Tungsten hedeflerinin açıklaması

Şirketimiz, tungsten sputtering hedeflerini ve tungsten anot hedeflerini kapsayan düz hedefler ve dönen hedefler dahil olmak üzere çeşitli saf tungsten hedeflerin üretimi konusunda uzmandır.

Tungsten hedef üretim süreci: Karıştırma işleminden sonra presleme, sinterleme, boş işleme, ısı işleme için kalıba yüklenir ve son olarak müşterinin gerekli boyut ve yüzeyini karşılayan bitmiş ürünlere işlenir.

Saflık, yoğunluk ve mikroyapı saf tungsten hedefleri üzerinde belirleyici etkiye sahiptir. Tungsten hedeflerini en az %99.95 saflık oranı ile sağlayabiliriz ve gerekli yabancı madde içeriğini karşılayabiliriz. Yüksek yoğunluk, özellikle yüksek iletkenliğe sahip olmasını sağlayarak, dikiş hızında zaman kazandırır. Tek tip mikroyapı, saplanma sırasında tek tip bir erozyona sahip olacaktır.

Yoğunluk, sertlik, yüzey pürüzlülüğü vb. fiziksel özellik test ekipmanlarının eksiksiz bir setini sağlayabiliriz. Bu nedenle, girdap akımı ve ultrasonik ekipman kullanılarak, tungsten hedefinin yüksek kalitesini sağlamak için gözenekler ve çatlaklar gibi ürünün olası iç hasarı kesin bir şekilde kontrol edilebilir.
 

Tungsten hedeflerinin Özellikleri

Yüksek saflık: Tungsten sputtering hedeflerimiz en az %99.95 yüksek saflığa sahiptir ve hatta %99.99'e kadar ulaşarak yarı iletken kaplama uygulamalarının katı gereksinimlerini karşılar.

Yüksek yoğunluk ve tek tip mikroyapı: Tungsten hedeflerinin bağıl yoğunluğu %99.5 veya daha fazlasına ulaşabilir. Yüksek yoğunluk, mükemmel iletkenliğe sahip olmasını ve mükemmel bir sputtering hızı sağlar. Tek tip mikroyapı, yaylanma sırasında eşit erozyon sağlayarak dengeli performansın korunmasına yardımcı olur.

Eksiksiz fiziksel özellik testi: Ürün kalitesini sağlamak ve gözenekler ve çatlaklar gibi olası iç hasarı kontrol etmek için yoğunluk, sertlik, yüzey pürüzlülüğü vb. gibi test ekipmanları sağlıyoruz.
 

Tungsten hedeflerinin kullanım ilkesi

Tungsten sputtering hedefleri, yeni bir fiziksel buhar deposition (PVD) yöntemi olan manyetron sputtering kaplama için kullanılır. Dikeylecek hedef (katot) ile anot arasına dikey bir manyetik alan ve elektrik alanı uygulanır ve yüksek vakum odasına gerekli olan atıl gaz (genellikle AR gazı) enjekte edilir. Elektrik alanının etkisi altında AR gazı iyonize edilmiş pozitif iyonlar ve elektronlar haline getirmiştir. Hedef, belirli bir negatif yüksek voltajla uygulanır. Hedeften yayılan elektronlar, manyetik alanın etkisi altında çalışan gaz tarafından bombalanır ve çalışan gazın iyonlaşma olasılığı artar. Katot yakınında yüksek yoğunluklu bir plazma oluşur. Lorentz kuvvetinin etkisi altında, AR iyonları hedef yüzeye doğru yüksek hızda hızlanarak hedef yüzeyi bombalar, hedef üzerindeki atomların dışarı çıkmasına ve yüksek kinetik enerjiyle momentum dönüştürme prensibini izleyerek hedef yüzeyden kaçmasına ve film oluşturmak için alt tabakaya yatırılmasına neden olur.
 

Tungsten hedeflerinin uygulama alanları

Tungsten hedefleri, ağırlıklı olarak TFT-LCD ekranlardaki ince film transistörlerin bileşenleri olan tungsten katmanlarını yaymak için kullanılır. Büyük ekran formatları, son derece yüksek görüntü netliği ve optimize edilmiş kontrast gerektiğinde kullanılırlar. Tungsten hedefleri, mikroelektronik endüstrisinde de kullanılır; örneğin frekans filtrelerinde kaplama için (yüzey akustik dalga filtreleri (TESTERE), dökme akustik dalga filtreleri (BAW)). Tungsten hedeflerinin diğer uygulamaları arasında tungsten nitrür, mikroelektronik bileşenlerde iletken izleri ve tungsten oksitten yapılmış, OLED ekranlarda ve elektrokimyasal uygulamalarda kullanılan, reaksiyon geçirmeli şeffaf katmanlar bulunmaktadır.