MΩ
  SG	153.6	NC

  
  İşaretleme Bilgileri
   

  Ürün Adı	Paket	İşaret
  OSG65R035HTF	TO247	OSG65R035HT

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de mutlak maksimum değerler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Tahliye kaynağı voltajı	VDS	650	V
Kapı - kaynak voltajı	VGS	±30	V
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 25°C	KIMLIK	80	A
Sürekli tahliye akımı1^), TC = 100°C		50
Darbeli tahliye akımı2^), TC = 25°C	Kimlik, darbe	240	A
Sürekli diyot ileri akım 1^), TC = 25°C	IS	80	A
Diyot darbeli akım2^), TC = 25°C	IS, darbe	240	A
Güç dağılımı3^) TC = 25°C	PD	455	G
Tek atımlı çığ enerji5)	EAS	1700	MJ
MOSFET dv/dt sağlamlığı, VDS=0 … 480 V	dv/dt	50	V/ns
Ters diyot dv/dt, VDS = 0 … 480 V, ISD ≤ ID	dv/dt	15	V/ns
Çalışma ve saklama sıcaklığı	Tstg, Tj	-55 ila 150	°C

Termal özellikler
 

Parametre	Sembol	Değer	Birim
Termal direnç, bağlantı kutusu	Rubles	0.27	°C/W
Termal direnç, bağlantı noktası - hırı4)	Rubles JA	62	°C/W

Aksi belirtilmedikçe Tj = 25°C'de elektriksel özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Tahliye kaynağı arıza gerilimi	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, KIMLIK = 2 MA
		700				VGS = 0 V, ID = 2 mA, Tj = 150°C
Kapı eşik voltajı	VGS (TH)	2.8		4.0	V	VDS = VGS, KIMLIK = 2 MA
Tahliye kaynağı açık durum direnci	RDS(ON)		0.028	0.035	Ω	VGS = 10 V, KIMLIK = 40 A
			0.075			VGS = 10 V, KIMLIK = 40 A, TJ = 150°C
Kapı kaynağı kaçak akımı	IGSS			100	Yok	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Tahliye kaynağı kaçak akımı	IDSS			5	ΜA	VDS = 650 V, VGS = 0 V
Kapı direnci	RG		2.4		Ω	∆= 1 MHz, Açık tahliye

Dinamik Özellikler

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Giriş kapasitansı	CISS		7549.2		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, ∆= 100 kHz
Çıkış kapasitansı	Coss (Coss		447.1		PF
Ters aktarım kapasitansı	Çrş		13.2		PF
Açılma gecikme süresi	td (açık)		52.3		ns	VGS = 10 V, VDS = 400 V, RG = 5 Ω, ID = 40 A
Yükselme Süresi	tr		86.8		ns
Kapatma gecikme süresi	td (kapalı)		165.2		ns
Düşme süresi	tf		8.5		ns

Kapı şarjı özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplam kapı ücreti	SG		153.6		NC	VGS = 10 V, VDS = 400 V, KIMLIK = 40 A
Kapı - kaynak yükü	Qgs (QGS		41.8		NC
Kapı - Boşaltma şarjı	Sgd		50.2		NC
Kapı plato voltajı	Vplato		5.8		V

Gövde Diyotu Özellikleri

Parametre	Sembol	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Diyot ileri gerilim	VSD			1.3	V	IS = 80 A, VGS = 0 V
Geri güç toplama süresi	trr		566.1		ns	VR = 400 V, IS = 40 A, di/dt = 100 A/μs
Ters toparlanma ücreti	Srr		13.2		ΜC
Tepe ters toparlanma akımı	Irrm		45.9		A

Not

1. İzin verilen maksimum bağlantı sıcaklığına dayalı olarak hesaplanan sürekli akım.
2. Tekrar eden değer; darbe genişliği maks. Bağlantı sıcaklığı ile sınırlanır.
3. PD, bağlantı kutusu termal direnci kullanılarak maks. Bağlantı sıcaklığına dayanır.
4. RubleJA değeri, cihaz 1'si 2 arada FR-4 karta 2 oz ile monte edilmiş olarak ölçülür. Bakır, hala hava olan bir ortamda ta = 25°C.
5. VDD = 100 V, VGS = 10 V, L = 60 MH, başlangıç Tj = 25°C.